添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第43页 > IDT74FCT841ATDB
快速CMOS
总线接口
锁存器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT841AT/BT/CT/DT
产品特点:
共同的特点:
低输入和输出泄漏
≤1A
( MAX 。 )
- CMOS功率水平
- 真正的TTL输入和输出的兼容性
– V
OH
= 3.3V (典型值)。
– V
OL
= 0.3V (典型值)。
- 符合或超过JEDEC标准规格18
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 , B类
和DESC上市(双标)
- 提供DIP , SOIC , SSOP , QSOP , CERPACK
和LCC封装
特点为FCT841T :
- A, B,C和D的速度等级
- 高驱动输出( -15mA我
OH
, 48毫安我
OL
)
??断电禁用输出允许??带电插入??
描述:
该FCT8xxT系列采用先进的双金属建造
CMOS技术。
该FCT8xxT总线接口锁存器被设计为消除
内特缓冲锁存器的现有要求的额外软件包
并提供额外的数据宽度更宽的地址/数据路径或
巴士载校验。该FCT841T被缓冲, 10位宽的
流行FCT373T功能的版本。他们是理想的
作为一个输出端口需要高我用
OL
/I
OH
.
所有FCT8xxT高性能接口系列可
驱动较大的容性负载,同时提供低电容
总线负载的输入和输出。所有输入都有钳
二极管到地,所有的输出都设计为低电容
tance总线负载在高阻抗状态。
功能框图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
8
D
9
D
LE Q
D
LE Q
D
LE Q
D
LE Q
D
LE Q
D
LE Q
D
LE Q
D
LE Q
LE
OE
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
8
Y
9
2571 DRW 01
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年6月
2571/6
6.22
1
IDT54/74FCT841AT/BT/CT/DT
FAST CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4 P24-1
5 D24-1
SO24-2
6
SO24-7
7
SO24-8
8
&放大器;
9 E24-1
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
LE
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
4 3 2
1 28 27 26
25
5
24
6
23
7
8
22
L28-1
9
21
20
10
19
11
1213 14 15 16 17 18
D
1
D
0
OE
NC
V
CC
Y
0
Y
1
指数
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK
顶视图
2571 DRW 02
D
8
D
9
GND
NC
LE
Y
9
Y
8
LCC
顶视图
2571 DRW 03
引脚说明
名字
D
I
LE
I / O
I
I
描述
锁存器的数据输入。
锁存使能输入。该锁存器
透明的,当LE为高。输入数据
被锁在HIGH到LOW
过渡。
三态锁存器输出。
输出使能控制。当
OE
is
低电平时,输出被使能。当
OE
为高电平时,输出V I是在高
阻抗(关)状态。
2571 TBL 01
功能表
(1)
输入
LE
H
H
L
H
H
L
内部输出
Q
I
Y
I
L
H
NC
L
H
NC
Z
Z
Z
L
H
NC
OE
H
H
H
L
L
L
D
I
L
H
X
L
H
X
功能
高Z
高Z
锁存(高阻)
透明
透明
LATCHED
Y
I
O
I
OE
注意:
2571 TBL 02
1. H =高电平,L =低, X =无所谓, NC =无变化, Z =高阻抗
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
V
TERM(2)
端电压
-0.5到+7.0
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
-0.5到
关于
V
CC
+0.5
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
-60到+120
军事
-0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
MAX 。 UNIT
10
pF
12
pF
2571 LNK 04
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
-60到+120
V
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意:
1.此参数的测量是在表征,但未经测试。
注意事项:
2571 LNK 03
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
V
CC
以+ 0.5V ,除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
6.22
2
IDT54/74FCT841AT/BT/CT/DT
FAST CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用,除非另有规定:
商业:T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C,V
CC
= 5.0V
±
5% ;军事:T已
A
= -55℃ + 125°C ,V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
(三态输出引脚)
(4)
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值,我
IN
= -18mA
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
CC
=最大,V
I
= V
CC
( MAX 。 )
分钟。
2.0
典型值。
(2)
–0.7
200
0.01
马克斯。
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
1
单位
V
V
A
A
A
V
mV
mA
2571 LNK 05
V
CC
=最大,V
IN
= GND或V
CC
输出驱动特性,可以用于FCT841T
符号
V
OH
参数
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最小值。
I
OH
= -6mA MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
=最小值。
I
OL
= 32毫安MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安COM'L 。
V
CC
=最大,V
O
= GND
(3)
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
4.5V
分钟。
2.4
2.0
–60
典型值。
(2)
3.3
3.0
0.3
–120
马克斯。
0.5
–225
单位
V
V
V
mA
V
OL
I
OS
I
关闭
输出低电压
短路电流
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
±
1
A
2571 LNK 06
注意事项:
1.对于显示为最大的条件。或最小,使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V , + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数是
±5A
在T
A
= –55°C.
5.此参数是保证,但未经测试。
6.22
3
IDT54/74FCT841AT/BT/CT/DT
FAST CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
= GND
LE = V
CC
一个输入切换
占空比为50%
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50%
OE
=
GND
LE = V
CC
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50%
OE
=
GND
LE = V
CC
八位切换
分钟。
典型值。
(2)
0.5
0.15
马克斯。
2.0
0.25
单位
mA
毫安/
兆赫
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4
V
IN
= GND
1.5
3.5
mA
1.8
4.5
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4
V
IN
= GND
3.0
6.0
(5)
5.0
14.0
(5)
注意事项:
1.对于显示为最大的条件。或最小,使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V , + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入(V
IN
= 3.4V ) 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的,但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证,但未经测试。
6. I
C
= I
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP /
2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入(V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对( HLH或LHL )电流
f
CP
=时钟频率为注册设备(零非注册设备)
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安,所有频率在兆赫。
2571 TBL 07
6.22
4
IDT54/74FCT841AT/BT/CT/DT
FAST CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
开关特性在工作范围
FCT841AT
Com'l 。
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟
D
I
为Y
I
( LE =高)
FCT841BT
米尔。
Com'l 。
马克斯。
6.5
13.0
8.0
15.5
8.0
14.0
6.0
7.0
10.0
15.0
13.0
20.0
13.0
25.0
9.0
10.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
4.0
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
7.5
15.0
10.5
18.0
8.5
15.0
6.5
7.5
ns
ns
ns
2571 TBL 08
t
PLH
t
PHL
传播延迟
LE为Y
I
t
PZH
t
PZL
输出使能时间
OE
为Y
I
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE
为Y
I
t
SU
t
H
t
W
数据LE建立时间
数据LE保持时间
LE脉冲宽高
(3)
条件
(1)
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 5pF的
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
分钟。
(2)
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
4.0
MAX 。 MIN 。
(2)
9.0
13.0
12.0
16.0
11.5
23.0
7.0
8.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
3.0
5.0
MAX 。 MIN 。
(2)
单位
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证,但不是在传输延迟测试。
3.这些参数是保证,但未经测试。
4.这些条件保证,但未经测试。
开关特性在工作范围
FCT841CT
Com'l 。
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟
D
I
为Y
I
( LE =高)
FCT841DT
米尔。
Com'l 。
马克斯。
4.2
8.0
4.0
8.0
4.8
9.0
4.0
4.0
6.3
15.0
6.8
16.0
7.3
13.0
6.0
6.3
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.0
3.0
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
ns
ns
ns
2571 TBL 09
t
PLH
t
PHL
传播延迟
LE为Y
I
t
PZH
t
PZL
输出使能时间
OE
为Y
I
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE
为Y
I
t
SU
t
H
t
W
数据LE建立时间
数据LE保持时间
LE脉冲宽高
(3)
条件
(1)
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(4)
R
L
= 500
C
L
= 5pF的
(4)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
分钟。
(2)
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
4.0
MAX 。 MIN 。
(2)
5.5
13.0
6.4
15.0
6.5
12.0
5.7
6.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
2.5
4.0
MAX 。 MIN 。
(2)
单位
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证,但不是在传输延迟测试。
3.这些参数是保证,但未经测试。
4.这些条件保证,但未经测试。
6.22
5
查看更多IDT74FCT841ATDBPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDT74FCT841ATDB
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
IDT74FCT841ATDB
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8286
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多IDT74FCT841ATDB供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!