【IL1/IL2/IL5威世半导体光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接特点ACNCi1790041】,IC型号IL1,IL1 PDF资料,IL1经销商,ic,电子元器件-51电子网

IL1/IL2/IL5

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接

特点

i179004

6 B

5 C

4 E

电流传输比（见订货信息）

隔离测试电压5300 V

RMS

铅（Pb） -free组件

按照RoHS 2002/95 / EC组件

和WEEE 2002/96 / EC

描述

在IL1 / IL2 / IL5光耦合隔离的对

采用砷化镓红外发光二极管和硅NPN

光电晶体管。信号信息，其中包括一个DC电平，可以

由驱动器，同时保持了高度被发送

的输入和输出之间的电隔离。该

IL1/IL2/IL5

是

尤其

设计

为

主动

中速逻辑，并且可用于消除

麻烦的接地回路和噪音的问题。这些

也可以使用成色剂来代替继电器和变压器

在许多数字接口的应用，如阴极射线管

调制。

机构认证

UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双

保护

DIN EN 60747-5-5可用的选项1

BSI IEC 60950 ; IEC 60065

订购信息

部分

IL1

IL2

IL5

IL1-X006

IL2-X006

IL2-X009

IL5-X009

记

有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。

备注

CTR > 20 ％， DIP - 6

CTR > 100 ％， DIP - 6

CTR > 50 ％， DIP - 6

CTR > 20 ％， DIP - 6 400万（选项6 ）

CTR > 100 ％， DIP - 6 400万（选项6 ）

CTR >100 ％， SMD - 6 （选件9 ）

CTR > 50 ％， SMD - 6 （选件9 ）

绝对最大额定值

参数

输入

反向电压

正向电流

浪涌电流

功耗

从25° C减免线性

产量

(1)

测试条件

部分

符号

FSM

DISS

价值

6.0

2.5

100

1.33

7.0

400

200

2.6

单位

毫瓦/°C的

IL1

集电极发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极基极击穿电压

集电极电流

功耗

从25° C减免线性

吨< 1.0毫秒

IL2

IL5

首席执行官

EBO

CBO

DISS

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294

如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com

文档编号： 83612

修订版1.5 ， 08 08年5月

IL1/IL2/IL5

光电耦合器，光电晶体管输出，

带底座的连接

绝对最大额定值

参数

耦合器

封装功耗

从25° C减免线性

隔离测试电压（发射极之间

和探测器简称标准气候

23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）

爬电距离

间隙距离

每漏电起痕指数

DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分

绝缘电阻

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

(2)

威世半导体

(1)

测试条件

部分

符号

合计

价值

250

3.3

单位

毫瓦/°C的

RMS

ISO

5300

≥

7.0

≥

7.0

CTI

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

英镑

AMB

2.0毫米从外壳底部

SLD

175

≥

- 40 + 150

- 40至+ 100

100

260

°C

笔记

(1)

AMB

= 25℃，除非另有规定。

超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不

隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大

供的长时间的评分可不利地影响可靠性。

(2)

请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件

孔器件（ DIP ）。

电气特性

参数

输入

正向电压

击穿电压

反向电流

电容

热电阻交界处领导

产量

集电极 - 发射极电容

集电极电容基地

发射基地电容

集电极 - 发射极电压漏

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极电压

正向直流电流增益

正向直流电流增益饱和

热电阻交界处领导

耦合器

电容（输入输出）

绝缘电阻

我-O

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

我-O

= 500 V

0.6

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

= 10 V

= 1.0毫安，我

= 20 A

= 10 V，I

= 20 A

= 10 V，I

= 20 A

= 0.4 V，I

= 20 A

首席执行官

CESAT

FEsat

thJL

200

120

6.8

8.5

5.0

0.25

0.65

650

400

500

1800

600

K / W

= 60毫安

= 10 A

= 6.0 V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

thJL

6.0

1.25

0.01

750

1.65

K / W

测试条件

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

记

AMB

= 25℃，除非另有规定。

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

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IL1/IL2/IL5

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出，

带底座的连接

电流传输比

参数

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极基地）

测试条件

= 10 mA时， V

= 0.4 V

部分

IL1

IL2

IL5

IL1

= 10 mA时， V

= 10 V

IL2

IL5

IL1

= 10 mA时， V

= 9.3 V

IL2

IL5

符号

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

100

分钟。

典型值。

170

100

200

130

0.25

300

500

400

马克斯。

单位

开关特性

参数

非饱和

当前时间

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

= 5.0 V ，R

= 75

Ω,

在输出的50％测量的

IL1

IL2

IL5

IL1

IL2

IL5

IL1

IL2

IL5

IL1

IL2

IL5

IL1

IL2

IL5

IL1

IL2

IL5

IL1

IL2

IL5

IL1

当前时间

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

IL1

延迟时间

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

IL1

上升时间

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

IL1

贮存时间

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

PLH

PHL

4.0

0.8

1.7

1.9

2.6

0.2

0.4

1.4

2.2

0.7

1.2

1.1

1.4

2.3

2.5

5.0

0.8

1.0

1.7

1.2

2.0

7.0

7.4

5.4

4.6

测试条件

部分

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

传播H到L

传播的LtoH

饱和的

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IL1/IL2/IL5

光电耦合器，光电晶体管输出，

带底座的连接

开关特性

参数

饱和的

IL1

下降时间

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

IL1

传播H到L

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

IL1

传播的LtoH

= 0.4 V ，R

= 1.0 kΩ,

= 5.0 V, V

= 1.5 V

IL2

IL5

PLH

PHL

7.6

13.5

1.6

5.4

2.6

8.6

7.4

7.2

测试条件

部分

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

威世半导体

共模瞬态抗扰度

参数

共模抑制

输出高

共模抑制

输出低

共模耦合

电容

测试条件

= 50 V

P-P

, R

= 1 kΩ的，我

= 10毫安

= 50 V

P-P

, R

= 1 kΩ的，我

= 10毫安

部分

符号

|厘米

分钟。

典型值。

5000

0.01

马克斯。

单位

V / μs的

典型特征

AMB

= 25℃，除非另有说明

= 5

= 10毫安

PHL

PLH

F = 10千赫

DF = 50

= 75

iil1_01

iil1_03

图。 1 - 非饱和开关示意图

= 5

图。 3 - 非饱和开关时间

F = 10千赫

DF = 50

I = 10毫安

PLH

= 1.5

PHL

iil1_02

iil1_04

图。 2 - 饱和开关电路图

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修订版1.5 ， 08 08年5月

图。 4 - 饱和开关时间

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IL1/IL2/IL5

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出，

带底座的连接

1.4

1.5

= - 55 °C

= 25 °C

- 前进

电压

(V)

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.1

NCTR

归

CTR

归

要：

= 10

= 10毫安

1.0

CTRce （SAT）

= 0.4

= 70 °C

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

= 100 °C

100

iil1_08

0.1

100

iil1_05

- 正向电流（mA ）

- LED电流（mA ）

图。 5 - 正向电压与正向电流

图。 8 - 归非饱和与饱和CTR对比

LED电流

1.5

归

要：

= 10

= 10毫安

CTRce （SAT）

= 0.4

NCTR

归

CTR

NCTR

归

CTR

归

要：

= 10

= 10毫安

CTRce （SAT）

= 0.4

1.0

= 100 °C

1.0

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

0.1

100

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

0.1

100

iil1_06

- LED电流（mA ）

iil1_09

- LED电流（mA ）

图。 6 - 归非饱和与饱和CTR对比

LED电流

图。 9 - 归非饱和与饱和CTR ，

AMB

= 100 ℃，与LED电流

1.5

- 集电极电流（毫安）

NCTR

归

CTR

归

要：

= 10

V，I

= 10毫安

CTRce （SAT）

= 0.4

1.0

= 50 °C

25 °C

100 °C

70 °C

50 °C

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

0.1

100

iil1_10

iil1_07

- LED电流（mA ）

图。 7 - 归非饱和与饱和CTR对比

LED电流

图。 10 - 集电极发射极电流与温度和LED电流

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修订版1.5 ， 08 08年5月

IL1/2/5

PHOTOTRANSISTOR

光电耦合器

特点

在我电流传输比

= 10毫安

IL1， 20％的最小值。

IL2 ， 100 ％最小。

IL5 ， 50 ％最小。

高集电极 - 发射极电压

IL1 - BV

首席执行官

=50 V

IL2 ， IL5 - BV

首席执行官

=70 V

场效应稳定通过透明的离子盾

（三重奏）

双塑模封装信息隔离测试

电压5300 VAC

RMS

美国保险商实验室文件＃ E52744

VDE认证＃ 0884

（可通过选项1 ）

D E

尺寸以英寸（毫米）

引脚1号

.248 (6.30)

.256 (6.50)

阳极1

阴极2

NC 3

6基地

5收藏家

4发射器

.335 (8.50)

.343 (8.70)

.039

(1.00)

分钟。

4°

典型值。

.018 (0.45)

.022 (0.55)

.300 (7.62)

典型值。

.130 (3.30)

.150 (3.81)

18 ° （典型值）。

0.020 （ 0.051 ）分钟。

.031 (0.80)

.035 (0.90)

.100 （ 2.54 ）（典型值）。

.010 (.25)

.014 (.35)

.300 (7.62)

.347 (8.82)

.110 (2.79)

.150 (3.81)

描述

在IL1 / 2/5光学耦合隔离的对就业

ING砷化镓红外发光二极管和NPN硅光电晶体管。

信号的信息，包括一个DC电平，可以是反式

由驱动器，同时保持了高度的mitted

输入和输出之间的电隔离。该IL1 / 2/5

是专门用于驱动中速逻辑设计

并且可以用来消除麻烦的接地环路

和噪声的问题。也可以使用这些成色

更换继电器和变压器在许多数字接口

面的应用，如阴极射线管的调制。

最大额定值

辐射源

反向电压................................................ .................................. 6 V

正向电流................................................ ............................. 60毫安

浪涌电流................................................ .................................. 2.5 A

功耗................................................ ........................ 100毫瓦

从25° C减免线性............................................ ........ 1.33毫瓦/°C的

探测器

集电极 - 发射极反向电压

IL1 ................................................. .................................................. 50 V

IL2 ， IL5 ............................................... .............................................. 70 V

发射基反向电压............................................. ................ 7 V

集电极 - 基极反向电压............................................. ........... 70 V

集电极电流................................................ ............................ 50毫安

集电极电流（ t<1毫秒） ............................................ ................ 400毫安

功耗................................................ ........................ 200毫瓦

从25° C减免线性............................................ .......... 2.6毫瓦/°C的

包

封装功耗............................................... ......... 250毫瓦

从25° C减免线性............................................ .......... 3.3毫瓦/°C的

隔离测试电压（发射器和检测器之间

称为标准气候23 ℃/ 50 ％RH下，DIN 50014 ） 5300伏

RMS

爬电................................................. .................................分钟。 7毫米

通关................................................. ................................分钟。 7毫米

每漏电起痕指数

DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分......................................... ................ 175

绝缘电阻

= 500 V ，T

=25°C

.........................................................................≥10

= 500 V ，T

=100°C

.......................................................................≥10

存储温度................................................ .... -40 ° C至+ 150°C

工作温度................................................ -40 ° C至+ 100°C

结温................................................ ..................... 100℃

焊接温度（2毫米的情况下） .......................... 260℃

参见应用笔记45 ， “如何使用光耦归

曲线。 “

5–1

本文档是从FrameMaker 4.0.4创建

特征

符号

辐射源

正向电压

击穿电压

反向电流

电容

热电阻交界处领导

探测器

电容

首席执行官

CESAT

的hFE

SAT

thJL

200

120

6.8

8.5

0.25

0.65

650

400

500

1800

600

= 5 V ， F = 1兆赫

=10 V

= 1毫安，我

=20

= 10 V，I

=20

= 10 V，I

=20

= 0.4 V，I

=20

thJL

1.25

0.01

750

1.65

± 60毫安

=10

=6 V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值

最大

单位

条件

C / W

集电极 - 发射极漏电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

正向直流电流增益

饱和的正向直流电流增益

热电阻交界处领导

包传输特性

IL1

饱和电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极基）

IL2

饱和电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

IL5

饱和电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

隔离和绝缘

共模抑制输出高

共模抑制输出低

共模耦合电容

封装电容

绝缘电阻

C / W

CTR

CESAT

CTR

0.25

300

= 10 mA时， V

=0.4 V

= 10 mA时， V

=10 V

= 10 mA时， V

=9.3 V

CTR

CESAT

CTR

100

170

200

0.25

500

= 10 mA时， V

=0.4 V

= 10 mA时， V

=10 V

= 10 mA时， V

=9.3 V

CTR

CESAT

CTR

100

130

0.25

400

= 10 mA时， V

=0.4 V

= 10 mA时， V

=10 V

= 10 mA时， V

=9.3 V

CMH

CML

我-O

5000

0.01

0.6

+14

V / μs的

=50 V

P-P

, R

= 1 kΩ的，我

= 0毫安

=50 V

P-P

, R

= 1 kΩ的，我

=10

我-O

= 0 V ， F = 1兆赫

我-O

=500 V

IL1/2/5

5–2

开关时间

图1，非饱和的切换定时

=5 V

= 10毫安

F = 10千赫

DF=50%

=75

图3.非饱和的切换定时

PHL

PLH

50%

图2.饱和开关时间

=5 V

F = 10千赫

DF=50%

= 10毫安

图4.饱和开关时间

PLH

=1.5 V

PHL

非饱和开关时间表，典型

特征

延迟

上升时间

存储

下降时间

传播H-L

传播L-H

符号

PHL

PLH

IL1

= 20毫安

0.8

1.9

0.2

1.4

0.7

1.4

IL2

± 5毫安

1.7

2.6

0.4

2.2

1.2

2.3

IL5

= 10毫安

1.7

2.6

0.4

2.2

1.1

2.5

单位

=5 V

=75

测试条件

在输出的50％测量的

饱和开关时间表，典型

特征

延迟

上升时间

存储

下降时间

传播H-L

传播L-H

符号

PHL

PLH

IL1

= 20毫安

0.8

1.2

7.4

7.6

1.6

8.6

IL2

± 5毫安

5.4

13.5

5.4

7.4

IL5

= 10毫安

1.7

4.6

2.6

7.2

单位

=5.0 V

=0.4

=1 K

=1.5 V

测试条件

IL1/2/5

5–3

图5中。

正向电压与正向电流

1.4

VF - 正向电压 - V

图9归一化不饱和和饱和的点击率在

= 100 ℃，与LED电流

NCTR - 归CTR

1.5

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安，TA = 25℃

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

TA = -55°C

TA = 25°C

1.0

TA = 100℃

0.5

TA = 100℃

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

IF - LED电流 - 毫安

100

IF - 正向电流 - 毫安

100

NCTR - 归CTR

冰 - 集电极电流 - 毫安

图6.归一化不饱和和饱和的点击率在

= 25°C与LED电流

1.5

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

TA = 25°C

1.0

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

图10.集电极 - 发射极电流与温度的关系

与LED电流

IF - LED电流 - 毫安

25°C

100°C

70°C

50°C

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

IF - LED电流 - 毫安

100

ICEO - 集电极发射极 - NA

NCTR - 归CTR

图7.归非饱和与饱和CTR在

= 50 ℃，与LED电流

1.5

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安，TA = 25℃

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

1.0

TA = 50℃

图11.集电极 - 发射极漏电流对temper-

ATURE

最差

例

VCE = 10V

典型

10 3

10 2

10 1

10 0

10 -1

10 -2

-20

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

IF - LED电流 - 毫安

100

TA - 环境温度 -

°C

图8.归非饱和与饱和CTR在

= 70 ℃，与LED电流

1.5

图12.归CTRcb与LED电流和温

perature

1.5

NCTR - 归CTR

NCTRcb - 归CTRcb

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

TA = 25°C

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

1.0

标准化为：

IF = 10毫安

VCB = 9.3 V

TA = 25°C

0.5

TA = 70℃

NCTR （ SAT ）

NCTR

IF - LED电流 - 毫安

100

0.5

25°C

50°C

70°C

0.0

IF - LED电流 - 毫安

100

IL1/2/5

5–4

图13.集电极和基光电流与LED电流

1000

TA = 25°C

图16.归饱和HFE与基极电流

和温度

1.5

NHFE （SAT） - 归

饱和HFE

ICB - 集电极基地

光 -

100

.01

ICB = 1.0357 * IF ^ 1.3631

70°C

1.0

25°C

-20°C

0.5

50°C

标准化为：

VCE = 10V

IB = 20μA

TA = 25°C

VCE = 0.4V

0.0

100

IB - 基极电流 - （ μA ）

1000

IF - LED电流 - 毫安

100

图14.归一化的光电流与如果与温度

TURE

标准化为：

归一化的光电流

如果= 10毫安， TA = 25℃

图17.传播延迟与集电极负载电阻

1000

TP - Propagatio延迟 -

的TPH1 - 传播延迟 -

TA = 25 ° C， IF = 10毫安

VCC = 5 V ， Vth的= 1.5 V

的TPH1

2.5

100

2.0

NIB-Ta=-20C

NIb,Ta=25C

NIb,Ta=50C

NIb,Ta=70C

TPLH

1.5

1.0

RL - 集电极负载电阻 - KΩ

100

.01

如果-LED mA的电流 -

100

表15归一化的非饱和HFE与基极电流

和温度

1.2

NHFE - 归HFE

70°C

50°C

1.0

0.8

0.6

0.4

100

IB - 基极电流 -

1000

25°C

-20°C

标准化为：

IB = 20μA

VCE = 10 V

TA = 25°C

IL1/2/5

5–5

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接

特点

电流传输比（见订货信息）

隔离测试电压5300 V

RMS

无铅组件

按照RoHS 2002/95 / EC成分

和WEEE 2002/96 / EC

6 B

5 C

4 E

机构认证

UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，

双重保护

i179004

无铅

DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）

DIN EN 60747-5-5待定

可通过选项1

订购信息

部分

IL1

IL2

IL5

IL1-X006

IL2-X006

IL2-X009

IL5-X009

备注

CTR > 20 ％， DIP - 6

CTR > 100 ％， DIP - 6

CTR > 50 ％， DIP - 6

CTR > 20 ％， DIP - 6 400万（选项6 ）

CTR > 100 ％， DIP - 6 400万（选项6 ）

CTR > 100 ％， SMD - 6 （选件9 ）

CTR > 50 ％， SMD - 6 （选件9 ）

描述

在IL1 / IL2 / IL5光耦合隔离的对

采用砷化镓红外发光二极管和NPN硅光子

totransistor 。信号信息，其中包括一个DC电平

可通过驱动器，同时保持发送

的输入端之间的电隔离程度高

输出。该IL1 / IL2 / IL5是专为设计

驱动中速逻辑和可以用来elim-

inate麻烦的接地回路和噪音问题

也可以使用这些成色剂来代替继电器

在许多数字接口的应用变压器

系统蒸发散诸如CRT调制。

有关可用选项的更多信息，请参阅

选项信息。

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

反向电压

正向电流

浪涌电流

功耗

从25° C减免线性

测试条件

符号

FSM

DISS

价值

6.0

2.5

100

1.33

单位

毫瓦/°C的

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

www.vishay.com

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

产量

参数

集电极 - 发射极击穿电压

测试条件

部分

IL1

IL2

IL5

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极电流

吨< 1.0毫秒

功耗

从25° C减免线性

符号

首席执行官

EBO

CBO

DISS

价值

7.0

400

200

2.6

单位

毫瓦/°C的

耦合器

参数

封装功耗

从25° C减免线性

隔离测试电压（间

发射器和检测器被称为

标准气候23℃ / 50％RH

DIN 50014 ）

爬电距离

净空

每漏电起痕指数

DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分

绝缘电阻

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

2.0毫米从外壳底部

英镑

AMB

SLD

ISO

测试条件

符号

合计

价值

250

3.3

5300

单位

毫瓦/°C的

RMS

≥

7.0

≥

7.0

175

≥

- 40 + 150

- 40至+ 100

100

260

°C

电气特性

AMB

= 25℃，除非另有说明

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

输入

参数

正向电压

击穿电压

反向电流

电容

热阻结到

领导

测试条件

= 60毫安

= 10

= 6.0 V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

符号

thJL

6.0

民

典型值。

1.25

0.01

750

最大

1.65

单位

K / W

www.vishay.com

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

产量

参数

集电极 - 发射极电容

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

集电极 - 射极漏泄

当前

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

正向直流电流增益

饱和的

热阻结到

领导

测试条件

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

= 10 V

= 1.0毫安，我

= 20

= 10 V，I

= 20

= 10 V，I

= 20

= 0.4 V，I

= 20

符号

首席执行官

CESAT

的hFE

SAT

thJL

200

120

民

典型值。

6.8

8.5

5.0

0.25

0.65

650

400

500

1800

600

K / W

最大

单位

耦合器

参数

电容（输入输出）

绝缘电阻

测试条件

我-O

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

我-O

= 500 V

符号

民

典型值。

0.6

最大

单位

电流传输比

参数

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

测试条件

= 10 mA时， V

= 0.4 V

部分

IL1

IL2

IL5

电流传输比

（集电极 - 发射极）

= 10 mA时， V

= 10 V

IL1

IL2

IL5

电流传输比

（集电极基）

= 10 mA时， V

= 9.3 V

IL1

IL2

IL5

符号

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

100

民

典型值。

170

100

200

130

0.25

300

500

400

最大

单位

开关不饱和

参数

测试条件

符号

单位

IL1

IL2

IL5

4.0

0.8

1.7

当前

延迟

上升时间

存储

下降时间

传播

H-L

PHL

0.7

1.2

1.1

传播

L-H

PLH

1.4

2.3

2.5

= 5.0 V ，R

= 75

在输出的50％测量的

1.9

2.6

0.2

0.4

1.4

2.2

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

www.vishay.com

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

开关饱和

参数

测试条件

符号

单位

IL1

IL2

IL5

5.0

0.8

1.0

1.7

当前

延迟

上升时间

存储

下降时间

传播

H-L

PHL

1.6

5.4

2.6

传播

L-H

PLH

8.6

7.4

7.2

= 0.4 V ，R

= 1.0 KΩ ，V

= 5.0 V, V

= 1.5 V

1.2

2.0

7.0

7.4

5.4

4.6

7.6

13.5

共模瞬态抗扰度

参数

共模抑制输出

高

共模抑制输出

低

共模耦合

电容

测试条件

= 50 V

P-P

, R

= 1 k,

= 10毫安

= 50 V

P-P

, R

= 1 k,

= 10毫安

符号

|厘米

民

典型值。

5000

0.01

最大

单位

V / μs的

典型特性（环境温度Tamb = 25

°C

除非另有规定编）

VCC=5V

F = 10千赫

I F = 10毫安

F = 10千赫

DF=50%

R L = 75

DF=50%

VCC=5V

I F = 10毫安

iil1_01

iil1_02

图1.非饱和开关示意图

图2.饱和开关示意图

www.vishay.com

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

NCTR - 归CTR

1.5

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

1.0

CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V

PHL

PLH

50%

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

100

I F - LED电流 - 毫安

iil1_03

iil1_06

图3.非饱和的切换定时

图6.归一化的非饱和的，饱和的点击率与LED

当前

1.5

NCTR - 归CTR

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V

1.0

TA = 50℃

PLH

=1.5 V

PHL

iil1_04

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

100

I F - LED电流 - 毫安

iil1_07

图4.饱和开关时间

图7.归非饱和与饱和CTR与LED

当前

1.4

V F - 正向电压 - V

1.5

T A = -55°C

T A = 25°C

NCTR - 归CTR

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

1.0

CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V

TA = 70℃

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

I F - LED电流 - 毫安

100

T A = 100℃

I F - 正向电流 - 毫安

100

iil1_08

iil1_05

图5.正向电压与正向电流

图8.归非饱和与饱和CTR与LED

当前

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

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IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接

特点

电流传输比（见订货信息）

隔离测试电压5300 V

RMS

无铅组件

按照RoHS 2002/95 / EC成分

和WEEE 2002/96 / EC

6 B

5 C

4 E

机构认证

UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，

双重保护

i179004

无铅

DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）

DIN EN 60747-5-5待定

可通过选项1

订购信息

部分

IL1

IL2

IL5

IL1-X006

IL2-X006

IL2-X009

IL5-X009

备注

CTR > 20 ％， DIP - 6

CTR > 100 ％， DIP - 6

CTR > 50 ％， DIP - 6

CTR > 20 ％， DIP - 6 400万（选项6 ）

CTR > 100 ％， DIP - 6 400万（选项6 ）

CTR > 100 ％， SMD - 6 （选件9 ）

CTR > 50 ％， SMD - 6 （选件9 ）

描述

在IL1 / IL2 / IL5光耦合隔离的对

采用砷化镓红外发光二极管和NPN硅光子

totransistor 。信号信息，其中包括一个DC电平

可通过驱动器，同时保持发送

的输入端之间的电隔离程度高

输出。该IL1 / IL2 / IL5是专为设计

驱动中速逻辑和可以用来elim-

inate麻烦的接地回路和噪音问题

也可以使用这些成色剂来代替继电器

在许多数字接口的应用变压器

系统蒸发散诸如CRT调制。

有关可用选项的更多信息，请参阅

选项信息。

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

反向电压

正向电流

浪涌电流

功耗

从25° C减免线性

测试条件

符号

FSM

DISS

价值

6.0

2.5

100

1.33

单位

毫瓦/°C的

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

www.vishay.com

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

产量

参数

集电极 - 发射极击穿电压

测试条件

部分

IL1

IL2

IL5

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极电流

吨< 1.0毫秒

功耗

从25° C减免线性

符号

首席执行官

EBO

CBO

DISS

价值

7.0

400

200

2.6

单位

毫瓦/°C的

耦合器

参数

封装功耗

从25° C减免线性

隔离测试电压（间

发射器和检测器被称为

标准气候23℃ / 50％RH

DIN 50014 ）

爬电距离

净空

每漏电起痕指数

DIN IEC 112 / VDE 0303 ，第1部分

绝缘电阻

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

2.0毫米从外壳底部

英镑

AMB

SLD

ISO

测试条件

符号

合计

价值

250

3.3

5300

单位

毫瓦/°C的

RMS

≥

7.0

≥

7.0

175

≥

- 40 + 150

- 40至+ 100

100

260

°C

电气特性

AMB

= 25℃，除非另有说明

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

输入

参数

正向电压

击穿电压

反向电流

电容

热阻结到

领导

测试条件

= 60毫安

= 10

= 6.0 V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

符号

thJL

6.0

民

典型值。

1.25

0.01

750

最大

1.65

单位

K / W

www.vishay.com

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

产量

参数

集电极 - 发射极电容

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

集电极 - 射极漏泄

当前

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

正向直流电流增益

饱和的

热阻结到

领导

测试条件

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

= 10 V

= 1.0毫安，我

= 20

= 10 V，I

= 20

= 10 V，I

= 20

= 0.4 V，I

= 20

符号

首席执行官

CESAT

的hFE

SAT

thJL

200

120

民

典型值。

6.8

8.5

5.0

0.25

0.65

650

400

500

1800

600

K / W

最大

单位

耦合器

参数

电容（输入输出）

绝缘电阻

测试条件

我-O

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

我-O

= 500 V

符号

民

典型值。

0.6

最大

单位

电流传输比

参数

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

测试条件

= 10 mA时， V

= 0.4 V

部分

IL1

IL2

IL5

电流传输比

（集电极 - 发射极）

= 10 mA时， V

= 10 V

IL1

IL2

IL5

电流传输比

（集电极基）

= 10 mA时， V

= 9.3 V

IL1

IL2

IL5

符号

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

100

民

典型值。

170

100

200

130

0.25

300

500

400

最大

单位

开关不饱和

参数

测试条件

符号

单位

IL1

IL2

IL5

4.0

0.8

1.7

当前

延迟

上升时间

存储

下降时间

传播

H-L

PHL

0.7

1.2

1.1

传播

L-H

PLH

1.4

2.3

2.5

= 5.0 V ，R

= 75

在输出的50％测量的

1.9

2.6

0.2

0.4

1.4

2.2

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

www.vishay.com

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

开关饱和

参数

测试条件

符号

单位

IL1

IL2

IL5

5.0

0.8

1.0

1.7

当前

延迟

上升时间

存储

下降时间

传播

H-L

PHL

1.6

5.4

2.6

传播

L-H

PLH

8.6

7.4

7.2

= 0.4 V ，R

= 1.0 KΩ ，V

= 5.0 V, V

= 1.5 V

1.2

2.0

7.0

7.4

5.4

4.6

7.6

13.5

共模瞬态抗扰度

参数

共模抑制输出

高

共模抑制输出

低

共模耦合

电容

测试条件

= 50 V

P-P

, R

= 1 k,

= 10毫安

= 50 V

P-P

, R

= 1 k,

= 10毫安

符号

|厘米

民

典型值。

5000

0.01

最大

单位

V / μs的

典型特性（环境温度Tamb = 25

°C

除非另有规定编）

VCC=5V

F = 10千赫

I F = 10毫安

F = 10千赫

DF=50%

R L = 75

DF=50%

VCC=5V

I F = 10毫安

iil1_01

iil1_02

图1.非饱和开关示意图

图2.饱和开关示意图

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文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

IL1 / IL2 / IL5

威世半导体

NCTR - 归CTR

1.5

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

1.0

CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V

PHL

PLH

50%

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

100

I F - LED电流 - 毫安

iil1_03

iil1_06

图3.非饱和的切换定时

图6.归一化的非饱和的，饱和的点击率与LED

当前

1.5

NCTR - 归CTR

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V

1.0

TA = 50℃

PLH

=1.5 V

PHL

iil1_04

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

100

I F - LED电流 - 毫安

iil1_07

图4.饱和开关时间

图7.归非饱和与饱和CTR与LED

当前

1.4

V F - 正向电压 - V

1.5

T A = -55°C

T A = 25°C

NCTR - 归CTR

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 10毫安

1.0

CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V

TA = 70℃

0.5

NCTR （ SAT ）

NCTR

0.0

I F - LED电流 - 毫安

100

T A = 100℃

I F - 正向电流 - 毫安

100

iil1_08

iil1_05

图5.正向电压与正向电流

图8.归非饱和与饱和CTR与LED

当前

文档编号83612

修订版1.5 ， 10月26日04

www.vishay.com

IL1，IL2 ， IL5 ， IL74

ILD1 ， ILD2 ， ILD5 ， ILD74

ILQ1 ， ILQ2 ， ILQ5 ， ILQ74

高密

PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY

耦合隔离器

认证

UL认证，文件号E91231

IL *封装代码" GG "

ILD * / * ILQ封装代码" FF "

“X” SPECIFICATIONAPPROVALS

添加'X '部分号码后

VDE 0884中提供3引脚形式： -

- STD

- 摹形

- SMD批准CECC 00802

IL1

IL2

IL5

IL74

2.54

7.0

6.0

1.2

7.62

6.62

尺寸（mm）

7.62

4.0

3.0

0.5

13°

最大

0.26

描述

在IL * ， ILD * ， * ILQ系列光耦合

隔离器包括红外发光二极管

和NPN在太空中硅光电晶体管

高效的双列直插式塑料封装。

特点

选项： -

10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。

表面贴装 - 部分后添加SM没有。

Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。

三种封装类型

高电流传输比（ 50 ％以上）

高隔离电压（ 5.3kV

RMS

,7.5kV

)

高BV

首席执行官

（ 70V分）

IL2 ， ILD2 ， ILQ2 ， IL5 ， ILD5 ， ILQ5

应用

电脑终端机

工业系统控制器

测量仪器

的系统之间的信号传输

不同的潜能和阻抗

OPTION SM

表面贴装

选项G

ILD1

ILD2

ILD5

ILD74

3.0

0.5

2.54

7.0

6.0

10.16

9.16

7.62

4.0

3.0

0.5

3.35

1.2

3.0

13°

最大

0.26

7.62

4.0

3.0

0.5

13°

最大

0.26

ILQ1

ILQ2

ILQ5

ILQ74

2.54

0.5

3.35

7.0

6.0

7.62

1.2

20.32

19.32

0.6

0.1

10.46

9.86

1.25

0.75

0.26

10.16

3.0

0.5 3.35

ISOCOM COMPONENTS LTD 2004年

单元25B ，公园景观西路，

公园景工业村，布伦达路

哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1UD

联系电话：（ 01429 ） 863609传真：（ 01429 ） 863581

17/7/08

DB91088

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

（ 25°C除非另有说明）

储存温度

-40 ° C至+ 125°C

工作温度

-25°C至+ 100°C

引线焊接温度

（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃

INPUTDIODE

正向电流

反向电压

功耗

输出晶体管

集电极 - 发射极电压BV

首席执行官

IL2,ILD2,ILQ2,IL5,ILD5,ILQ5

IL1,ILD1,ILQ1,IL74,ILD74,ILQ74

发射极 - 集电极电压BV

ECO

集电极电流

功耗

总功耗

170mW

（减免线性2.67mW / ° C以上25 ° C）

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

输入

正向电压（V

)

反向电流（I

)

集电极 - 发射极击穿（ BV

首席执行官

)

IL2 ， ILD2 ， ILQ2 ， IL5 ， ILD5 ， ILQ5

IL1 ， ILD1 ， ILQ1 ， IL74 ， ILD74 ， ILQ74

发射极 - 集电极击穿（ BV

ECO

)

集电极 - 发射极暗电流（I

首席执行官

)

最小典型最大单位

1.2

1.65

μA

测试条件

= 50毫安

= 4V

50mA

70mW

70V

50V

50mA

150mW

产量

= 1mA时，（注2 ）

= 100μA

= 10V

再加

电流传输比（ CTR ）（注2 ）

IL1 ， ILD1 ， ILQ1

IL2 ， ILD2 ， ILQ2

100

IL5 ， ILD5 ， ILQ5

IL74 ， ILD74 ， ILQ74

12.5

饱和电流传输比

IL1 ， ILD1 ， ILQ1

IL2 ， ILD2 ， ILQ2

IL5 ， ILD5 ， ILQ5

IL74 ， ILD74 ， ILQ74

12.5

集电极 - 发射极饱和电压，V

CE （SAT）

输入到输出隔离电压V

ISO

5300

输入到输出隔离电压V

ISO

7500

输入输出隔离阻抗R

ISO

5x10

输出上升时间Tr

输出下降时间

300

500

400

RMS

μs

10毫安我

, 10V V

10毫安我

, 10V V

10毫安我

, 10V V

16毫安我

, 5V V

10毫安我

, 0.4V V

10毫安我

, 0.4V V

10毫安我

, 0.4V V

16毫安我

, 0.5V V

16毫安我

， 2毫安我

见注1

= 500V （注1 ）

= 10毫安

= 5V ，R

= 75Ω

170

100

0.4

注1

注2

测量输入导线短接和输出引线短接在一起。

特殊的选择可根据要求提供。请咨询厂家。

17/7/08

DB91088m-AAS/A7

集电极耗散功率与环境温度

200

集电极耗散功率P

（ mW）的

相对电流传输比

- 环境温度

1.5

150

= 10毫安

= 0.4V

1.0

100

0.5

-30

100

125

环境温度T

( °C )

正向电流与环境温度

正向电流I

（MA ）

相对电流传输比

-30

100

环境温度T

( °C )

相对电流传输比

与正向电流

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

= 0.4V

= 25°C

-30

100

125

环境温度T

( °C )

相对电流传输比

- 环境温度

1.5

正向电流I

（MA ）

相对电流传输比

与正向电流

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

= 10V

= 25°C

相对电流传输比

1.0

0.5

-30

100

环境温度T

( °C )

17/7/08

相对电流传输比

= 10毫安

= 10V

正向电流I

（MA ）

DB91088m-AAS/A7