IDTQS3R800
高速CMOS 10位低电阻快速切换
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS 10位低
性与快速切换
预充电输出
产品特点：
2.5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟
冲钳位二极管上的所有开关和控制销
预充电输出电压，以减少在现场的信号失真
插入
TTL兼容的输入和输出电平
零地反弹
采用SOIC和QSOP封装
IDTQS3R800
描述：
该QS3R800是控制的10位高速CMOS总线开关
单个启用（ON）的输入。当
ON
为低电平时，开关导通和端口A是
连接到端口B.当
ON
高，端口A和端口之间的切换
B是开放和B端口被预充电到偏置电压。低导通电阻
该QS3R800的（ 2.5Ω ）允许输入端被连接到输出端，而不
增加传播延迟和不产生额外的噪声。该
QS3R800也预充电B端口到用户可选的偏置电压
最小化活插入噪声，这是虚拟机环境总线的应用是有用的。
该QS3R800的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
功能框图
V
B IAS
A
0
B
0
A
9
B
9
ON
工业温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
1999年11月
DSC-5539/-
IDTQS3R800
高速CMOS 10位低电阻快速切换
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 10%
符号
V
IH
V
IL
V
BIAS
I
O
I
IN
I
OZ
R
ON
R
ON
参数
输入高电压
输入低电压
偏压
偏置电流
输入漏电流（控制输入）
断态电流（高阻）
开关导通电阻
(2)
开关导通电阻
(2)
测试条件
为控制引脚保证逻辑高电平
为控制引脚保证逻辑低电平
VCC = 5V
VCC = 4.5V ，V
BIAS
= 2.4V, V
O
= 0,
ON
=高
0V
≤
V
IN
≤
VCC
0V
≤
V
OUT
≤
VCC
VCC =最小，V
IN
= 0V时，我
ON
= 30毫安
VCC =最小，V
IN
= 2.4V ，我
ON
= 15毫安
分钟。
2
—
1.3
0.25
—
—
—
—
典型值。
(1)
—
—
—
—
—
—
2.5
4
马克斯。
—
0.8
VCC
—
±1
±1
5
8.5
单位
V
V
V
mA
A
A
注意事项：
1.典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25°C.
2.在输入/输出泄漏，测试所有引脚都在高温或低温状态。
典型导通电阻与V
IN
在V
CC
= 5V
16
R
ON
（欧姆）
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
IN
（伏）
3
IDTQS3R800
高速CMOS 10位低电阻快速切换
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每个控制输入高功率电源电流
每MHz的动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或VCC ， F = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V
(3)
, f = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路
数据输入= GND
控制输入切换，在占空比为50％
典型值。
(2)
0.2
—
—
马克斯。
3
2.5
0.25
单位
A
mA
毫安/ MHz的
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25°C.
3.每TLL输入驱动（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
4.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。在A
和B输入端不产生显著交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 10%
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500Ω ，除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
数据传输延迟
(2, 3)
A到B或B到A
开关导通延迟
ON
为A或B
开关关断延迟
(2)
ON
为A或B
分钟。
(1)
—
1.5
1.5
典型值。
—
—
—
马克斯。
0.12
7.5
6.5
单位
ns
ns
ns
注意事项：
1.保证最低金额，但未经测试。
2.此参数是保证，但未经测试
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间
常数为单独的开关是0.12ns为50pF的秩序。由于该时间常数比上升小得多和下降典型驱动次数
的信号，它增加了很少的传播延迟的系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，由驱动决定的
电路上的开关的驱动侧和其上的从动侧的负载相互作用。
4
IDTQS3R800
高速CMOS 10位低电阻快速切换
工业温度范围
订购信息
IDTQS
XXXXX
设备类型
XX
包
X
过程
空白
工业级（-40° C至+ 85°C ）
SO
Q
小外形集成电路（ SO24-2 ）
四分之一尺寸封装（ SO24-8 ）
3R800
高速CM OS的10位低电阻
快速切换与预充电输出
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉， CA 95054
销售：
800-345-7015或408-727-6116
传真： 408-492-8674
www.idt.com *
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IDT标志，快速切换，并SynchroSwitch注册为Integrated Device Technology ， Inc.的商标。
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