TRENCHSTOP
系列
IGP15N60T
q
低损耗IGBT的TRENCHSTOP
和场终止技术
非常低
V
CE （ SAT ）
1.5 V（典型值）。
最高结温为175℃
短路承受时间 - 5μs的
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
TRENCHSTOP
和场终止技术， 600 V应用
提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 非常高开关速度
在正温度系数
V
CE （ SAT ）
低EMI
无铅镀铅;符合RoHS标准
1
根据JEDEC的目标应用资格
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600V
I
C
15A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.5V
T
， MAX
175°C
标识代码
G15T60
包
PG-TO-220-3-1
C
G
E
PG-TO-220-3-1
TYPE
IGP15N60T
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
直流集电极电流，受
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区（V
CE
≤
600V,
T
j
≤
175°C)
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
2)
符号
V
CE
I
C
价值
600
30
15
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
T
英镑
45
45
±20
5
130
-40...+175
-55...+175
260
V
s
W
°C
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
400V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度
从案例波峰焊接，1.6毫米（ 0.063英寸） 10秒
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
2.1版6月06日
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
符号
条件
IGP15N60T
q
马克斯。值
1.15
62
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 0 0.2米一
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 15 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 21 0 A ,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V
,
V
摹ê
= 0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
集成门极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
符号
条件
价值
分钟。
600
-
-
4.1
典型值。
-
1.5
1.9
4.9
马克斯。
-
2.05
-
5.7
单位
V
A
-
-
-
-
-
-
-
8.7
-
40
1000
100
-
nA
S
I
GES
g
fs
R
GINT
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 15 A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=1 5 A
V
摹ê
= 15 V
-
-
-
-
-
860
55
24
87
7
137.5
-
-
-
-
-
-
pF
nC
nH
A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
5
s
V
C C
= 4 0 0 V,
T
j
= 15 0
°C
-
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
2.1版6月06日
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
IGP15N60T
q
低损耗IGBT的TRENCHSTOP
和场终止技术
非常低
V
CE （ SAT ）
1.5 V（典型值）。
最高结温为175℃
短路承受时间 - 5μs的
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
TRENCHSTOP和场终止技术， 600 V应用
提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 非常高开关速度
在正温度系数
V
CE （ SAT ）
低EMI
无铅镀铅;符合RoHS标准
1
根据JEDEC的目标应用资格
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600V
I
C
15A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.5V
T
， MAX
175°C
标识代码
G15T60
包
PG-TO-220-3-1
C
G
E
PG-TO-220-3-1
TYPE
IGP15N60T
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
直流集电极电流，受
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区（V
CE
≤
600V,
T
j
≤
175°C)
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
2)
符号
V
CE
I
C
价值
600
30
15
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
T
英镑
45
45
±20
5
130
-40...+175
-55...+175
260
V
s
W
°C
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
400V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度
从案例波峰焊接，1.6毫米（ 0.063英寸） 10秒
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
2.2版9月7日
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
符号
条件
IGP15N60T
q
马克斯。值
1.15
62
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 0 0.2米一
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 15 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 21 0 A ,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V
,
V
摹ê
= 0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
集成门极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
符号
条件
价值
分钟。
600
-
-
4.1
典型值。
-
1.5
1.9
4.9
马克斯。
-
2.05
-
5.7
单位
V
A
-
-
-
-
-
-
-
8.7
-
40
1000
100
-
nA
S
I
GES
g
fs
R
GINT
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 15 A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=1 5 A
V
摹ê
= 15 V
-
-
-
-
-
860
55
24
87
7
137.5
-
-
-
-
-
-
pF
nC
nH
A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
5
s
V
C C
= 4 0 0 V,
T
j
= 15 0
°C
-
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
2.2版9月7日
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
IGP15N60T
q
低损耗IGBT的TRENCHSTOP
和场终止技术
非常低
V
CE （ SAT ）
1.5 V（典型值）。
最高结温为175℃
短路承受时间 - 5μs的
设计用于：
- 频率转换器
- 不间断电源
TRENCHSTOP
和场终止技术， 600 V应用
提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 非常高开关速度
在正温度系数
V
CE （ SAT ）
低EMI
无铅镀铅;符合RoHS标准
1
根据JEDEC的目标应用资格
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
V
CE
600V
I
C
15A
V
CE(sat),Tj=25°C
1.5V
T
， MAX
175°C
标识代码
G15T60
包
PG-TO-220-3-1
C
G
E
PG-TO-220-3-1
TYPE
IGP15N60T
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
直流集电极电流，受
T
JMAX
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区（V
CE
≤
600V,
T
j
≤
175°C)
栅极 - 发射极电压
短路承受时间
2)
符号
V
CE
I
C
价值
600
30
15
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
t
SC
P
合计
T
j
T
英镑
45
45
±20
5
130
-40...+175
-55...+175
260
V
s
W
°C
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
400V,
T
j
≤
150°C
功耗
T
C
= 25°C
工作结温
储存温度
焊接温度
从案例波峰焊接，1.6毫米（ 0.063英寸） 10秒
1
2)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
2.1版6月06日
功率半导体
TRENCHSTOP
系列
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
符号
条件
IGP15N60T
q
马克斯。值
1.15
62
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 0 0.2米一
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 15 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 21 0 A ,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V
,
V
摹ê
= 0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 7 5° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
集成门极电阻
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
1)
符号
条件
价值
分钟。
600
-
-
4.1
典型值。
-
1.5
1.9
4.9
马克斯。
-
2.05
-
5.7
单位
V
A
-
-
-
-
-
-
-
8.7
-
40
1000
100
-
nA
S
I
GES
g
fs
R
GINT
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 15 A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=1 5 A
V
摹ê
= 15 V
-
-
-
-
-
860
55
24
87
7
137.5
-
-
-
-
-
-
pF
nC
nH
A
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
5
s
V
C C
= 4 0 0 V,
T
j
= 15 0
°C
-
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
2.1版6月06日
功率半导体
QQ：2881677436 复制
