IDTQS74FCT2240T/AT/CT
高速CMOS 8位缓冲器/线路驱动器
工业温度范围
高速CMOS
8位缓冲器/线路
司机
产品特点：
CMOS功率水平： <7.5mW静
冲钳位二极管在所有输入端
真TTL输入和输出的兼容性
地面反弹控制输出
0 3.5V降低输出摆幅
内置25Ω串联电阻的输出减少反射等
系统噪声
标准型，A和C速度等级与4.1ns吨
PD
对于C
I
OL
= 12毫安
采用SOIC和QSOP封装
IDTQS74FCT2240T/AT/CT
描述：
该IDTQS74FCT2240T是三态8位缓冲器/线路驱动器
输出和一个25Ω的电阻在输出端，用于驱动传输线的有用
并降低系统的噪音。在2240系列的一部分可以代替240系列
以降低噪声的现有设计。所有的输入有钳位二极管的
冲噪声抑制。所有输出都接地反弹suppres-
锡永。输出将不会加载有源总线当VCC从删除
装置。
功能框图
1
G
1
2
G
19
1
A
1
2
18
1
Y
1
2
A
1
11
9
2
Y
1
1
A
2
4
16
1
Y
2
2
A
2
13
7
2
Y
2
1
A
3
6
14
1
Y
3
2
A
3
15
5
2
Y
3
1
A
4
8
12
1
Y
4
2
A
4
17
3
2
Y
4
工业温度范围
1
c
2001年集成设备技术有限公司
2001年1月
DSC-5396/2
IDTQS74FCT2240T/AT/CT
高速CMOS 8位缓冲器/线路驱动器
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 5%
符号
V
IH
V
IL
V
T
I
IH
I
IL
I
OZ
I
OR
V
IC
V
OH
V
OL
R
OUT
参数
输入高电平
输入低电平
输入滞后
输入高电流
输入低电平电流
断态输出电流（高阻）
电流驱动
输入钳位电压
输出高电压
输出低电压
输出电阻
V
CC
=最大。
V
CC
=最小，V
OUT
= 2.0V
(2)
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA ，T
A
= 25
°
C
(2)
V
CC
=最小值。
V
CC
=最小值。
V
CC
=最小值。
I
OH
= -15mA
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 12毫安
0
≤
V
IN
≤
VCC
—
50
—
2.4
—
20
—
—
–0.7
—
—
28
±5
—
–1.2
—
0.5
40
A
mA
V
V
V
测试条件
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
TLH
- V
THL
所有输入
V
CC
=最大。
0
≤
V
IN
＆ LT ; VCC
分钟。
2
—
—
—
典型值。
(1)
—
—
0.2
—
马克斯。
—
0.8
—
±5
单位
V
V
V
A
注意事项：
1.典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25°C.
2.此参数是保证，但未经测试。
电源特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 5%
符号
I
CC
参数
静态电源电流
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
频率= 0
0V
≤
V
IN
≤
0.2V或
Vcc-0.2V
≤
V
IN
≤
VCC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(2)
频率= 0
V
CC
=最大。
输出打开并已启用
一位切换
占空比为50％
在GND或VCC的其他投入
(3,4)
分钟。
—
马克斯。
1.5
单位
mA
I
CC
每输入TTL输入高电平电源电流
—
2
mA
I
CCD
每MHz的输入电源电流
—
0.25
毫安/ MHz的
FCTL
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TLL输入驱动（V
IN
= 3.4V).
3.对于触发器，我
CCD
通过转换器的数据输入引脚之一，以便改变输出每个时钟周期进行测定。这是一个测定
只有和器件的功耗不包括电力来驱动负载电容或电容测试仪。
4. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态电流通过输出转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
3
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