512K ×8
CMOS静态RAM模块
集成设备技术有限公司
IDT7MB4048
产品特点：
高密度的4兆位（ 512K ×8）静态RAM模块
快速存取时间： 25ns的（最大）
表面贴装塑料封装的32引脚， 600万
FR- 4基板DIP
单5V （ ± 10 ％ ）电源
输入/输出直接TTL兼容
描述：
该IDT7MB4048是4兆位（ 512K ×8）静态RAM
在多层环氧层压构造模块（ FR-4）
基板使用四个1兆位的SRAM和一个解码器。该
IDT7MB4048 ，请访问倍的速度为25ns 。
该IDT7MB4048封装在32脚的FR-4的DIP所得
在一个包1.6英寸长， 0.6 JEDEC的足迹
英寸宽。
在IDT7MB4048的所有输入和输出为TTL -的COM
从单一5V电源兼容和操作。充分asynchro-
理性电路不需要时钟或刷新操作和
提供平等的机会和周期时间的易用性。
引脚配置
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
功能框图
VCC
A
15
A
17
A
13
A
8
A
9
A
11
A
10
地址
19
512K ×8
内存
WE
OE
CS
WE
OE
CS
8
I / O
2675 DRW 02
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
2675 DRW 01
DIP
顶视图
引脚名称
I / O
0-7
A
0-18
数据输入/输出
地址
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
动力
地
2675 TBL 01
CS
WE
OE
V
CC
GND
IDT标志是集成设备技术公司的注册商标。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
1995年12月
DSC-2675/6
7.11
1
IDT7MB4048
512K ×8 CMOS静态RAM模块
商业级温度范围
真值表
模式
待机
读
读
写
绝对最大额定值
(1)
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
产量
高-Z
D
OUT
高-Z
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
2675 TBL 02
符号
V
TERM
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7.0
单位
V
T
A
T
BIAS
T
英镑
0至+70
-10至+85
-55到+125
50
°C
°C
°C
mA
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
第（三）
C
OUT
参数
输入电容
输入电容（
CS
)
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
（典型值） 。单位
35
8
35
pF
pF
pF
2675 TBL 03
I
OUT
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
注意：
2675 TBL 05
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
建议的直流工作条件推荐工作
符号
参数
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
温度和电源电压
V
CC
GND
V
IH
V
IL
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
5
0
—
—
5.5
0
6
0.8
V
V
V
V
2675 TBL 04
GRADE
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
5V
±
10%
2675 TBL 06
注意：
1. V
IL
= -2.0V脉冲宽度小于10ns的。
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
7MB4048SxxP
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
输入漏
输出漏
输出低电压
输出高电压
动态工作电流
待机电源电流
（ TTL电平）
全待机电源电流
（ CMOS电平）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最小值，我
OL
= 8毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -1mA
V
CC
=最大，
CS
≤
V
IL
; f = f
最大
,
输出打开
分钟。
—
—
—
2.4
—
MAX 。 UNIT
8
8
0.4
—
480
250
170
A
A
V
V
mA
mA
mA
2675 TBL 07
CS
≥
V
IH
, V
CC
=最大值，女= F
最大
,
输出打开
—
CS
≥
V
CC
- 0.2V, V
IN
≥
V
CC
- 0.2V
or
≤
0.2
—
7.11
2
IDT7MB4048
512K ×8 CMOS静态RAM模块
商业级温度范围
时序波形写周期NO 。 1 （
WE
控制时序）
(1, 2, 3, 7)
t
WC
地址
OE
t
AW
CS
t
AS
t
WP
(7)
t
WR
WE
t
WHZ
t
OHZ
数据
OUT
(4)
(6)
(6)
t
OHZ
t
OW （ 6 ）
(4)
(6)
t
DH
t
DW
数据
IN
数据有效
2675 DRW 09
时序波形写周期NO 。 2 （
CS
控制时序）
(1, 2, 3, 5)
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS
t
CW
t
WR
WE
t
DW
数据
IN
数据有效
2675 DRW 10
t
DH
注意事项：
1.
WE
or
CS
必须在所有的地址转换为高。
2.在重叠（ T A写操作
WP
）低
CS
和一个低
WE
.
3. t
WR
是从较早的测量
CS
or
WE
变高到写周期的结束。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，并且输入信号必须不被应用。
5.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.转换测量
±200mV
从稳态具有5pF的负载（包括范围和夹具） 。此参数由设计保证，但未经测试。
7.如果
OE
为低电平期间
WE
控制的写入周期中，写入脉冲宽度必须吨的大
WP
或（T
WHZ
+ t
DW
），允许I / O驱动程序，关闭和数据
被放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期，这一要求并不适用，写脉冲可
短至指定吨
WP
.
7.11
5
QQ：2880707522 复制
