16K ×32的CMOS
双口静态RAM
模块
集成设备技术有限公司
IDT7M1002
特点
高密度512K CMOS双端口RAM模块
快速存取时间
- 商业： 30 ，为35ns
-Military ：40，为45nS
从任何一个端口完全异步读/写操作
易于扩展的数据总线宽度为64位或以上使用
主/从功能
字节控制独立字节的读/写信号
片上端口仲裁逻辑
INT
标志的端口到端口的通信
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
表面贴装细间距（ 25 mil）的LCC封装允许
通孔模块，以适应121针PGA足迹
单5V （ ± 10 ％ ）电源
输入/输出直接TTL兼容
描述
该IDT7M1002是16K ×32高速CMOS双端口
在共烧陶瓷子构成的静态RAM模块
施特拉特使用四个16K ×8 （ IDT7006 ）双端口静态RAM中
表面安装LCC封装。该IDT7M1002模块
旨在用作单独的512K的双端口RAM或
作为组合主/从双口RAM为64位或
更多的字宽的系统。采用IDT主/从AP-
proach在这样的系统中的应用成果全速，无错
自由操作，而无需额外的分立逻辑。
该模块提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。系统性能是通过促进提高
通过附加控制信号端口对端口通信
SEM
和
INT
.
该IDT7M1002模块封装在陶瓷121针
PGA （引脚网格阵列）1.35英寸，一侧。最大访问
时间以最快的速度为30ns可在商用
在军用温度级温度范围，为40ns
范围内。
所有IDT军事模块与semiconduc-构建
器组件的制造符合最新的
MIL - STD-883标准的修订， B类使它们非常适用于
为要求苛刻的最高性能级别的应用
和可靠性。
引脚配置
1
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
L_I/O(24)
L_I/O(23)
L_I/O(21)
L_I/O(19)
L_I/O(17)
L_SEM
L_BUSY
L_R / W （1）
L_I/O(15)
L_I/O(13)
L_I/O(11)
L_I/O(10)
L_I/O(9)
2
L_I/O(26)
L_I/O(25)
L_I/O(22)
L_I/O(20)
L_I/O(18)
L_I/O(16)
L_INT
L_R/W(2)
L_I/O(14)
L_I/O(12)
M / S
L_I/O(8)
L_I/O(7)
3
L_I/O(28)
L_I/O(27)
VCC
L_A(4)
L_A(5)
L_A(6)
GND
L_A(7)
L_A(8)
L_A(9)
GND
L_I/O(6)
L_I/O(5)
L_A(10)
L_I/O(4)
L_I/O(3)
L_A(11)
L_I/O(2)
L_I/O(1)
L_A(12)
L_A(13)
L_I/O(0)
GND
R_R / W （4）
R_R / W （3）
R_A(12)
R_A(13)
R_I/O(0)
R_A(11)
R_I/O(2)
R_I/O(1)
R_A(10)
R_I/O(4)
R_I/O(3)
4
L_I/O(30)
L_I/O(29)
L_A(3)
GND
5
L_CS
L_I/O(31)
L_A(2)
6
L_OE
L_A(0)
L_A(1)
7
L_R/W(3)
L_R/W(4)
GND
8
R_OE
R_A(0)
R_A(1)
9
r_CS
R_I/O(31)
R_A(2)
10
R_I/O(30)
R_I/O(29)
R_A(3)
11
R_I/O(28)
R_I/O(27)
GND
R_A(4)
R_A(5)
12
R_I/O(26)
R_I/O(25)
R_I/O(22)
R_I/O(20)
R_I/O(18)
R_I/O(16)
R_INT
13
R_I/O(24)
R_I/O(23)
R_I/O(21)
R_I/O(19)
R_I/O(17)
R_SEM
R_BUSY
PGA
顶视图
R_A(6)
GND
R_A(7)
R_A(8)
R_A(9)
VCC
R_I/O(6)
R_I/O(5)
R_R / W （2） R_R / W （1）
R_I/O(14)
R_I/O(12)
GND
R_I/O(8)
R_I/O(7)
R_I/O(15)
R_I/O(13)
R_I/O(11)
R_I/O(10)
R_I/O(9)
2795 DRW 01
IDT标志是集成设备技术公司的注册商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
1995年12月
DSC-2795/5
7.02
1
IDT7M1002
16K ×32的CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
端电压
关于
GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
商用
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2795 TBL 03
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
军事
广告
建议的直流
工作条件
符号
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
0.8
V
V
V
V
2795 TBL 04
注意：
应力超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
2795 TBL 02
V
CC
GND
V
IH
V
IL
注意：
1. VIL
≥
-3.0V脉冲宽度小于20ns
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125 ° C或0 ° C至+ 70 ° C）
符号
|I
LI
|
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏
（地址&控制）
输入漏
（ DATA）的
输出漏
（ DATA）的
输出低
输出高
电压
测试条件
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大。
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大。
CS
≥
V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最小值。我
OL
= 4毫安
电压
V
CC
=最小，我
OH
= -4mA
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
40
10
10
0.4
—
单位
A
A
A
V
V
2795 TBL 05
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125 ° C或0 ° C至+ 70 ° C）
广告
符号
I
CC2
I
SB
I
SB1
I
SB2
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
待机电源电流
（两个端口均无效）
待机就给电流
（一个端口无效）
全待机电源电流
（两个端口均无效）
测试条件
V
CC
=最大，
CS
≤
V
IL
,
SEM
= DO NOT CARE
输出开路，女= F
最大
V
CC
=最大值， L_
CS
和R'
CS
≥
V
IH
输出开路，女= F
最大
V
CC
=最大值， L_
CS
或R_
CS
≥
V
IH
输出开路，女= F
最大
L_
CS
和R'
CS
≥
V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或0.2V <
L_
SEM
和R'
SEM
≥
V
CC
– 0.2V
分钟。
—
—
—
—
马克斯。
1360
280
1000
60
军事
分钟。
—
—
—
—
马克斯。
1600
340
1160
120
单位
mA
mA
mA
mA
2795 TBL 06
7.02
3
IDT7M1002
16K ×32的CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号参数
C
在（1）
C
IN(2)
C
IN(3)
C
OUT
输入电容
(
CS
,
OE
,
SEM
，地址）
输入电容
(R/
W
,
I / O
,
INT
)
输入电容
(
忙
, M/
S
)
输出电容
（ I / O）
条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
MAX 。 UNIT
40
12
45
12
pF
pF
pF
pF
*包括范围和夹具电容。
注意：
2795 TBL 07
+5V
480
BUSY ， INT
255
30pF*
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图1.输出负载
2795 DRW 03
+5V
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2795 TBL 08
480
数据
OUT
255
5pF*
*包括范围和夹具电容。
2795 DRW 04
图2.输出负载
AC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125 ° C或0 ° C至+ 70 ° C）
（对于T
CHZ
, t
CLZ
, t
OHZ
, t
OLZ
, t
WHZ
, t
OW ）
7M1002SxxG
30
–35
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
(2)
t
OE
t
OH
t
LZ
(1)
t
HZ
(1)
t
PU
(1)
t
PD
(1)
t
SOP
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
(2)
7M1002SxxGB
–40
–45
马克斯。
—
35
35
20
—
—
15
—
50
—
—
—
—
—
—
—
分钟。
40
—
—
—
3
3
—
0
—
15
40
35
35
0
35
0
马克斯。
—
40
40
22
—
—
17
—
50
—
—
—
—
—
—
—
分钟。
45
—
—
—
3
5
—
0
—
15
45
40
40
0
35
0
MAX 。 UNIT
—
45
45
25
—
—
20
—
50
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2795 TBL 09
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低Z
输出高阻
芯片的选择上电时间
芯片取消到上电时间
教统局局长。标志更新脉冲（
OE
or
SEM
)
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
分钟。
30
—
—
—
3
3
—
0
—
15
30
25
25
0
25
0
马克斯。
—
30
30
17
—
—
15
—
50
—
—
—
—
—
—
—
分钟。
35
—
—
—
3
3
—
0
—
15
35
30
30
0
30
0
写周期
（接下页）
7.02
4
IDT7M1002
16K ×32的CMOS双口静态RAM模块
军用和商用温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 55 ° C至+ 125 ° C或0 ° C至+ 70 ° C）
7M1002SxxG
7M1002SxxGB
30
符号
t
DW
t
DH
t
HZ
(1)
t
OW
(1)
t
SWRD
t
SPS
参数
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出高阻
输出从主动结束了，写
SEM
SEM
–35
马克斯。
—
—
15
—
—
—
分钟。
25
0
—
0
10
10
马克斯。
—
—
15
—
—
—
–40
分钟。
25
0
—
0
10
10
马克斯。
—
—
17
—
—
—
–45
分钟。
25
0
—
0
10
10
MAX 。 UNIT
—
—
20
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
分钟。
22
0
—
0
10
10
写周期（续）
标志写阅读时间
国旗竞争窗口
忙碌的周期，主模式
(3)
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
WDD
(5)
t
DDD
t
APS
(6)
t
BDD
t
WB
(7)
t
WH
(8)
t
WDD
(5)
t
AS
t
WR
t
插件
t
INR
忙
忙
忙
忙
访问时间地址
停用时间来解决
访问时间芯片选择
禁止时间芯片取消
—
—
—
—
—
—
5
—
0
25
—
0
0
—
—
30
25
25
25
55
40
—
注9
—
—
—
—
—
—
5
—
0
25
—
0
0
—
—
35
30
30
25
60
45
—
注9
—
—
—
—
—
—
5
—
0
25
—
0
0
—
—
35
30
30
25
65
50
—
注9
—
—
—
—
—
—
5
—
0
25
—
0
0
—
—
35
30
30
25
70
55
—
注9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2795 TBL 10
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据的延迟
仲裁优先建立时间
忙
禁止以有效时间
忙碌的周期，从模式
(4)
写BUSY输入
写后举行BUSY
写脉冲数据延迟
地址建立时间
写恢复时间
中断设置时间
中断复位时间
—
—
55
—
—
25
25
—
—
60
—
—
30
30
—
—
65
—
—
32
32
—
—
70
—
—
35
35
中断时序
注意事项：
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2.要访问的RAM ，
CS
≤
V
IL
和
SEM
≥
V
IH
。要访问信号量，
CS
≥
V
IH
和
SEM
≤
V
IL
.
3.当模块被在主模式下使用（M /
S
≥
V
IH
).
4.当模块被在从模式（M使用/
S
≤
V
IL
).
5.端口到端口延迟通过从所述写入端口的读端口的RAM单元。
6.为了确保两个端口的较早者获胜。
7.为了确保写周期的争用过程中受到抑制。
8.为了确保写周期竞争后完成的。
9. tBDD是一个计算出的参数，并且是越大0 ， tWDD - TWP （实际） ，或TDDD - TWP （实际值）。
7.02
5
QQ：2881677436 复制
