初步
TRENCHSTOP系列
IGW08T120
C
低损耗IGBT的沟槽场终止和技术
约。 1.0V降低V
CE （ SAT ）
相比于BUP305D
短路承受时间 - 为10μs
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
沟槽场终止技术， 1200 V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
NPT技术提供因易并行交换能力
在V正温度系数
CE （ SAT ）
低EMI
低栅电荷
G
E
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
1200V
I
C
8A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
符号
V
CE
I
C
16
8
I
Cpul s
-
I
F
16
8
V
GE
1)
TYPE
IGW08T120
包
TO-247AC
订购代码
Q67040-S4513
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
T
英镑
-
-40...+150
-55...+150
260
°C
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
P
合计
70
W
t
SC
价值
1200
单位
V
A
24
24
±20
10
V
s
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
初步/第1版09月03
功率半导体
初步
TRENCHSTOP系列
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
IGW08T120
-
-
-
-
-
-
600
36
28
53
-
48
-
-
-
-
13
-
nC
nH
A
pF
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=8 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 24 7A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
= 6 0 0 V,
T
j
= 25
°
C
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=2 5
°C
,
V
C C
= 60 0 V,
I
C
= 8 A,
V
摹ê
=- 15 /1 5 V ,
R
G
= 81
,
2)
L
σ
= 1 8 0n的H，
2)
C
σ
= 3 9P F
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
40
23
450
70
0.67
0.7
1.37
-
-
-
-
-
-
-
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性，电感负载，
at
T
j
=150
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=1 5 0° C,
V
C C
= 60 0 V,
I
C
=8 A ,
V
摹ê
=- 15 /1 5 V ,
R
G
= 8 1
,
2)
L
σ
= 1 8 0n的H，
2)
C
σ
= 3 9P F
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
40
26
570
140
1.08
1.2
2.28
-
-
-
-
-
-
-
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于动态测试电路如图E.
3
初步/第1版09月03
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
IGW08T120
q
C
低损耗IGBT的TRENCHSTOP
和场终止技术
短路承受时间 - 为10μs
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
TRENCHSTOP和场终止技术， 1200 V应用
提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
NPT技术提供因易并行交换能力
在V正温度系数
CE （ SAT ）
低EMI
低栅电荷
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
无铅镀铅;符合RoHS标准
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
1200V
I
C
8A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.7V
T
， MAX
150°C
标识代码
G08T120
包
PG-TO-247-3
G
E
PG-TO-247-3
TYPE
IGW08T120
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
2)
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
T
j
T
英镑
-
-40...+150
-55...+150
260
°C
P
合计
70
W
V
GE
t
SC
±20
10
V
s
I
Cpuls
-
符号
V
CE
I
C
16
8
24
24
价值
1200
单位
V
A
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
修订版2.6
11月9日
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
IGW08T120
q
马克斯。值
1.7
40
单位
K / W
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V,
I
C
= 0 5毫安
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15V,
I
C
= 8A
T
j
= 25° C
T
j
= 12 5° C
T
j
= 15 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 0 3mA电流，
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 1200V
,
V
摹ê
= 0V
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
集成门极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
I
C（ SC ）
V
摹ê
1 = 5V ，T
S·C
≤10s
V
C C
= 600V,
T
j
= 25° C
-
48
-
A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
V
权证
= 25V,
V
摹ê
= 0V,
f=
1M的赫兹
V
C C
= 9 60V,
I
C
= 8A
V
摹ê
= 1 5V
-
13
-
nH
-
-
-
-
600
36
28
53
-
-
-
-
nC
pF
I
GES
g
fs
R
GINT
V
权证
= 0V ,V
摹ê
= 2 0V
V
权证
= 20V,
I
C
= 8A
-
-
-
-
-
-
-
5
无
0.2
2.0
100
-
nA
S
-
-
-
5.0
1.7
2.0
2.2
5.8
2.2
-
-
6.5
mA
1200
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
R
thJC
符号
条件
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
修订版2.6
11月9日
功率半导体
QQ：2881677436 复制
