【IHW30N120R软开关系列qC与IGBT单片体二极管的软开关应用产品特点：功能强大的单片体二极管】,IC型号IHW30N120R,IHW30N120R PDF资料,IHW30N120R经销商,ic,电子元器件-51电子网

IHW30N120R

软开关系列

与IGBT单片体二极管的软开关应用

产品特点：

功能强大的单片体二极管

指明的

JMAX

= 175°C

沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

NPT技术提供因易并行交换能力

在V正温度系数

CE （ SAT ）

低EMI

根据JEDEC的目标应用资格

无铅镀铅;符合RoHS标准

应用范围：

电磁炉

软开关应用

TYPE

IHW30N120R

1200V

30A

CE(sat),Tj=25°C

1.55V

， MAX

175°C

记号

H30R120

包

PG-TO-247-3-21

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

= 25°C

= 100°C

集电极电流脉冲，

受

JMAX

关闭安全工作区（V

≤

1200V,

≤

175°C)

二极管的正向电流

= 25°C

= 100°C

二极管脉冲电流，

受

JMAX

二极管的浪涌非重复性的电流，

受

JMAX

= 25°C,

= 10ms时，正弦半波

= 25°C,

≤

2.5μs之，正弦半波

= 100°C,

≤

2.5μs之，正弦半波

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

＆ LT ; 5毫秒）

功耗

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

合计

英镑

FPUL s

FSM

符号

价值

1200

单位

Cpul s

130

120

±20

±25

395

-40...+175

-55...+175

260

°C

J- STD- 020和JESD -022

2.2版

5月6日

功率半导体

IHW30N120R

软开关系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

（ B R ）C （E S）

摹ê

= 0V ,

= 5 00

CE （ SAT ）

摹ê

= 15 V ,

= 30 A

=2 5

°C

=1 2 5° C

=1 7 5° C

二极管的正向电压

摹ê

= 0V ,

= 1 5 A

=2 5

°C

=1 2 5° C

=1 7 5° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

GE （日）

CES

= 0 7米A，

权证

= 12 0 0V

摹ê

= 0V

=2 5

°C

=1 7 5° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

集成门极电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

国际空间站

OSS

RSS

门

权证

= 25 V ,

摹ê

= 0V ,

1 MH

C C

= 96 0 V,

=3 0 A

摹ê

= 15 V

2573

197

GES

GINT

权证

= 0V ,

摹ê

=2 0 V

权证

= 20 V ,

= 30 A

无

2500

100

5.1

1.3

1.35

1.4

5.8

1.5

6.4

1.55

1.75

1.85

1.75

1200

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

thJA

thJCD

0.37

thJC

0.38

K / W

符号

条件

马克斯。值

单位

功率半导体

2.2版

5月6日

IHW30N120R

软开关系列

开关特性，电感负载，

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

D（上）

D（关闭）

关闭

=2 5

°C

C C

= 60 0 V,

= 3 0 A

摹ê

= 0 /1 5 V,

= 34

= 18 0 NH，

= 3 9P F

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

1007

2.9

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

=175

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

D（上）

D（关闭）

关闭

=1 7 5° C

C C

= 60 0 V,

= 3 0 A,

摹ê

= 0 /1 5 V,

= 3 4 ,

= 1 8 0n的H，

= 3 9P F

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复

1157

4.3

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

漏感

一个N D杂散电容

由于动态测试电路如图E.

在该试验中使用的二极管是IDP30E120的二极管

2.2版

5月6日

功率半导体

IHW30N120R

软开关系列

=1s

100A

80A

=80°C

=110°C

集电极电流

20s

10A

50s

60A

40A

200s

20A

1ms

10ms

10Hz

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

10V

100V

1000V

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为硬

开关（关断）

≤

175°C,

D =

0.5,

= 600V,

= 0/+15V,

= 34)

集热器

发射极电压

图2 IGBT的安全工作区

= 25°C,

≤175°C;V

=15V)

350W

300W

250W

200W

150W

100W

50W

25°C

50A

集电极电流

合计

耗散功率

40A

30A

20A

10A

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

25°C

50°C

75°C

100°C 125°C

150°C

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

≤

175°C)

外壳温度

图4.直流集电极电流的函数

外壳温度

≥

15V,

≤

175°C)

功率半导体

2.2版

5月6日

IHW30N120R

软开关系列

80A

70A

=20V

80A

70A

=20V

15V

13V

11V

40A

30A

20A

10A

集电极电流

60A

50A

40A

30A

20A

10A

集电极电流

CE （SAT），

集热器

EMITT饱和电压

15V

13V

11V

60A

50A

集热器

发射极电压

图5.典型的输出特性

(

= 25°C)

集热器

发射极电压

图6.典型的输出特性

(

= 175°C)

50A

2.5V

=60A

集电极电流

40A

2.0V

=30A

30A

1.5V

=15A

1.0V

20A

=175°C

10A

25°C

0.5V

0.0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

=20V)

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(

= 15V)

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