高性能
CMOS总线接口
锁存器
描述：
IDT54/74FCT841A/B/C
集成设备技术有限公司
产品特点：
等效于AMD的Am29841-46双极寄存器
引脚配置/功能，速度和输出驱动器在整个温
perature和电源电压极值
IDT54 / 74FCT841A相当于FAST 速
IDT54 / 74FCT841B比FAST快25 ％
IDT54 / 74FCT841C 40 ％，比快更快
缓冲常见的锁存使能，清除和预置输入
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
所有输入钳位二极管，用于抑制振铃
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
TTL输入和输出电平兼容
兼容CMOS输出电平
大幅降低输入电流水平比AMD的
双极Am29800系列（ 5μA最大）
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
在IDT54 / 74FCT800系列采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。
在IDT54 / 74FCT840系列总线接口锁存器
旨在消除缓冲所需的额外软件包
现有的插销和更广泛的地址提供额外的数据宽度/
数据路径或公共汽车运载校验。在IDT54 / 74FCT841是
一个缓冲， 10位宽的版本流行的“ 373功能。
所有的IDT54 / 74FCT800高性能接口
系列是专为高容量负载驱动能力，
同时提供低电容总线负载在两个输入端
和输出。所有的输入有钳位二极管，所有输出都
在高阻抗设计的低电容总线负载
ANCE状态。
功能框图
D
0
PRE
D
N
P
LE Q
CLR
CLR
P
LE Q
CLR
LE
OE
Y
0
Y
N
2607 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1994
集成设备技术有限公司
1994年4月
DSC-4603/2
7.22
1
IDT54/74FCT841A/B/C
高性能CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
P24-1
D24-1
E24-1
＆放大器;
SO24-2
21
20
19
18
17
16
15
14
13
DIP / CERPACK / SOIC
顶视图
2607 DRW 02
D
8
D
9
GND
NC
LE
Y
9
Y
8
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
LE
指数
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
D
1
D
0
OE
NC
V
CC
Y
0
Y
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12 13 14 15 16 17 18
3
2
1
28 27 26
25
24
23
L28-1
22
21
20
19
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
LCC
顶视图
2607 DRW 03
引脚说明
功能表
(1)
之间
OUT-
看跌期权
Y
I
Z
Z
Z
Z
L
H
NC
H
L
H
Z
Z
功能
高Z
高Z
高Z
锁存（高阻）
透明
透明
LATCHED
预设
明确
预设
锁存（高阻）
锁存（高阻）
2607 TBL 02
CLR
D
I
LE
名字
I / O
I
I
I
描述
当
CLR
为低电平，则输出
如果低
OE
是低的。当
CLR
高，
数据可以被输入到锁存器。
锁存器的数据输入。
锁存使能输入。该锁存器
透明的，当LE为高。输入
数据被锁存高到低
过渡。
三态锁存器输出。
输出使能控制。当
OE
is
低电平时，输出被使能。当
OE
为高电平时，输出（Y
I
）是在
高阻抗（关）状态。
预定线路。当
PRE
低，则
输出为高电平，如果
OE
为LOW 。预设
覆盖
CLR
.
2607 TBL 01
CLR PRE OE
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
输入
LE
X
H
H
L
H
H
L
X
X
X
L
L
D
I
X
L
H
X
L
H
X
X
X
X
X
X
最终
Q
I
X
L
H
NC
L
H
NC
H
L
H
L
H
Y
I
O
I
OE
PRE
I
注意：
1. H =高电平，L =低， X =无所谓， NC =没有变化，
Z =高阻抗
7.22
2
IDT54/74FCT841A/B/C
高性能CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
V
TERM(2)
端电压
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
关于
GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
I
OUT
DC输出
当前
广告
-0.5到+7.0
军事
单位
-0.5到+7.0
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入
电容
产量
电容
(1)
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
2607 TBL 04
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
°C
°C
°C
W
mA
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意：
2607 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -15mA MIL 。
I
OH
= -24mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–75
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
2607 TBL 05
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.22
3
IDT54/74FCT841A/B/C
高性能CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
LE = V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
= GND
LE = V
CC
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
OE
= GND
LE = V
CC
八位切换
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.0
5.0
—
3.2
6.5
(5)
—
5.2
14.5
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在VC的
C
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2607 TBL 06
7.22
4
IDT54/74FCT841A/B/C
高性能CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
开关特性在工作范围
FCT841A
Com'l 。
符号
参数
传播延迟
D
I
为Y
I
（ LE =高）
米尔。
FCT841B
Com'l 。
米尔。
FCT841C
Com'l 。
米尔。
条件
(1)
分钟。
(2)
MAX 。 MIN 。
(2)
MAX 。 MIN 。
(2)
MAX 。 MIN 。
(2)
MAX 。 MIN 。
(2)
MAX 。 MIN 。
(2)
马克斯。
单位
t
PLH
t
PHL
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
1.5
9.0
1.5 10.0 1.5
6.5
1.5
7.5
1.5
5.5
1.5
6.3
ns
1.5 13.0 1.5 15.0 1.5 13.0 1.5 15.0 1.5 13.0 1.5 15.0
1.5 12.0 1.5 13.0 1.5
8.0
1.5 10.5 1.5
6.4
1.5
6.8
ns
t
PLH
t
PHL
传播延迟
LE为Y
I
1.5 16.0 1.5 20.0 1.5 15.5 1.5 18.0 1.5 15.0 1.5 16.0
1.5 12.0 1.5 14.0 1.5
8.0
1.5 10.0 1.5
7.0
9.0
9.0
9.0
6.5
1.5
9.0
ns
ns
t
PLH
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
传播延迟，
PRE
为Y
I
传播延迟，
CLR
为Y
I
输出使能时间
OE
为Y
I
1.5 14.0 1.5 17.0 1.5 10.0 1.5 13.0 1.5
1.5 13.0 1.5 14.0 1.5 10.0 1.5 11.0 1.5
1.5 14.0 1.5 17.0 1.5 10.0 1.5 10.0 1.5
1.5 12.0
1.5 10.0
1.5
1.5
9.0
7.3
ns
C
L
= 50pF的
1.5 11.5 1.5 13.0 1.5
8.0
1.5
8.5
1.5
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE
为Y
I
t
SU
t
H
t
W
t
W
t
W
t
REM
t
REM
数据LE建立时间
数据LE保持时间
LE脉冲宽度
(3)
高
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
1.5 23.0 1.5 25.0 1.5 14.0 1.5 15.0 1.5 12.0 1.5 13.0
R
L
= 500
C
L
= 5pF的
(4)
1.5 7.0 1.5 9.0 1.5 6.0 1.5 6.5 1.5 5.7 1.5 6.0
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
1.5 8.0 1.5 10.0 1.5 7.0 1.5 7.5 1.5 6.0 1.5 6.3
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
2.5 — 2.5 — 2.5 — 2.5 — 2.5 — 2.5 —
R
L
= 500
2.5
4.0
5.0
4.0
4.0
3.0
—
—
—
—
—
—
3.0
5.0
7.0
5.0
4.0
3.0
—
—
—
—
—
—
2.5
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
—
—
—
—
—
—
2.5
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
—
—
—
—
—
—
2.5
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
—
—
—
—
—
—
2.5
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
PRE
脉冲宽度
(3)
低
CLR
脉冲宽度
(3)
低
恢复时间
PRE
以LE
恢复时间
CLR
以LE
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
3.这些参数是保证，但未经测试。
4.这些条件保证，但未经测试。
2607 TBL 07
7.22
5
QQ：2881677436 复制
