【B-4801/99IFN6449 ， IFN6450N沟道硅结型场效应晶体管高电压在T绝对最大额定值】,IC型号IFN6449,IFN6449 PDF资料,IFN6449经销商,ic,电子元器件-51电子网

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B-48

01/99

IFN6449 ， IFN6450

N沟道硅结型场效应晶体管

高电压

在T绝对最大额定值

A

= 25C

反向栅源电压

反向栅极漏极电压

连续正向栅电流

连续器件功耗

功率降额

IFN6449

IFN6450

– 100 V

– 100 V

– 300 V

– 200 V

10毫安

10毫安

800毫瓦

800毫瓦

6.4毫瓦/ ° 6.4毫瓦/°C的

在25 ℃的自由空气温度：

静态电气特性

门漏极击穿电压

门源击穿电压

门反向电流

门源截止电压

饱和漏电流（脉冲）

动态电气特性

常见的来源前进

转让透射

共源输出电导

共源输入电容

常见的来源

反向传输电容

| Y

fs

|

g

os

C

国际空间站

C

RSS

V

（ BR ） GDO

V

（ BR ）， GSO

I

GSS

V

GS （ OFF ）

I

DSS

IFN6449

民

– 300

– 100

最大

IFN6450

民

– 200

– 100

– 100

– 100

最大

单位

V

V

nA

A

V

mA

过程NJ42

测试条件

I

G

= - 10 μA ，我

S

= A

I

G

= - 10 μA ，我

D

= A

V

GS

= – 80V, V

DS

= V

V

GS

= – 80V, V

DS

= V

V

DS

= 30V ，我

D

= 4 NA

V

DS

= 30V, V

GS

= V

T

A

= 150°C

–2

2

– 15

10

–2

2

– 15

10

0.5

3

100

10

5

0.5

3

100

10

5

mS

S

pF

pF

V

DS

= 30V, V

GS

= V

V

DS

= 30V, V

GS

= V

V

DS

= 30V, V

GS

= V

V

DS

= 30V, V

GS

= V

F = 1千赫

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

TO39套餐

尺寸以英寸（毫米）

引脚配置

1来源， 2漏， 3门&案例

1000 N.希洛路，花环，TX 75042

(972) 487-1287

传真

(972) 276-3375

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