IDTQS32245
高速CMOS快速切换8位总线开关
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS
快速切换
8位总线开关
.EATURES ：
增强型N沟道场效应管，没有内在二极管到Vcc
5Ω双向开关连接输入输出
引脚与74F245 ， 74FCT245和74FCT245T兼容
低功耗CMOS专利技术
零传播延迟，零地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制输入
25Ω电阻低噪音
TTL兼容控制输入
采用SOIC ， QSOP和TSSOP封装
IDTQS32245
描述：
该QS32245提供了一组8个高速CMOS TTL兼容
总线开关的引脚排列兼容74FCT245 ， 74F245 ， 74ALS / AS /
LS245的8位收发器。输出使能（ OE ）信号开启开关
关于类似于
OE
该74'245的信号。该QS32245具有25Ω系列
电阻器，以减少地面反弹噪声。
快速切换装置提供了数量级的速度比订单
常规的逻辑器件。
该QS32245的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
应用范围：
热交换，热对接
电压转换（ 5V至3.3V ）
节能
减小电容和隔离
逻辑的替代品（数据处理）
时钟门控
总线开关和隔离
.UNCTIONAL框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
OE
B
0
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
c
2002年集成设备技术有限公司
2002年3月
DSC-5748/1
IDTQS32245
高速CMOS快速切换8位总线开关
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ±5%
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
OZ
R
ON
(3)
V
P
参数
输入高电平
输入低电平
断态输出电流（高阻）
开关导通电阻
通电压
(2)
测试条件
为控制引脚保证逻辑高电平
为控制引脚保证逻辑低电平
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
，开关OFF
V
CC
=最小，V
IN
= 0V时，我
ON
= 30毫安
V
CC
=最小，V
IN
= 2.4V ，我
ON
=15mA
V
IN
= V
CC
= 5V ，我
OUT
= -5A
分钟。
2
—
—
—
18
18
3.7
典型值。
(1)
—
—
—
±0.001
23
25
4
马克斯。
—
0.8
±1
±1
35
40
4.2
单位
V
V
A
A
V
输入LeakageCurrent （控制输入）
(2)
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
注意事项：
1.典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25°C.
2.通过电压保证，但未经生产测试。
3. R
OUT
改变3月8日， 2002年见后面页面了解更多信息。
典型导通电阻与V
IN
在V
CC
= 5V
80
R
ON
（欧姆）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
IN
（伏）
3
IDTQS32245
高速CMOS快速切换8位总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每个控制输入高功率电源电流
(2)
每MHz的动态电源电流
(3)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或VCC ， F = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ， F = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路
控制输入切换，在占空比为50％
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TLL输入驱动（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A和B引脚不利于
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不产生显著
交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
马克斯。
3
1.5
0.25
单位
A
mA
毫安/ MHz的
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ± 5%;
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500Ω ，除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
数据传输延迟
(2,3)
一个向/从Bn的
开关导通延迟
OE
以一个/ BN
开关关断延迟
(2)
OE
以一个/ BN
0.5
—
4.5
ns
参数
分钟。
(1)
—
0.5
典型值。
—
—
马克斯。
1.25
6.6
单位
ns
ns
注意事项：
1.
最低要求是保证，但未经生产测试。
2.
此参数是保证，但未经生产测试。
3.
根据总线开关有助于无传播延迟比开关的接通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为1.25ns的对C的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟，以
该系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，通过与负载的开关的驱动侧的驱动电路和其相互作用所决定
在驱动侧。
4
IDTQS32245
高速CMOS快速切换8位总线开关
工业温度范围
订购IN.ORMATION
IDTQS XXXXX
设备类型
XX
包
X
过程
空白
工业级（-40° C至+ 85°C ）
SO
Q
PA
小外形集成电路
四分之一大小外形包装
超薄紧缩小型封装
32245
高速CMOS快速切换，8位总线开关
按照PCN L0201-02 ，输出电阻（R
ON
）的规格已经改变为3月8日， 2002年原规格分别为：
参数
R
ON
描述
V
CC
=最小，V
IN
= 0V时，我
ON
= 30毫安
V
CC
=最小，V
IN
= 2.4V ，我
ON
= 15毫安
分钟。
20
20
典型值。
28
35
马克斯。
40
48
单位
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉， CA 95054
销售：
800-345-7015或408-727-6116
传真： 408-492-8674
www.idt.com
对于技术支持：
logichelp@idt.com
(408) 654-6459
5
QQ：2880707522 复制
