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01/99
B-39
IF4511
N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 20 V
10毫安
300毫瓦
1.8毫瓦/°C的
- 65 ℃至200 ℃的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
IF4511
民
最大
单位
过程NJ450H
测试条件
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
– 20
– 0.35
5
– 0.1
– 1.5
V
nA
V
mA
I
G
= - 1 μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= V
常见的来源
正向跨导
共源输入电容
常见的来源
反向传输电容
g
fs
C
国际空间站
C
RSS
15
35
8
典型值
mS
pF
pF
V
DS
= 15V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= V
V
DS
= 15V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
相当于短路
输入噪声电压
e
N
1.5
纳伏/赫兹÷
V
DG
= 12V, V
GS
= V
F = 1千赫
TO72套餐
尺寸以英寸（毫米）
引脚配置
1来源， 2漏， 3门， 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
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N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 20 V
10毫安
300毫瓦
1.8毫瓦/°C的
- 65 ℃至200 ℃的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
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民
最大
单位
过程NJ450H
测试条件
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
– 20
– 0.35
5
– 0.1
– 1.5
V
nA
V
mA
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G
= - 1 μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.5 nA的
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DS
= 15V, V
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= V
常见的来源
正向跨导
共源输入电容
常见的来源
反向传输电容
g
fs
C
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15
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典型值
mS
pF
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DS
= 15V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= V
V
DS
= 15V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
相当于短路
输入噪声电压
e
N
1.5
纳伏/赫兹÷
V
DG
= 12V, V
GS
= V
F = 1千赫
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引脚配置
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在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 20 V
10毫安
300毫瓦
1.8毫瓦/°C的
- 65 ℃至200 ℃的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
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民
最大
单位
过程NJ450H
测试条件
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
– 20
– 0.35
5
– 0.1
– 1.5
V
nA
V
mA
I
G
= - 1 μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 15V, V
GS
= V
常见的来源
正向跨导
共源输入电容
常见的来源
反向传输电容
g
fs
C
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C
RSS
15
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8
典型值
mS
pF
pF
V
DS
= 15V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 15V, V
GS
= V
V
DS
= 15V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
相当于短路
输入噪声电压
e
N
1.5
纳伏/赫兹÷
V
DG
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GS
= V
F = 1千赫
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IRKNF180-10GK
IDT7207L12LG
IDT72V72100L15
IDT7133SA70PF
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
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