IDTQS32XVH2245
2.5V / 3.3V 16位，高带宽总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
2.5V / 3.3V 16位高
带宽总线开关
IDTQS32XVH2245
产品特点：
N沟道FET开关无寄生二极管， V
CC
- 断电条件下隔离
- 无直流通路到V
CC
或GND
- 5V宽容OFF和ON状态
耐5V的I / O
平
ON
超过工作范围的特点
轨到轨开关0 - 5V
双向数据流以接近零延迟：无添加地
BOUNCE
优秀的研发
ON
匹配之间的通道
V
CC
操作： 2.3V至3.6V
高带宽
LVTTL兼容控制输入
所有开关和控制输入冲钳位二极管
低I / O电容， 4PF典型
25Ω电阻低噪音和线路匹配
提供40引脚封装QVSOP
描述：
该QS32XVH2245 HotSwitch是一个高带宽， 16位总线开关。该
QS32XVH2245 ，与25Ω的导通电阻和1.35ns传播延迟，是
理想的线路匹配，低噪声环境。该开关可以打开
ON的LVTTL兼容输出的控制下使能（ OEX ）信号
双向数据流，没有额外的延迟或接地反弹。在ON状态，
该交换机可以通过信号至5V 。在OFF状态下，交换机提供了非常
高阻抗的终端。
小的传播延迟，高截止阻抗，并且该组合
过电压耐受能力，使QS32XVH2245适用于热插拔
应用程序。
该QS32XVH2245的特点是操作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
应用范围：
热插拔
低失真模拟开关
替代机械式继电器
ATM 155分之25开关
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
OE
1
B
0
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
OE
2
B
8
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
B
9
B
10
B
11
B
12
B
13
B
14
B
15
工业温度范围
1
c
2003集成设备技术有限公司
2003年3月
DSC-5777/10
IDTQS32XVH2245
2.5V / 3.3V 16位，高带宽总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
电源电流
(2,3)
每输入HIGH
每个输出动态电源电流
使能控制输入
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3V ， F = 0元控制输入
切换@ 50 ％占空比
分钟。
—
—
典型值。
2
—
马克斯。
6
30
单位
mA
A
V
CC
= 3.3V ， A和B引脚开路，控制输入见典型I
CCD
VS启用下面的频图
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每个输入在指定的电平来驱动。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
3.此参数是保证，但未经测试。
4.该参数表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不利于动态电源
电流。此参数是保证，但未经生产测试。
典型的我
CCD
ENABLE VS频率曲线在V
CC
= 3.3V
12
10
8
I
CCD
（MA ）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ENABLE频率（MHz）
4
IDTQS32XVH2245
2.5V / 3.3V 16位，高带宽总线开关
工业温度范围
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CC
= 2.5 ± 0.2V
(1)
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
f
OEX
参数
数据传输延迟
(2,3)
AX /从Bx的
开关导通延迟
OEX
到AX / Bx的
开关关断延迟
OEX
到AX / Bx的
工作频率 - 启用
(2,5)
民
.
(4)
V
CC
= 3.3 ± 0.3V
(1)
民
.
(4)
1.5
1.5
马克斯。
1.35
8
7.5
20
单位
ns
ns
ns
兆赫
马克斯。
0.9
9
7.5
10
1.5
1.5
注意事项：
根据测试电路和波形1.见测试条件。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为1.35ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
4.最低金额的保证，但未经生产测试。
5.最大切换频率
OEX
控制输入（通过电压> V
CC
, V
IN
= 5V ，R
负载
≥
1MΩ ，没有C
负载
).
5
IDTQS32XVH2245
2.5V / 3.3V 16位，高带宽总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
2.5V / 3.3V 16位高
带宽总线开关
IDTQS32XVH2245
产品特点：
N沟道FET开关无寄生二极管， V
CC
- 断电条件下隔离
- 无直流通路到V
CC
或GND
- 5V宽容OFF和ON状态
耐5V的I / O
平
ON
超过工作范围的特点
轨到轨开关0 - 5V
双向数据流以接近零延迟：无添加地
BOUNCE
优秀的研发
ON
匹配之间的通道
V
CC
操作： 2.3V至3.6V
高带宽
LVTTL兼容控制输入
所有开关和控制输入冲钳位二极管
低I / O电容， 4PF典型
25Ω电阻低噪音和线路匹配
提供40引脚封装QVSOP
描述：
该QS32XVH2245 HotSwitch是一个高带宽， 16位总线开关。该
QS32XVH2245 ，与25Ω的导通电阻和1.35ns传播延迟，是
理想的线路匹配，低噪声环境。该开关可以打开
ON的LVTTL兼容输出的控制下使能（ OEX ）信号
双向数据流，没有额外的延迟或接地反弹。在ON状态，
该交换机可以通过信号至5V 。在OFF状态下，交换机提供了非常
高阻抗的终端。
小的传播延迟，高截止阻抗，并且该组合
过电压耐受能力，使QS32XVH2245适用于热插拔
应用程序。
该QS32XVH2245的特点是操作温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
应用范围：
热插拔
低失真模拟开关
替代机械式继电器
ATM 155分之25开关
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
OE
1
B
0
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
OE
2
B
8
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
B
9
B
10
B
11
B
12
B
13
B
14
B
15
工业温度范围
1
c
2003集成设备技术有限公司
2003年3月
DSC-5777/10
IDTQS32XVH2245
2.5V / 3.3V 16位，高带宽总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
电源电流
(2,3)
每输入HIGH
每个输出动态电源电流
使能控制输入
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3V ， F = 0元控制输入
切换@ 50 ％占空比
分钟。
—
—
典型值。
2
—
马克斯。
6
30
单位
mA
A
V
CC
= 3.3V ， A和B引脚开路，控制输入见典型I
CCD
VS启用下面的频图
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每个输入在指定的电平来驱动。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
3.此参数是保证，但未经测试。
4.该参数表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不利于动态电源
电流。此参数是保证，但未经生产测试。
典型的我
CCD
ENABLE VS频率曲线在V
CC
= 3.3V
12
10
8
I
CCD
（MA ）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
ENABLE频率（MHz）
4
IDTQS32XVH2245
2.5V / 3.3V 16位，高带宽总线开关
工业温度范围
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CC
= 2.5 ± 0.2V
(1)
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
f
OEX
参数
数据传输延迟
(2,3)
AX /从Bx的
开关导通延迟
OEX
到AX / Bx的
开关关断延迟
OEX
到AX / Bx的
工作频率 - 启用
(2,5)
民
.
(4)
V
CC
= 3.3 ± 0.3V
(1)
民
.
(4)
1.5
1.5
马克斯。
1.35
8
7.5
20
单位
ns
ns
ns
兆赫
马克斯。
0.9
9
7.5
10
1.5
1.5
注意事项：
根据测试电路和波形1.见测试条件。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为1.35ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
4.最低金额的保证，但未经生产测试。
5.最大切换频率
OEX
控制输入（通过电压> V
CC
, V
IN
= 5V ，R
负载
≥
1MΩ ，没有C
负载
).
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