【软开关系列IHW30N90Rq逆导IGBT与单片体二极管产品特点：典型值为1.5V IGBT的饱和电】,IC型号IHW30N90R,IHW30N90R PDF资料,IHW30N90R经销商,ic,电子元器件-51电子网

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软开关系列

IHW30N90R

q

逆导IGBT与单片体二极管

产品特点：

典型值为1.5V IGBT的饱和电压

沟槽场终止技术， 900 V应用提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 因正易并行交换能力

温度系数

V

CE （ SAT ）

低EMI

根据JEDEC合格

1

为目标的应用

反向二极管的专用优化

无铅镀铅;符合RoHS标准

应用范围：

微波炉

软开关应用ZCS

TYPE

IHW30N90R

V

CE

900V

I

C

30A

V

CE(sat),Tj=25°C

1.5V

T

， MAX

175°C

记号

H30R90

包

PG-TO-247-3

C

G

E

PG-TO-247-3

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

900V,

T

j

≤

175°C

二极管的正向电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

二极管脉冲电流，

t

p

受

T

JMAX

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

p

＆ LT ; 5毫秒）

功耗，

T

C

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

P

合计

T

j

T

英镑

-

I

Fpuls

V

GE

I

Cpuls

-

I

F

60

30

90

±20

±25

454

-40...+175

-55...+175

260

W

°C

°C

V

符号

V

CE

I

C

60

30

90

90

价值

900

单位

V

A

1

J- STD- 020和JESD -022

1

2.2版11月8日

功率半导体

软开关系列

IHW30N90R

q

马克斯。值

0.33

0.33

40

单位

K / W

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

=0 V,

I

C

=0.5mA

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V,

I

C

=30A

T

j

= 25°C

T

j

= 150

°C

T

j

= 175

°C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

=0 V,

I

F

= 3 0 A

T

j

= 25°C

T

j

= 150

°C

T

j

= 175

°C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

=700

μA ，V

权证

=V

摹ê

V

权证

= 90 0 V

,

V

摹ê

=0 V

T

j

= 25°C

T

j

= 150

°C

栅极 - 发射极漏电流

I

GES

V

权证

= 0 V ,V

摹ê

=20V

-

-

-

-

-

-

5

2500

600

nA

-

-

-

5.1

1.4

1.4

1.45

5.8

1.6

-

-

6.4

μA

-

-

-

1.5

1.6

1.7

1.7

-

-

900

-

-

V

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

R

thJA

R

thJCD

R

thJC

符号

条件

功率半导体

2

2.2版11月8日

软开关系列

IHW30N90R

q

-

-

-

-

-

2889

83

79

200

13

-

-

-

-

-

nC

nH

pF

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

=25V,

V

摹ê

=0 V,

f=1MHz

V

C C

= 72 0 V,

I

C

=30A

V

摹ê

=15V

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 25°C

V

C C

= 60 0 V,

I

C

=30A,

V

摹ê

= 0 /1 5 V,

R

G

= 1 5Ω

-

-

-

-

-

511

24

-

1.46

1.46

-

-

-

-

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

at

T

j

=175

°C

参数

IGBT特性

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 175

°C

V

C C

= 60 0 V,

I

C

=30A,

V

摹ê

= 0 /1 5 V,

R

G

= 1 5Ω

-

-

-

-

-

594

46

-

2.1

2.1

-

-

-

-

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

功率半导体

3

2.2版11月8日

软开关系列

IHW30N90R

q

t

p

=1s

80A

T

C

=80°C

10s

20s

I

C

,

集电极电流

60A

T

C

=110°C

40A

I

C

,

集电极电流

10A

50s

200s

I

c

20A

1ms

1A

DC

0A

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为三角形

目前（E

on

= 0时，硬关断）

(T

j

≤

175°C,

D =

0.5,

V

CE

= 600V,

V

GE

= 0/+15V,

R

G

= 15Ω)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2 IGBT的安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤175°C;V

GE

=15V)

400W

50A

350W

I

C

,

集电极电流

P

合计

,

耗散功率

300W

250W

200W

150W

100W

50W

0W

25°C

40A

30A

20A

10A

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

0A

25°C

75°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

175°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≥

15V,

T

j

≤

175°C)

功率半导体

4

2.2版11月8日

软开关系列

IHW30N90R

q

80A

70A

V

GE

=20V

15V

80A

70A

V

GE

=20V

15V

13V

11V

9V

7V

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

0.0V

13V

11V

9V

7V

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 175°C)

V

CE （SAT），

集热器

-

EMITT饱和电压

60A

I

C

=60A

2.0V

I

C

,

集电极电流

50A

40A

30A

20A

10A

0A

T

J

=175°C

25°C

1.5V

I

C

=30A

1.0V

I

C

=15A

0.5V

0V

2V

4V

6V

8V

0.0V

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

=20V)

T

J

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

2.2版11月8日

软开关系列

IHW30N90R

q

逆导IGBT与单片体二极管

产品特点：

典型值为1.5V IGBT的饱和电压

沟槽场终止技术， 900 V应用提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 因正易并行交换能力

温度系数

V

CE （ SAT ）

低EMI

1

根据JEDEC的目标应用资格

反向二极管的专用优化

无铅镀铅;符合RoHS标准

应用范围：

微波炉

软开关应用ZCS

TYPE

IHW30N90R

V

CE

900V

I

C

30A

V

CE(sat),Tj=25°C

1.5V

T

， MAX

175°C

记号

H30R90

包

PG-TO-247-3-21

C

G

E

PG-TO-247-3-21

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

二极管的正向电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

二极管脉冲电流，

t

p

受

T

JMAX

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

p

＆ LT ; 5毫秒）

功耗，

T

C

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

P

合计

T

j

T

英镑

-

I

FPUL s

V

GE

I

Cpul s

-

I

F

60

30

90

±20

±25

454

-40...+175

-55...+175

260

W

°C

°C

V

符号

V

CE

I

C

60

30

90

90

价值

900

单位

V

A

1

J- STD- 020和JESD -022

1

修订版2.0

7月06日

功率半导体

软开关系列

IHW30N90R

q

马克斯。值

0.33

0.33

40

单位

K / W

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V ,

I

C

= 0 0.5米一

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V ,

I

C

= 30 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

T

j

=1 7 5° C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

= 0V ,

I

F

= 3 0 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

T

j

=1 7 5° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 70 0

A

,

V

权证

=

V

摹ê

V

权证

= 90 0 V

,

V

摹ê

= 0V

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

栅极 - 发射极漏电流

I

GES

V

权证

= 0V ,

V

摹ê

=2 0 V

-

-

-

-

-

-

5

2500

600

nA

-

-

-

5.1

1.4

1.4

1.45

5.8

1.6

-

-

6.4

A

-

-

-

1.5

1.6

1.7

1.7

-

-

900

-

-

V

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

R

thJA

R

thJCD

R

thJC

符号

条件

功率半导体

2

修订版2.0

7月06日

软开关系列

IHW30N90R

q

-

-

-

-

-

2889

83

79

200

13

-

-

-

-

-

nC

nH

pF

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

= 25 V ,

V

摹ê

= 0V ,

f=

1 MH

V

C C

= 72 0 V,

I

C

=3 0 A

V

摹ê

= 15 V

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=2 5

°C

V

C C

= 60 0 V,

I

C

= 30 A ,

V

摹ê

= 0/ 15 V ,

R

G

= 1 5

-

-

-

-

-

511

24

-

1.46

1.46

-

-

-

-

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

at

T

j

=175

°C

参数

IGBT特性

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=1 7 5° C

V

C C

= 60 0 V,

I

C

= 30 A ,

V

摹ê

= 0/ 15 V ,

R

G

= 1 5

-

-

-

-

-

594

46

-

2.1

2.1

-

-

-

-

-

mJ

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

功率半导体

3

修订版2.0

7月06日

软开关系列

IHW30N90R

q

t

p

=1s

80A

T

C

=80°C

60A

T

C

=110°C

40A

10s

20s

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

10A

50s

200s

I

c

20A

1ms

1A

DC

0A

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为三角形

目前（E

on

= 0时，硬关断）

(T

j

≤

175°C,

D =

0.5,

V

CE

= 600V,

V

GE

= 0/+15V,

R

G

= 15)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2 IGBT的安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤175°C;V

GE

=15V)

400W

50A

350W

I

C

,

集电极电流

P

合计

,

耗散功率

300W

250W

200W

150W

100W

50W

0W

25°C

40A

30A

20A

10A

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

0A

25°C

75°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

175°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≥

15V,

T

j

≤

175°C)

功率半导体

4

修订版2.0

7月06日

软开关系列

IHW30N90R

q

80A

70A

V

GE

=20V

15V

80A

70A

V

GE

=20V

15V

13V

11V

9V

7V

I

C

,

集电极电流

I

C

,

集电极电流

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

0.0V

13V

11V

9V

7V

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 175°C)

V

CE （SAT），

集热器

-

EMITT饱和电压

60A

I

C

=60A

2.0V

I

C

,

集电极电流

50A

40A

30A

20A

10A

0A

T

J

=175°C

25°C

1.5V

I

C

=30A

1.0V

I

C

=15A

0.5V

0V

2V

4V

6V

8V

0.0V

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

=20V)

T

J

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

修订版2.0

7月06日

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IHW30N90R

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