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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第428页 > IDT7M1024S20G
4K ×36的BiCMOS
同步双端口
静态RAM模块
集成设备技术有限公司
IDT7M1024
产品特点:
高密度的4K ×36同步双端口SRAM
模块
基于双口RAM的细胞结构
- 允许从两个端口同时全面接入
同步操作
- 为4ns设置时钟, 1ns的持有所有控制,数据和
地址输入
- 数据输入,地址和控制寄存器
- 快速20ns的时钟到数据输出
- 自定时写允许快速的写周期
时钟使能功能
单5V ( ± 10 % )电源
多GND引脚和去耦电容的马克西 -
妈妈噪声抗扰度
输入/输出直接TTL兼容
描述:
该IDT7M1024是4K ×36位高速同步
在共烧胶结双端口静态RAM模块构造
使用四个IDT7099 ( 4K ×9 )的双端口RAM RAMIC基板。
该IDT7M1024模块被设计为可使用,或是作为单机
单独的36位双端口静态RAM 。
该IDT7M1024提供了一个真正的同步双端口
静态RAM接口。注册的输入提供很短
建立时间和保持时间的地址,数据和所有关键控制
输入。所有内部寄存器的时钟频率上的上升沿
时钟信号。异步输出使能提供
缓解异步总线接口。
内部写脉冲宽度无关的高的
和低电平的时钟的周期。这允许最短
可能实现的周期时间。时钟使能输入是亲
单元提供了失速的地址和数据输入的操作
不引入时钟偏移非常快的寄存器间
阔叶存储器应用。
输入的数据被选通,以控制片上噪声在总线型
应用程序。用户必须保证读/
W
引脚
低至少一个时钟周期之前的任何写操作尝试。
一个高高的
CE
输入一个时钟周期将关闭电源的
内部电路,以降低静态功耗。
该IDT7M1024模块封装在一个142引脚的陶瓷
功能框图
L_CLK
L_
CLKEN
L
L_
CE
L
L_
OE
L
L_A
0 – 11
L_I / O
0 – 8
L_ R /
W
0
IDT7099
4K ×9
R_CLK
R_
CLKEN
L
R_
CE
L
R_
OE
L
R- á
0 – 11
R_I / O
0 – 8
R_ R/
W
0
L_I / O
9 – 17
L_ R /
W
1
L_
CE
H
L_
OE
H
L_I / O
18 – 26
L_ R /
W
2
L_
CLKEN
H
L_I / O
27 – 35
IDT7099
4K ×9
L_ R /
W
3
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
R_I / O
9 – 17
IDT7099
4K ×9
R_ R/
W
1
R_
CE
H
R_
OE
H
R_I / O
18 – 26
R_ R/
W
2
R_
CLKEN
H
R_I / O
27 – 35
IDT7099
4K ×9
R_ R/
W
3
2809 DRW 01
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年3月
DSC-2809/6
7.4
1
IDT7M1024
4K ×36的BiCMOS同步双端口静态RAM模块
军用和商用温度范围
PGA (引脚网格阵列) 。
所有IDT军事模块与semiconduc-构建
器组件的制造符合最新的
MIL - STD-883标准的修订, B类使它们非常适用于
为要求苛刻的最高性能级别的应用
和可靠性。
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
GND
L_I/O4
L_I/O8
L_I/O9
L_I/O12
L_I/O13
GND
L_I/O14
L_I/O15
L_I/O20
L_I/O21
L_I/O23
GND
2
L_I/O3
L_I/O5
VCC
L_I/O10
L_
CE
L
L_
OE
L
L_R /
W
0
L_R /
W
2
L_I/O16
L_I/O19
VCC
L_I/O24
L_I/O26
3
L_I/O2
L_I/O6
L_I/O7
L_I/O11
L_
CE
H
L_
OE
H
L_R /
W
1
L_R /
W
3
L_I/O17
L_I/O18
L_I/O22
L_I/O25
L_I/O27
4
GND
L_A2
GND
L_A3
L_A4
L_A5
GND
L_A6
L_A7
GND
L_A8
L_I/O29
L_I/O28
L_A10
L_A9
L_I/O30
GND
L_A11
L_I/O31
L_I/O32
L_I/O33
GND
R_I/O35
L_I/O35
L_I/O34
R_A11
R_I/O34
R_I/O33
R_I/O32
R_A10
R_I/O30
R_I/O31
5
L_I/O1
L_A1
L_
CLKEN
L
6
L_I/O0
L_A0
L_
CLKEN
H
7
GND
L_CLK
R_CLK
8
R_I/O0
R_A0
9
R_I/O1
R_A1
10
GND
R_A2
GND
R_A4
R_A5
R_A6
GND
R_A7
R_A8
GND
R_A9
R_I/O29
R_I/O28
11
R_I/O2
R_I/O6
R_I/O7
R_I/O11
R_
CE
H
R_
OE
H
R_R/
W
1
R_R/
W
3
R_I/O17
R_I/O18
R_I/O22
R_I/O25
R_I/O27
12
R_I/O3
R_I/O5
VCC
R_I/O10
R_
CE
L
R_
OE
L
R_R/
W
0
R_R/
W
2
R_I/O16
R_I/O19
VCC
R_I/O24
R_I/O26
13
GND
R_I/O4
R_I/O8
R_I/O9
R_I/O12
R_I/O13
GND
R_I/O14
R_I/O15
R_I/O20
R_I/O21
R_I/O23
GND
2809 DRW 02
R_
CLKEN
R_
CLKEN
L
GND
GND
R_A3
GND
引脚名称
左侧端口
L_R /
W
0-3
L_
OE
L,H
L_
CE
L,H
L_CLK
L_A
0-11
L_I / O
0-35
V
CC
GND
正确的端口
R_R/
W
0-3
R_
OE
L,H
R_
CE
L,H
R_CLK
R- á
0-11
R_I / O
0-35
名字
字节读取/写入启用
字输出启用
一句话芯片使
字时钟启用
时钟输入
地址输入
数据输入/输出
动力
2809 TBL 01
L_
CLKEN
L,H
R_
CLKEN
L,H
7.4
2
IDT7M1024
4K ×36的BiCMOS同步双端口静态RAM模块
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
关于
GND
端电压
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
军事
单位
V
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2809 TBL 03
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-0.5到V
CC
0至+70
-0.5到V
CC
V
-55到+125
°C
广告
-55到+125 -65到+135
°C
-55到+125 -65到+150
°C
50
50
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
2809 TBL 04
注意事项:
2809 TBL 02
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明,在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.输入和唯一的Vcc端子。
注意:
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于20ns 。
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0MH
Z
)
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
MAX 。 UNIT
50
15
pF
pF
2809 TBL 05
真值表
事实表一:读/写控制
(1)
输入
同步
CLK
异步
R/
W
h
l
l
h
h
输出
I / O
0-35
高-Z
数据
IN
数据
IN
数据
OUT
高-Z
模式
取消选择,断电,数据I / O残疾人
取消选择,断电,数据输入启用
数据I / O禁用
2809 TBL 06
u
u
u
u
u
CE
h
h
l
l
l
OE
X
X
X
L
H
真值表II :
时钟使能功能表
(1)
输入
经营模式
加载'1'
负载'0'
持有(做什么)
CLK
注册输入
寄存器输出
ADDR
H
L
N / C
N / C
数据
OUT
H
L
N / C
N / C
u
u
u
X
CLKEN
l
l
h
H
ADDR
h
l
X
X
数据
IN
h
l
X
X
注意:
2809 TBL 07
1. H =高电压电平的稳定状态中,h =高电压电平的一个建立时间之前的低到高的时钟转变中,L =低电压电平的稳定状态
L =低电平一个建立时间之前低到高时钟转换,X =无关, N / C =无变化
7.4
3
IDT7M1024
4K ×36的BiCMOS同步双端口静态RAM模块
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7M1024
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
2.4
马克斯。
40
10
0.4
单位
A
A
V
V
2809 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT7M1024SxxG , IDT7M1024SxxGB
–20
符号参数
动态
I
CC
操作
电流(两个
端口激活)
待机
I
SB1
电流(两个
端口-TTL
电平输入)
待机
I
SB2
电流(一
端口TTL
电平输入)
I
SB3
全备
电流(两个
端口-CMOS
电平输入)
I
SB4
全备
电流(一
港CMOS
电平输入)
–25
典型值。
马克斯。
1480
1360
680
640
1080
1000
80
80
1040
960
典型值。
–30
马克斯。
1440
560
1000
80
960
mA
mA
mA
mA
单位
mA
测试条件
VERSION
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
典型值。马克斯。
1440
720
1080
80
1040
CE
V
IL
输出打开
F = FM
AX
(1)
L_
CE
R_
CE
V
IH
F = FM
AX
(1)
L_
CE
或R_
CE
V
IH
活动端口
输出打开,
F = FM
AX
(1)
两个端口R_
CE
和L_
CE
V
CC
– 0.2V
V
IN
V
CC
– 0.2V
或V
IN
0.2V , F = 0
(2)
一个端口L_
CE
或R_
CE
V
CC
– 0.2V, V
IN
V
CC
– 0.2V
或V
IN
0.2V ,主动港
输出开路, F = FM
AX
(1)
注意事项:
2809 TBL 09
1.在f = FM
AX
,地址和控制线(除输出使能)被循环以1 /器tCLK的最大频率的时钟周期,并使用“ AC测试
条件GND的输入电平的“到3V 。
2, F = 0表示无地址,时钟,控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
7.4
4
IDT7M1024
4K ×36的BiCMOS同步双端口静态RAM模块
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1 ,图2和3
2809 DRW 03
2909 TBL 10
数据
OUT
ZO = 50Ω
50
1.5V
图1.输出负载
5V
8
7
1250
6
数据
OUT
775
5pF*
TAA
5
(典型, NS )
4
3
2
1
2809 DRW 04
图2.输出负载(在t
CLZ
, t
CHZ
, t
OLZ
和叔
OHZ
)
*包括范围和夹具。
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
电容(pF)
2809 DRW 05
图3.集总容性负载,典型的降额
交流电气在整个工作温度范围特性 -
(读取和写入周期时序)
(商业: V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;军事: V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125°C )
7M1024SxxG , 7M1024SxxGB
–20
符号
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
CQV
t
RSU
t
RHD
t
COH
t
CLZ
t
CHZ
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
CSU
t
CHD
t
CWDD
参数
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟高到输出有效
注册的信号建立时间
注册的信号保持时间
数据输出保持时钟高后
钟高输出低Z
钟高输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能到输出低-Z
输出禁止输出高阻
时钟使能,禁止建立时间
时钟启用,禁用保持时间
写端口时钟高读取数据的延迟
分钟。马克斯。
20
8
8
5
2
3
2
2
0
5
3
20
9
10
9
35
–25
25
10
10
6
2
3
2
2
0
6
3
25
12
12
11
45
30
12
12
7
2
3
2
2
0
7
3
–30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2809 TBL 11
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
30
15
15
14
55
端口到端口延迟
7.4
5
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