【IHW15N120R2软开关系列逆导IGBT与单片体二极管产品特点：功能强大的单片体二极管具有极低的】,IC型号IHW15N120R2,IHW15N120R2 PDF资料,IHW15N120R2经销商,ic,电子元器件-51电子网

IHW15N120R2

软开关系列

逆导IGBT与单片体二极管

产品特点：

功能强大的单片体二极管具有极低的正向电压

体二极管钳位电压负

沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

低EMI

根据JEDEC的目标应用资格

无铅镀铅;符合RoHS标准

完整的产品范围和PSpice的模型：

http://www.infineon.com/igbt/

应用范围：

电磁炉

软开关应用

TYPE

IHW15N120R2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

= 25°C

= 100°C

集电极电流脉冲，

受

JMAX

关闭安全工作区（V

≤

1200V,

≤

175°C)

二极管的正向电流

= 25°C

= 100°C

二极管脉冲电流，

受

JMAX

二极管的浪涌非重复性的电流，

受

JMAX

= 25°C,

= 10ms时，正弦半波

= 25°C,

≤

2.5μs之，正弦半波

= 100°C,

≤

2.5μs之，正弦半波

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

＆ LT ; 5毫秒）

功耗

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

安装力矩

合计

英镑

FPUL s

FSM

符号

价值

1200

130

120

±20

±25

357

-40...+175

-55...+175

260

0.6

°C

单位

1200V

15A

CE(sat),Tj=25°C

1.5V

， MAX

175°C

记号

H15R1202

包

PG-TO-247-3-21

Cpul s

J- STD- 020和JESD -022

修订版1.2

5月6日

功率半导体

IHW15N120R2

软开关系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

（ B R ）C （E S）

摹ê

= 0V ,

= 5 00

CE （ SAT ）

摹ê

= 15 V ,

= 15 A

=2 5

°C

=1 2 5° C

=1 7 5° C

二极管的正向电压

摹ê

= 0V ,

= 1 5 A

=2 5

°C

=1 2 5° C

=1 7 5° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

GE （日）

CES

= 0 4米A，

权证

= 12 0 0V

摹ê

= 0V

=2 5

°C

=1 7 5° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

集成门极电阻

GES

GINT

权证

= 0V ,

摹ê

=2 0 V

权证

= 20 V ,

= 15 A

11.7

无

2500

100

5.1

1.45

1.55

1.6

5.8

1.65

6.4

1.5

1.7

1.8

1.75

1200

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

thJA

thJCD

0.47

thJC

0.52

K / W

符号

条件

马克斯。值

单位

功率半导体

修订版1.2

5月6日

IHW15N120R2

软开关系列

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

国际空间站

OSS

RSS

门

权证

= 25 V ,

摹ê

= 0V ,

1 MH

C C

= 96 0 V,

=1 5 A

摹ê

= 15 V

1530

133

开关特性，电感负载，

=25

°C

参数

IGBT特性

打开-O FF延迟时间

下降时间

关闭能源

总开关能量

D（关闭）

关闭

=2 5

°C

C C

= 60 0 V,

= 1 5 A

摹ê

= 0 /1 5 V,

= 14 . 8,

= 2 3 0n的H，

= 3 9P F

282

0.9

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

=175

°C

参数

IGBT特性

打开-O FF延迟时间

下降时间

关闭能源

总开关能量

D（关闭）

关闭

=1 7 5° C

C C

= 60 0 V,

= 1 5 A,

摹ê

= 0 / 15 V ,

= 1 4. 8 ,

= 2 3 0n的H，

= 3 pF的9

342

1.3

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

漏感

钕杂散电容

由于动态测试电路如图E.

修订版1.2

5月6日

功率半导体

IHW15N120R2

软开关系列

=1s

10s

40A

=80°C

=110°C

集电极电流

30A

集电极电流

10A

50s

20A

10A

200s

1ms

10ms

10Hz

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

10V

100V

1000V

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为硬

开关（关断）

≤

175°C,

D =

0.5,

= 600V,

= 0/+15V,

= 14.8)

集热器

发射极电压

图2 IGBT的安全工作区

= 25°C,

≤175°C;V

=15V)

250W

30A

200W

150W

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

合计

耗散功率

20A

100W

10A

50W

25°C

50°C

75°C

100°C 125°C

150°C

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

≤

175°C)

外壳温度

图4.直流集电极电流的函数

外壳温度

≥

15V,

≤

175°C)

功率半导体

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5月6日

IHW15N120R2

软开关系列

40A

=20V

15V

13V

11V

20A

40A

=20V

集电极电流

30A

集电极电流

15V

30A

13V

11V

20A

10A

集热器

发射极电压

图5.典型的输出特性

(

= 25°C)

集热器

发射极电压

图6.典型的输出特性

(

= 175°C)

CE （SAT），

集热器

EMITT饱和电压

40A

=175°C

2.5V

=30A

集电极电流

30A

25°C

2.0V

=15A

1.5V

=7.5A

20A

1.0V

10A

0.5V

10V

0.0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

=20V)

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(

=15V)

功率半导体

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电话：0755-83268779

联系人：吴

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INF

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