IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，与基地连接
SOIC -8封装
特点
高BV
首席执行官
, 70 V
隔离测试电压， 3000 V
RMS
工业标准SOIC -8A面
e3
安装包
兼容双波峰焊，汽
相和红外回流焊
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A
1
K
2
NC
3
NC
4
8
7
6
5
NC
B
C
E
i179002
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
指定的最低和最高CTR允许
严格的容差在相邻的电气设计
分电路。高BV
首席执行官
70 V给出更高
安全余量相比，工业标准
30 V.
描述
该IL205AT / IL206AT / IL207AT / IL208AT是opti-
美云再加上一个砷化镓红外对
LED和硅NPN光电晶体管。 Infor公司的信号
息，其中包括一个DC电平，可以由发送
该装置同时保持electri-高度
输入和输出之间的隔离校准。这家家庭
采用的是标准的SOIC -8A型小外形封装
用于表面安装，这使得它们非常适合
对于空间有限的高密度应用。此外
重刑消除通孔的要求，这
封装符合安装表面的标准
设备。
订购信息
部分
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
可在磁带和卷轴只。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
备注
点击率40 ％ - 80％ ， SOIC- 8
CTR 63 - 125 ％ ， SOIC- 8
CTR 100 - 200 ％ ， SOIC- 8
CTR 160 - 320 ％ ， SOIC- 8
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
6.0
60
90
1.2
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83614
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1
IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
I
CMAX DC
I
CMAX
功耗
从25° C减免线性
吨< 1.0毫秒
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
CMAX DC
I
CMAX
P
DISS
价值
70
7.0
70
50
100
150
2.0
单位
V
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总包损耗（LED +检测器）
从25° C减免线性
工作温度
储存温度
焊接时间
在260℃下
T
AMB
T
英镑
测试条件
符号
P
合计
价值
240
3.3
- 55至+ 100
- 55至+ 150
10
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.3
0.1
13
最大
1.5
100
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
民
70
7.0
10
5.0
50
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
绝缘测试电压
等效直流，隔离电压
电容（输入输出）
电阻，输入到输出
C
IO
R
IO
测试条件
I
C
= 2.0毫安，我
F
= 10毫安
符号
V
CESAT
V
ISO
3000
3535
0.5
100
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
V
RMS
VDC
pF
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IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
100
13
22
34
56
25
40
60
95
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开关时间
测试条件
I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
, t
关闭
民
典型值。
3.0
最大
单位
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.4
1.3
VF - 正向电压 - V
I
CE
- 集电极 - 发射极电流 - 毫安
150
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
T
A
= –55°C
V
CE
= 10 V
100
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
V
CE
= 0.4 V
50
1
10
100
i205at_03
0
.1
i205at_01
IF - 正向电流 - 毫安
10
I
F
- LED电流 - 毫安
1
100
图1.正向电压与正向电流
图3.集电极 - 发射极电流vs.LED电流
1.5
NCTR
CE
- 归 - CTR
CE
标准化为：
V
CE
=10 V
I
F
= 10毫安
100
标准化为：
V
CB
=9.3 V
I
F
= 1毫安
1.0
V
CE
= 5 V
NI
CB
- 归我
CB
10
0.5
1
V
CE
= 0.4 V
0.0
.1
1
10
100
i205at_04
.1
.1
i205at_02
IF - LED电流 - 毫安
10
I
F
- LED电流 - 毫安
1
100
图2.归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图4.归集电极基光电流与LED
当前
文档编号83614
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IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
10
NH
FE （ SAT ）
归一化的饱和
FE
NI
CB
- 归 - 我
CB
标准化为：
V
CB
=9.3 V
I
F
= 10毫安
2.0
25°C
50°C
25°C
1.5
标准化为：
I
B
=20
A
V
CE
=10 V
1
1.0
V
CE
=0.4 V
.1
0.5
.01
i205at_05
0.0
.1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
1
100
i205at_08
.1
10
100
I
B
- 基本电流 -
A
ˇ
1000
图5.归集电极基光电流与LED
当前
图8.基极电流与我
F
和HFE
1000
I
CB
- 集电极 - 基极电流 -
A
100
V
CB
=9.3 V
50
100
切换时间（ μS ）
输入：
IF
=10m
A
脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
T
OF
F
10
10
5
T
ON
1
.1
.1
i205at_06
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
1.0
10K
i205at_09
50K
100K
500K
1M
基极 - 发射极电阻， RBE值（Ω）
图6.集电极 - 发射极的光电流与LED电流
图9.典型的开关特性与基极电阻
（饱和运算）
10
5
I
首席执行官
- 集电极发射极 - NA
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度 - C
V
CE
=10 V
典型
i205at_07
图7.集电极 - 发射极的光电流与LED电流
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IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
输入
t
on
t
PDON
产量
V
OUT
10%
50%
90%
t
d
t
r
t
PDOFF
t
s
t
r
10%
50%
90%
t
关闭
V
CC
=5 V
输入
R
L
i205at_11
图10.开关测试电路
包装尺寸以英寸（毫米）
.120± .005
(3.05± .13)
.240
(6.10)
R .010 (.13)
.154± .005
C
L(3.91± .13)
.050 (1.27)
.014 (.36)
.036 (.91)
.016 (.41)
.192± .005
(4.88± .13)
.015± .002
(.38± .05)
.008 (.20)
5 °最大。
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
.020± .004
(.51± .10)
2 plc的。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.170 (4.32)
.260 (6.6)
.045 (1.14)
7°
.058± .005
(1.49± .13)
.125± .005
(3.18± .13)
领导
共面性
± 0.0015 （ 0.04）最高。
引脚1号
40°
.004 (.10)
.008 (.20)
ISO方法A
i178003
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5
IL205AT/206AT/207AT/
208AT
特点
高电流传输比，我
F
=10mA,
V
CE
=5 V
IL205AT ， 40 ％ - 80％
IL206AT ， 63 -125 ％
IL207AT ， 100 - 200 ％
IL208AT ， 160 - 320 ％
高BV
首席执行官
, 70 V
隔离电压2500 VAC
RMS
工业标准SOIC- 8表面
安装包
标准引线间隔， 0.05"
可在磁带和卷轴（后缀T）
（符合EIA标准RS481A ）
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
美国保险商实验室文件＃ E52744
（代码字母P ）
PHOTOTRANSISTOR
小尺寸
表面贴装光耦合器
包装尺寸以英寸（毫米）
.120±.005
(3.05±.13)
.240
(6.10)
引脚1号
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
阳极1
0.154 ± 0.005阴极2
C
L (3.91±.13)
NC 3
NC 4
.016 (.41)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
40°
8
7
6
5
NC
BASE
集热器
辐射源
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
公差：
±.005
（除非另有说明）
描述
该IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT是光学
耦合对同一个砷化镓红外发光二极管
和硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以由发送
设备，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。该IL205 / 6 /7/8
进来一个标准的SOIC - 8小型封装
为表面安装，这使得它们非常
适合于具有有限的高密度的应用
空间。除了通孔消除
的要求，这个包符合标准
表面安装器件。
指定的最低和最高CTR允许
窄公差的电气设计
相邻电路。高BV
首席执行官
70伏给
更高的安全裕度相比，工业
标准的30伏。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压....................................... 6.0 V
连续正向电流.......................... 60毫安
在25℃ ............................. 90 mW的功耗
从25℃ ....................... 1.2毫瓦/ °C减免线性
探测器
集电极 - 发射极击穿电压................ 70 V
发射极 - 集电极击穿电压.................. 7 V
集电极 - 基极击穿电压................... 70 V
功耗........................................ 150毫瓦
从25℃ ....................... 2.0毫瓦/ °C减免线性
包
在25 ° C环境总包耗散
（LED +检测器） ...................................... 240毫瓦
从25℃ ....................... 3.3毫瓦/ °C减免线性
存储温度..................... -55 ° C至+ 150°C
工作温度................. -55 ° C至+ 100°C
在260 ℃，焊接时间............................... 10秒。
半导体集团
特征
(T
A
=25°C)
符号最小值。典型值。
MAX 。 UNIT
条件
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
集电极 - 发射极
暗电流
集电极 - 发射极
电容
包
直流电流传输
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
直流电流传输
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘测试电压
等效直流
隔离电压
电容，
输入到输出
性，
输入到输出
开关时间
V
F
I
R
C
O
BV
首席执行官
70
BV
ECO
7
I
CEOdark
C
CE
CTR
DC
40
63
100
160
CTR
DC
13
22
34
56
V
CE坐
V
IO
2500
3535
C
IO
R
IO
t
ON
,
t
关闭
1.3
0.1
25
1.5
100
V
A
pF
V
V
I
F
= 10毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0
I
C
=100
A
I
E
=100
A
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=0
I
F
= 10毫安，
V
CE
=5 V
10
5
10
50
nA
pF
%
80
125
200
320
%
25
40
60
95
0.4
VAC
RMS
VDC
0.5
100
3.0
pF
G
s
I
C
= 2毫安，
R
E
=100
,
V
CE
=10 V
I
C
= 2.0毫安，
I
F
= 10毫安
I
F
= 1毫安，
V
CE
=5 V
规格如有变更。
4–1
10.95
IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，与基地连接
SOIC -8封装
特点
高BV
首席执行官
, 70 V
隔离测试电压， 3000 V
RMS
工业标准SOIC -8A面
e3
安装包
兼容双波峰焊，汽
相和红外回流焊
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
A
1
K
2
NC
3
NC
4
8
7
6
5
NC
B
C
E
i179002
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码Y
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
指定的最低和最高CTR允许
严格的容差在相邻的电气设计
分电路。高BV
首席执行官
70 V给出更高
安全余量相比，工业标准
30 V.
描述
该IL205AT / IL206AT / IL207AT / IL208AT是opti-
美云再加上一个砷化镓红外对
LED和硅NPN光电晶体管。 Infor公司的信号
息，其中包括一个DC电平，可以由发送
该装置同时保持electri-高度
输入和输出之间的隔离校准。这家家庭
采用的是标准的SOIC -8A型小外形封装
用于表面安装，这使得它们非常适合
对于空间有限的高密度应用。此外
重刑消除通孔的要求，这
封装符合安装表面的标准
设备。
订购信息
部分
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
可在磁带和卷轴只。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
备注
点击率40 ％ - 80％ ， SOIC- 8
CTR 63 - 125 ％ ， SOIC- 8
CTR 100 - 200 ％ ， SOIC- 8
CTR 160 - 320 ％ ， SOIC- 8
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
6.0
60
90
1.2
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83614
修订版1.6 ， 18 -APR- 05
www.vishay.com
1
IL205AT / 206AT / 207AT / 208AT
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
I
CMAX DC
I
CMAX
功耗
从25° C减免线性
吨< 1.0毫秒
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
I
CMAX DC
I
CMAX
P
DISS
价值
70
7.0
70
50
100
150
2.0
单位
V
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
总包损耗（LED +检测器）
从25° C减免线性
工作温度
储存温度
焊接时间
在260℃下
T
AMB
T
英镑
测试条件
符号
P
合计
价值
240
3.3
- 55至+ 100
- 55至+ 150
10
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
s
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.3
0.1
13
最大
1.5
100
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
民
70
7.0
10
5.0
50
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
饱和电压，集电极 -
辐射源
绝缘测试电压
等效直流，隔离电压
电容（输入输出）
电阻，输入到输出
C
IO
R
IO
测试条件
I
C
= 2.0毫安，我
F
= 10毫安
符号
V
CESAT
V
ISO
3000
3535
0.5
100
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
V
RMS
VDC
pF
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威世半导体
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
部分
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
IL205AT
IL206AT
IL207AT
IL208AT
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
40
63
100
100
13
22
34
56
25
40
60
95
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
开关时间
测试条件
I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
, t
关闭
民
典型值。
3.0
最大
单位
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
1.4
1.3
VF - 正向电压 - V
I
CE
- 集电极 - 发射极电流 - 毫安
150
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
T
A
= –55°C
V
CE
= 10 V
100
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
V
CE
= 0.4 V
50
1
10
100
i205at_03
0
.1
i205at_01
IF - 正向电流 - 毫安
10
I
F
- LED电流 - 毫安
1
100
图1.正向电压与正向电流
图3.集电极 - 发射极电流vs.LED电流
1.5
NCTR
CE
- 归 - CTR
CE
标准化为：
V
CE
=10 V
I
F
= 10毫安
100
标准化为：
V
CB
=9.3 V
I
F
= 1毫安
1.0
V
CE
= 5 V
NI
CB
- 归我
CB
10
0.5
1
V
CE
= 0.4 V
0.0
.1
1
10
100
i205at_04
.1
.1
i205at_02
IF - LED电流 - 毫安
10
I
F
- LED电流 - 毫安
1
100
图2.归非饱和与饱和CTR
CE
与
LED电流
图4.归集电极基光电流与LED
当前
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10
NH
FE （ SAT ）
归一化的饱和
FE
NI
CB
- 归 - 我
CB
标准化为：
V
CB
=9.3 V
I
F
= 10毫安
2.0
25°C
50°C
25°C
1.5
标准化为：
I
B
=20
A
V
CE
=10 V
1
1.0
V
CE
=0.4 V
.1
0.5
.01
i205at_05
0.0
.1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
1
100
i205at_08
.1
10
100
I
B
- 基本电流 -
A
ˇ
1000
图5.归集电极基光电流与LED
当前
图8.基极电流与我
F
和HFE
1000
I
CB
- 集电极 - 基极电流 -
A
100
V
CB
=9.3 V
50
100
切换时间（ μS ）
输入：
IF
=10m
A
脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
T
OF
F
10
10
5
T
ON
1
.1
.1
i205at_06
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
1.0
10K
i205at_09
50K
100K
500K
1M
基极 - 发射极电阻， RBE值（Ω）
图6.集电极 - 发射极的光电流与LED电流
图9.典型的开关特性与基极电阻
（饱和运算）
10
5
I
首席执行官
- 集电极发射极 - NA
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度 - C
V
CE
=10 V
典型
i205at_07
图7.集电极 - 发射极的光电流与LED电流
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输入
t
on
t
PDON
产量
V
OUT
10%
50%
90%
t
d
t
r
t
PDOFF
t
s
t
r
10%
50%
90%
t
关闭
V
CC
=5 V
输入
R
L
i205at_11
图10.开关测试电路
包装尺寸以英寸（毫米）
.120± .005
(3.05± .13)
.240
(6.10)
R .010 (.13)
.154± .005
C
L(3.91± .13)
.050 (1.27)
.014 (.36)
.036 (.91)
.016 (.41)
.192± .005
(4.88± .13)
.015± .002
(.38± .05)
.008 (.20)
5 °最大。
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
.020± .004
(.51± .10)
2 plc的。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.170 (4.32)
.260 (6.6)
.045 (1.14)
7°
.058± .005
(1.49± .13)
.125± .005
(3.18± .13)
领导
共面性
± 0.0015 （ 0.04）最高。
引脚1号
40°
.004 (.10)
.008 (.20)
ISO方法A
i178003
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