集成设备技术有限公司
128K ×8
64K ×8
CMOS双端口
静态RAM模块
描述：
IDT7M1001
IDT7M1003
特点
高密度1M / 512K CMOS双端口静态RAM
模块
快速访问次数：
- 商用35 ，为40ns
-Military 40 ，为50ns
从任何一个端口完全异步读/写操作
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
表面贴装LCC （无引脚芯片载体）康波
在一个64引脚DIP sidebraze堂费（双列直插封装）
多Vcc和GND引脚最大噪声抗扰度
单5V （ ± 10 ％ ）电源
输入/输出直接TTL兼容
引脚配置
(1)
V
CC
R/
W
L
OE
L
CS
L
SEM
L
A
0L
A
1L
GND
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
A
16L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
GND
R/
W
R
OE
R
CS
R
SEM
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
A
16R
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
V
CC
该IDT7M1001 / IDT7M1003是128K ×8 / 64K ×8高
在一个高速CMOS双端口静态RAM模块构建
使用多层陶瓷基板8 IDT7006 （ 16K ×8 ）
双端口RAM和2的IDT FCT138解码器或depopu-
只用4 IDT7006s和两个解码器迟来。
该模块提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。系统性能是通过促进提高
通过信号端口到端口通信（
SEM
） “手工
动摇“的信号。该IDT7M1001 / 1003模块的设计
用作独立的双端口RAM中，其中芯片上
不需要硬件端口仲裁。它是用户重新
sponsibility ，以保证数据的完整性同时，当
访问来自两个端口相同的内存位置。
该IDT7M1001 / 1003模块被封装在多层
共烧陶瓷64引脚DIP （双列直插封装），与二
只有3.2" X 0.62" X 0.38" mensions 。最大访问时间
以最快的速度为35ns在商用温度范围是
可用。
在IDT7M1001 / 1003的所有输入和输出都与TTL
从单一5V电源兼容和操作。完全异步
异步的电路中使用，不需要时钟或刷新为
模块的操作。
所有IDT军用方舱的半导体组件
manufacured符合MIL-的最新版本
STD- 883 ， B级，使其非常适合于应用程序
苛刻的性能和可靠性的最高水平。
引脚名称
左侧端口
A (0–16)
L
I / O （ 0-7 ）
L
R/
W
L
CS
L
OE
L
SEM
L
正确的端口
A (0–16)
R
I / O （ 0-7 ）
R
R/
W
R
CS
R
OE
R
SEM
R
描述
地址输入
数据输入/输出
读取/写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
信号灯控制
动力
地
2804 TBL 01
V
CC
GND
2804 DRW 01
DIP
顶视图
注意：
1.对于IDT7M1003 （ 64K ×8 ）的版本，引脚23和43必须连接
至GND为模块正常工作。
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1995
集成设备技术有限公司
1995年3月
DSC-7066/5
7.5
1
IDT7M1001/1003
128K / 64K ×8 CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
功能框图
7M1001
CS
L
L_A16
L_A15
L_A14
CS
R
CS
L
CS
R
CS
L
L_CS
74FCT138
74FCT138
r_CS
L_A0-13
L_OE
L_R / W
L_I/O0-7
CS
L
CS
R
CS
L
CS
R
CS
L
7006
7006
7006
L_SEM
7M1003
L_A15
L_A14
L_CS
74FCT138
74FCT138
r_CS
L_A0-13
L_OE
L_R / W
L_I/O0-7
CS
L
CS
R
CS
L
R
CS
CS
L
7006
7006
7006
L_SEM
7.5
7025
CS
R
CS
R
CS
R
7006
7006
7006
7006
R_I/O0-7
CS
L
CS
R
R_R / W
R_OE
R_A0-13
R_A14
R_A15
R_A16
CS
L
7006
CS
R
R_SEM
2804 DRW 02
R_I/O0-7
R_R / W
R_OE
R_A0-13
R_A14
R_A15
CS
L
7006
CS
R
R_SEM
2804 DRW 03
2
IDT7M1001/1003
128K / 64K ×8 CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
端电压
关于
GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2804 TBL 04
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
广告
注意：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2804 TBL 02
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)b
b
典型值。
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
2804 TBL 05
电容
符号
C
IN1
C
IN2
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
马克斯。
15
100
单位
pF
pF
参数
输入电容
(
CS
or
SEM
注意：
1. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度小于20ns 。
)
输入电容
（数据，地址，
所有其他控件）
C
OUT
输出电容
（ DATA）的
V
OUT
= 0V
100
pF
2804 TBL 03
注意：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125 ° C或0 ° C至+ 70 ° C）
广告
符号
I
CC2
I
CC1
I
SB1
参数
工作动态
电流（两个端口均有效）
备用电源
电流（一个端口激活）
备用电源
电流（ TTL电平）
全备供应
电流（ CMOS电平）
测试条件
V
CC
=最大，
CS
≤
V
IL
,
SEM
≥
V
IH
输出开路，女= F
最大
V
CC
=最大值， L_
CS
或R_
CS
≥
V
IH
输出开路，女= F
最大
V
CC
=最大值， L_
CS
和R'
CS
≥
V
IH
输出开路，女= F
最大
L_
SEM
和R'
SEM
≥
V
CC
–0.2V
I
SB2
L_
CS
和R'
CS
≥
V
CC
–0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或0.2V <
L_
SEM
和R'
SEM
≥
V
CC
–0.2V
—
125
65
—
245
125
mA
军事
分钟。马克斯。
(1)
马克斯。
(2)
分钟。马克斯。
(1)
马克斯。
(2)
单位
—
—
—
940
750
565
660
470
285
—
—
—
1130
905
685
790
565
345
mA
mA
mA
注意事项：
1. IDT7M1001 （ 128K ×8）的版本而已。
2. IDT7M1003 （ 64K ×8）的版本而已。
2804 TBL 06
7.5
3
IDT7M1001/1003
128K / 64K ×8 CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
DC电气特性
(V
CC
=5.0V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125 ° C和0 ° C至+ 70 ° C）
符号
|I
LI
|
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏
（地址，数据&其他控件）
输入漏
(
CS
和
SEM
)
输出漏
（ DATA）的
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大。
CS
≥
V
IH ，
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最小值。
V
CC
=最小值。
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
IDT7M1001
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
2.4
80
10
80
0.4
—
IDT7M1003
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
2.4
40
10
40
0.4
—
单位
A
A
A
V
V
2804 TBL 07
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2804 TBL 08
+5 V
+5 V
480
数据
OUT
255
30 pF的*
数据
OUT
255
480
5 pF的*
2804 DRW 04
2804 DRW 05
图1.输出负载
图2.输出负载
（对于T
CLZ
, t
CHZ
, t
OLZ
. t
OHZ
, t
WHZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
7.5
4
IDT7M1001/1003
128K / 64K ×8 CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125 ° C和0 ° C至+ 70 ° C）
–35
–40
–50
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS(2)
t
OE
t
OH
t
CLZ(1)
t
CHZ(1)
t
OLZ(1)
t
OHZ(1)
t
PU(1)
t
PD(1)
t
SOP
参数
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
芯片的选择上电时间
芯片禁用断电时间
SEM
35
—
—
—
3
3
—
3
—
0
—
15
—
35
35
20
—
—
20
—
20
—
50
—
40
—
—
—
3
3
—
3
—
0
—
15
—
40
40
25
—
—
20
—
20
—
50
—
50
—
—
—
3
3
—
3
—
0
—
15
—
50
50
30
—
—
25
—
25
—
50
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
标志更新脉冲（
OE
or
SEM
)
写周期
t
WC
t
CW(2)
t
AW
t
AS1(3)
t
AS2
t
WP
t
WR(4)
t
DW
t
DH(4)
t
OHZ(1)
t
WHZ(1)
t
OW(1,
4)
t
SWRD
t
SPS
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立到写脉冲时间
地址建立到
CS
时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出禁用输出高阻
写使能在高阻输出
输出从主动结束了，写
SEM
SEM
35
30
30
5
0
30
0
25
0
—
—
0
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
20
—
—
—
40
35
35
5
0
35
0
30
0
—
—
0
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
20
—
—
—
50
40
40
5
0
40
0
35
0
—
—
0
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
25
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
标志写阅读时间
国旗竞争窗口
端口到端口延迟时序
t
WDD(5)
t
DDD(5)
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
—
—
60
45
—
—
65
50
—
—
70
55
ns
ns
2804 TBL 09
注意事项：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2.要访问RAM
CS
≤
V
IL
和
SEM
≥
V
IH
。要访问信号量，
CS
≥
V
IH
和
SEM
≤
V
IL
.
3. t
AS1
= 0，如果R /
W
同时置为低电平或后
CS
LOW过渡。
4.对于
CS
控制的写周期，T
WR
≤为5ns ，T
DH
≤为5ns ，T
OW
=为5ns 。
5.端口到端口延迟通过从所述写入端口的读端口的RAM单元。
7.5
5
QQ：2880707522 复制
