www.DataSheet4U.com
IHW20T120
软开关系列
低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
短路承受时间 - 为10μs
设计用于：
- 软开关应用
- 感应加热
沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 因正易并行交换能力
温度系数
V
CE （ SAT ）
非常柔软，快速恢复反并联EMCON
何二极管
低EMI
反向二极管的专用优化
V
CE
1200V
I
C
20A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
C
G
E
TYPE
IHW20T120
记号
H20T120
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4652
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
二极管的浪涌非重复性的电流，
t
p
受
T
JMAX
T
C
= 25°C,
t
p
= 10ms时，正弦半波
T
C
= 25°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
T
C
= 100°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
1)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
功耗，
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
P
合计
T
j
T
英镑
-
178
-40...+150
-55...+150
260
W
°C
°C
V
GE
t
SC
I
Fpuls
I
FSM
50
130
120
±20
10
V
s
I
F
23
13
36
A
I
Cpuls
-
符号
V
CE
I
C
40
20
60
60
价值
1200
单位
V
A
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
第2版
Apr-04
功率半导体
www.DataSheet4U.com
IHW20T120
软开关系列
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C（ SC ）
V
摹ê
1 = 5V ，T
S·C
≤10s
V
C C
= 600V,
T
j
= 25° C
-
120
-
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
= 25V,
V
摹ê
= 0V,
f=
1M的赫兹
V
C C
= 9 60V,
I
C
= 20A
V
摹ê
= 1 5V
T O服务-247A
-
-
13
nH
-
-
-
-
1460
78
65
120
-
-
-
-
nC
pF
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
j
= 25° C,
V
R
= 8 00V,
I
F
= 9A,
di
F
/ DT
= 75 0A /
s
-
-
-
140
950
13.3
-
ns
nC
A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
= 25° C,
V
C C
= 6 00V,
I
C
= 20A,
V
摹ê
= - 1 5/ 1 5V,
R
G
= 2 8 ,
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
50
30
560
70
1.8
1.5
3.3
-
-
-
-
-
-
-
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
3
第2版
Apr-04
功率半导体
IHW20T120
软开关系列
低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
短路承受时间 - 为10μs
设计用于：
- 软开关应用
- 感应加热
沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 因正易并行交换能力
温度系数
V
CE （ SAT ）
非常柔软，快速恢复反并联EMCON
何二极管
低EMI
反向二极管的专用优化
V
CE
1200V
I
C
20A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
C
G
E
TYPE
IHW20T120
记号
H20T120
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4652
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
二极管的浪涌非重复性的电流，
t
p
受
T
JMAX
T
C
= 25°C,
t
p
= 10ms时，正弦半波
T
C
= 25°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
T
C
= 100°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
1)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
功耗，
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
P
合计
T
j
T
英镑
-
178
-40...+150
-55...+150
260
W
°C
°C
V
GE
t
SC
I
Fpuls
I
FSM
50
130
120
±20
10
V
s
I
F
23
13
36
A
I
Cpuls
-
符号
V
CE
I
C
40
20
60
60
价值
1200
单位
V
A
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
第2版
Apr-04
功率半导体
IHW20T120
软开关系列
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C（ SC ）
V
摹ê
1 = 5V ，T
S·C
≤10s
V
C C
= 600V,
T
j
= 25° C
-
120
-
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
= 25V,
V
摹ê
= 0V,
f=
1M的赫兹
V
C C
= 9 60V,
I
C
= 20A
V
摹ê
= 1 5V
T O服务-247A
-
-
13
nH
-
-
-
-
1460
78
65
120
-
-
-
-
nC
pF
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
j
= 25° C,
V
R
= 8 00V,
I
F
= 9A,
di
F
/ DT
= 75 0A /
s
-
-
-
140
950
13.3
-
ns
nC
A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
= 25° C,
V
C C
= 6 00V,
I
C
= 20A,
V
摹ê
= - 1 5/ 1 5V,
R
G
= 2 8 ,
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
50
30
560
70
1.8
1.5
3.3
-
-
-
-
-
-
-
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
3
第2版
Apr-04
功率半导体
IHW20T120
软开关系列
低损耗DuoPack ：在IGBT
TRENCHSTOP
和场终止技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
短路承受时间 - 为10μs
设计用于：
- 软开关应用
- 感应加热
TRENCHSTOP
和场终止技术1200 V应用
提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 因正易并行交换能力
温度系数
V
CE （ SAT ）
非常柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
低EMI
1
根据JEDEC的目标应用资格
反向二极管的专用优化
无铅镀铅;符合RoHS标准
V
CE
1200V
I
C
20A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
记号
H20T120
包
PG-TO-247-3-21
C
G
E
PG-TO-247-3-21
TYPE
IHW20T120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
二极管的浪涌非重复性的电流，
t
p
受
T
JMAX
T
C
= 25°C,
t
p
= 10ms时，正弦半波
T
C
= 25°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
T
C
= 100°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
2)
符号
V
CE
I
C
价值
1200
40
20
单位
V
A
I
Cpul s
-
I
F
60
60
23
13
I
FPUL s
I
FSM
36
A
50
130
120
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
T
英镑
±20
10
178
-40...+150
-55...+150
V
s
W
°C
°C
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
功耗，
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
2.2版06年5月
功率半导体
IHW20T120
软开关系列
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
-
260
功率半导体
2
2.2版06年5月
IHW20T120
软开关系列
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJCD
R
thJA
0.7
1.3
40
K / W
符号
条件
马克斯。值
单位
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 20 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 2 5° C
T
j
=1 5 0° C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
= 0V ,
I
F
= 9 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 2 5° C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 30 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 12 0 0V
,
V
摹ê
= 0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 20 A
-
-
-
5.0
1.7
1.7
1.7
5.8
2.2
-
-
6.5
A
-
-
-
-
-
-
-
13
250
2500
600
-
nA
S
-
-
-
1.7
2.0
2.2
2.2
-
-
1200
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=2 0 A
V
摹ê
= 15 V
-
-
-
-
-
1460
78
65
120
13
120
-
-
-
-
-
-
pF
nC
nH
A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
= 6 0 0 V,
T
j
= 25
°
C
-
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
3
2.2版06年5月
功率半导体
IHW20T120
软开关系列
低损耗DuoPack ： IGBT的沟槽场终止和技术
具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管
短路承受时间 - 为10μs
设计用于：
- 软开关应用
- 感应加热
沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 因正易并行交换能力
温度系数
V
CE （ SAT ）
非常柔软，快速恢复反并联EMCON
何二极管
低EMI
反向二极管的专用优化
V
CE
1200V
I
C
20A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
C
G
E
TYPE
IHW20T120
记号
H20T120
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4652
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
二极管的浪涌非重复性的电流，
t
p
受
T
JMAX
T
C
= 25°C,
t
p
= 10ms时，正弦半波
T
C
= 25°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
T
C
= 100°C,
t
p
≤
2.5μs之，正弦半波
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
1)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
功耗，
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
P
合计
T
j
T
英镑
-
178
-40...+150
-55...+150
260
W
°C
°C
V
GE
t
SC
I
Fpuls
I
FSM
50
130
120
±20
10
V
s
I
F
23
13
36
A
I
Cpuls
-
符号
V
CE
I
C
40
20
60
60
价值
1200
单位
V
A
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
第2版
Apr-04
功率半导体
IHW20T120
软开关系列
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C（ SC ）
V
摹ê
1 = 5V ，T
S·C
≤10s
V
C C
= 600V,
T
j
= 25° C
-
120
-
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
= 25V,
V
摹ê
= 0V,
f=
1M的赫兹
V
C C
= 9 60V,
I
C
= 20A
V
摹ê
= 1 5V
T O服务-247A
-
-
13
nH
-
-
-
-
1460
78
65
120
-
-
-
-
nC
pF
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
反并联二极管特性
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的峰值反向恢复电流
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
j
= 25° C,
V
R
= 8 00V,
I
F
= 9A,
di
F
/ DT
= 75 0A /
s
-
-
-
140
950
13.3
-
ns
nC
A
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
= 25° C,
V
C C
= 6 00V,
I
C
= 20A,
V
摹ê
= - 1 5/ 1 5V,
R
G
= 2 8 ,
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
50
30
560
70
1.8
1.5
3.3
-
-
-
-
-
-
-
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
3
第2版
Apr-04
功率半导体
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