128K ×24三兆
3.3V CMOS静态RAM
IDT7MMV4101
x
x
特点
高密度的3兆3.3V静态RAM
低调119领先， 14毫米X 22毫米
BGA （球栅阵列）
快速内存访问时间： 10,12,15ns
单3.3V电源
多的Vcc & GND引脚最大噪声抗扰度
输入/输出直接LVTTL兼容
商用（ 0
O
C至+70
O
C）工业（ -40
O
C至+ 85
O
C)
温度选项
- 商用10/ 12月15日NS
- 工业： 12月15日NS
描述
该IDT7MMV4101是一种构成的三兆的静态RAM
使用三个3.3V多层层压基板， 128K ×8 （ IDT71V124 ）
静态随机存取存储器封装在球栅阵列（BGA） 。
该IDT7MMV4101封装在一个塑料的BGA 。 BGA的组态
配给允许119导到由22毫米被放置在一个包14毫米。在一
最大为3.5mm高，这种低调的表面贴装封装的理想
超密集系统。
在IDT7MMV4101的所有输入和输出都是LVTTL兼容
采用3.3V单电源供电。全异步电路需要
无时钟或刷新操作，并提供平等的接入和周期
时代的易用性。
x
x
x
x
x
引脚名称
I / O
0
-
23
A
0
-
16
CS
WE
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
动力
地
无连接
4083 TBL 01
功能框图
A
0-16
CS
WE
OE
17
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
8
8
8
,
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
4083 DRW 01
引脚配置
7
NC
NC
A8
A7
CS
A6
A5
I/O0
NC
NC
NC
NC
NC
I/O1
VCC
的I / O 2 -I / O3
I / O4 I / O5 NC
I / O6 I / O7 I / O8 I / O9 I / O10
I / O11 NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
6 A4
5 A3
4 A2
3 A1
2 A0
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC
A12 A16
A11 A15
WE OE
A10 A14
A9
A13
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND
GND
GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND
VCC
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC
,
1 NC数控
A
B
I / O12 I / O13 I / O14 I / O15 I / O16 I / O17 NC I / O18 I / O19 I / O20 I / O21 I / O22 I / O23 NC数控
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
4083 DRW 02
顶视图
1
2003集成设备技术有限公司
2003年1月
DSC-4083/05
IDT7MMV4101
128K ×24三兆3.3V CMOS静态RAM
商用和工业温度范围
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
20
10
单位
pF
pF
4083 TBL 02
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I / O
高-Z
数据
OUT
数据
IN
高-Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
4083 TBL 04
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
(1)
V
CC
(2)
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
-0.3
(3)
典型值。
3.3
3.3
0
____
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
单位
V
V
V
V
V
4083 TBL 03
等级
电源电压
相对于GND
广告
-0.5到+4.6
产业
-0.5到+4.6
单位
V
V
°C
°C
°C
mA
4083 TBL 05
马克斯。
3.6
3.6
0
V
CC
+ 0.3
(4)
0.8
V
TERM
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
端子电压-0.5到V
CC
+0.5 -0.5到V
CC
+0.5
对于GND
操作
温度
温度
在偏置
储存温度
直流输出电流
0至+70
-10至+85
-55到+125
50
-40至+85
-10至+85
-55到+125
50
____
注意事项：
1.对于7MMV4101S10BG只。
2.对所有速度等级，除了7MMV4101S10BG 。
3. V
IL
（分钟） = -1.5V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
4. V
IH
（最大值） -
V
CC + 1.5V的脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V ±10%)
符号
II
LI
I
II
LO
I
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
＆ GT ; V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC,
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
____
马克斯。
15
5
0.4
____
单位
A
A
V
V
4083 TBL 06
____
____
2.4
-10
(1)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
工作动态
当前
待机功耗
电源电流
全部备用电源
电源电流
测试条件
V
CC
=最大，
CS
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
，输出打开
V
CC
=最大，
CS
＆ GT ; V
IH
,
f = f
最大
，输出打开
CS
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ， F = 0
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或0.2V <
马克斯。
295
95
10
-12
马克斯。
275
85
10
-15
马克斯。
255
85
10
单位
mA
mA
mA
4083 TBL 07
注意事项：
只有1.商业温度， VCC = -5％ + 10 ％ 。
2
128K ×24三兆
3.3V CMOS静态RAM
IDT7MMV4101
x
x
特点
高密度的3兆3.3V静态RAM
低调119领先， 14毫米X 22毫米
BGA （球栅阵列）
快速内存访问时间： 10,12,15ns
单3.3V电源
多的Vcc & GND引脚最大噪声抗扰度
输入/输出直接LVTTL兼容
商用（ 0
O
C至+70
O
C）工业（ -40
O
C至+ 85
O
C)
温度选项
- 商用10/ 12月15日NS
- 工业： 12月15日NS
描述
该IDT7MMV4101是一种构成的三兆的静态RAM
使用三个3.3V多层层压基板， 128K ×8 （ IDT71V124 ）
静态随机存取存储器封装在球栅阵列（BGA） 。
该IDT7MMV4101封装在一个塑料的BGA 。 BGA的组态
配给允许119导到由22毫米被放置在一个包14毫米。在一
最大为3.5mm高，这种低调的表面贴装封装的理想
超密集系统。
在IDT7MMV4101的所有输入和输出都是LVTTL兼容
采用3.3V单电源供电。全异步电路需要
无时钟或刷新操作，并提供平等的接入和周期
时代的易用性。
x
x
x
x
x
引脚名称
I / O
0
-
23
A
0
-
16
CS
WE
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
动力
地
无连接
4083 TBL 01
功能框图
A
0-16
CS
WE
OE
17
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
128K ×8
SRAM
8
8
8
,
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
4083 DRW 01
引脚配置
7
NC
NC
A8
A7
CS
A6
A5
I/O0
NC
NC
NC
NC
NC
I/O1
VCC
的I / O 2 -I / O3
I / O4 I / O5 NC
I / O6 I / O7 I / O8 I / O9 I / O10
I / O11 NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
6 A4
5 A3
4 A2
3 A1
2 A0
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC
A12 A16
A11 A15
WE OE
A10 A14
A9
A13
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND
GND
GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND
VCC
GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC GND VCC
,
1 NC数控
A
B
I / O12 I / O13 I / O14 I / O15 I / O16 I / O17 NC I / O18 I / O19 I / O20 I / O21 I / O22 I / O23 NC数控
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
4083 DRW 02
顶视图
1
2003集成设备技术有限公司
2003年1月
DSC-4083/05
IDT7MMV4101
128K ×24三兆3.3V CMOS静态RAM
商用和工业温度范围
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
20
10
单位
pF
pF
4083 TBL 02
真值表
模式
待机
读
写
输出禁用
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I / O
高-Z
数据
OUT
数据
IN
高-Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
4083 TBL 04
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
(1)
V
CC
(2)
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
-0.3
(3)
典型值。
3.3
3.3
0
____
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
单位
V
V
V
V
V
4083 TBL 03
等级
电源电压
相对于GND
广告
-0.5到+4.6
产业
-0.5到+4.6
单位
V
V
°C
°C
°C
mA
4083 TBL 05
马克斯。
3.6
3.6
0
V
CC
+ 0.3
(4)
0.8
V
TERM
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
端子电压-0.5到V
CC
+0.5 -0.5到V
CC
+0.5
对于GND
操作
温度
温度
在偏置
储存温度
直流输出电流
0至+70
-10至+85
-55到+125
50
-40至+85
-10至+85
-55到+125
50
____
注意事项：
1.对于7MMV4101S10BG只。
2.对所有速度等级，除了7MMV4101S10BG 。
3. V
IL
（分钟） = -1.5V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
4. V
IH
（最大值） -
V
CC + 1.5V的脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V ±10%)
符号
II
LI
I
II
LO
I
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
＆ GT ; V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC,
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
____
马克斯。
15
5
0.4
____
单位
A
A
V
V
4083 TBL 06
____
____
2.4
-10
(1)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
工作动态
当前
待机功耗
电源电流
全部备用电源
电源电流
测试条件
V
CC
=最大，
CS
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
，输出打开
V
CC
=最大，
CS
＆ GT ; V
IH
,
f = f
最大
，输出打开
CS
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ， F = 0
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或0.2V <
马克斯。
295
95
10
-12
马克斯。
275
85
10
-15
马克斯。
255
85
10
单位
mA
mA
mA
4083 TBL 07
注意事项：
只有1.商业温度， VCC = -5％ + 10 ％ 。
2
QQ：2880707522 复制
