IDT54 / 74FCT821AT / BT / CT ， 823 / 825AT / BT / CT / DT
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
高性能
CMOS总线
接口寄存器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT821AT/BT/CT
IDT54/74FCT823AT/BT/CT/DT
IDT54/74FCT825AT/BT/CT
产品特点：
共同的特点：
低输入和输出泄漏
≤1A
（ MAX 。 ）
- CMOS功率水平
- 真正的TTL输入和输出的兼容性
– V
OH
= 3.3V （典型值）。
– V
OL
= 0.3V （典型值）。
- 符合或超过JEDEC标准规格18
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
和DESC上市（双标）
- 提供DIP ， SOIC ， SSOP ， QSOP ， CERPACK
和LCC封装
功能FCT821T / FCT823T / FCT825T ：
- A， B，C和D的速度等级
- 高驱动输出（ -15mA我
OH
， 48毫安我
OL
)
??断电禁用输出允许??带电插入??
描述：
该FCT82xT系列采用先进的双金属建造
CMOS技术。该FCT82xT系列总线接口寄存器
寄存器被设计成消除所需的额外的包
现有的缓冲寄存器和更广泛的提供额外的数据宽度
地址/数据路径或巴士载校验。该FCT821T
被缓冲，流行FCT374T的10位宽的版本
功能。该FCT823T 9位宽的寄存器缓冲带
时钟使能（
EN
）和Clear （
CLR
） - 理想的平价巴士
接口中的高性能微程序的系统。
该FCT825T是8位缓冲的所有FCT823T寄存器
再加上控制多个使（
OE
1,
OE
2,
OE
3）以允许多
该接口的用户控制，例如
CS
， DMA和RD /
WR
。他们
非常适合用作输出端口需要高我
OL
/I
OH
.
该FCT82xT高性能接口的家人可以开车
较大的容性负载，同时提供低电容公交车
装在两个输入端和输出端。所有输入都有钳
二极管和所有输出都设计为低电容公交车
装在高阻抗状态。
功能框图
D
0
EN
D
N
CLR
D
CL
Q
D
CL
Q
CP Q
CP Q
CP
OE
Y
0
Y
N
2567 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1995
集成设备技术公司
1995年8月
DSC-4202/5
6.21
6.21
1
1
IDT54 / 74FCT821AT / BT / CT ， 823 / 825AT / BT / CT / DT
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
指数
D
8
D
9
GND
NC
CP
Y
9
Y
8
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4 P24-1
5 D24-1
6 SO24-2
7 SO24-7
SO24-8
8
＆放大器;
9
E24-1
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
CP
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
1 28 27 26
5
25
6
24
7
23
8
22
L28-1
9
21
10
20
11
19
1213 14 15 16 17 18
D
1
D
0
OE
NC
V
CC
Y
0
Y
1
4 3 2
FCT821 10位寄存器
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
2567 DRW 02
DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
D
8
CLR
GND
NC
CP
EN
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
CLR
GND
1
2
3
P24-1
4
D24-1
5
SO24-2
6 SO24-7
7 SO24-8
8
＆放大器;
9 E24-1
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
EN
CP
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
1 28 27 26
5
25
6
24
7
23
8
22
L28-1
9
21
10
20
11
19
1213 14 15 16 17 18
Y
8
D
1
D
0
OE
NC
V
CC
Y
0
Y
1
FCT823第9位
指数
4 3 2
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
2567 DRW 03
DIP / SOIC / SSOP / QSOP / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
FCT825 8位寄存器
指数
OE
1
OE
2
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
CLR
GND
24
1
23
2
22
3
4 P24-1 21
5 D24-1 20
6 SO24-2 19
7 SO24-8 18
＆放大器;
17
8
E24-1 16
9
10
15
14
11
12
13
V
CC
OE
3
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
EN
CP
D
0
OE
2
OE
1
NC
V
CC
OE
3
Y
0
D
1
D
2
D
3
NC
D
4
D
5
D
6
4 3 2
1 28 27 26
5
25
6
24
7
23
8
22
L28-1
9
21
10
20
11
19
1213 14 15 16 17 18
D
7
CLR
GND
NC
CP
EN
Y
7
Y
1
Y
2
Y
3
NC
Y
4
Y
5
Y
6
2567 DRW 04
DIP / SOIC / QSOP / CERPACK
顶视图
6.21
LCC
顶视图
2
IDT54 / 74FCT821AT / BT / CT ， 823 / 825AT / BT / CT / DT
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
引脚说明
名字
D
I
CLR
功能表
(1)
输入
OE
CLR
EN
I / O
I
I
描述
该D触发器的数据输入端。
当清晰的输入为低电平，并
OE
is
低时，Q
I
输出为低电平。当
清零输入端为高电平时，数据可以是
进入寄存器。
时钟脉冲为注册;进入
数据插入低到寄存器
HIGH过渡。
寄存器3态输出。
时钟使能。当时钟使能是
在D低，数据
I
输入被转移
到Q
I
在低到高的输出
时钟跳变。当时钟使能
为高时，Q
I
输出不会改变
态的，而不管数据或时钟
输入端的电压。
输出控制。当
OE
输入
高电平时，Y
I
输出处于高
阻抗状态。当
OE
输入
低时，为TRUE寄存器数据是本
在在Y
I
输出。
2567 TBL 01
D
I
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Q
I
Y
I
L
H
L
L
NC
NC
L
H
L
H
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
L
H
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
功能
高Z
明确
HOLD
负载
CP
I
Y
I
EN
O
I
OE
I
注意：
1. H =高
L =低
X =无关
NC =无变化
↑
=低到高的转变
Z =高阻抗
2567 TBL 02
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
V
TERM(2)
端电压
-0.5到+7.0
关于
GND
(3)
端电压
V
TERM
-0.5到
关于
V
CC
+0.5
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
-60到+120
军事
-0.5到+7.0
单位
V
电容
(
T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
MAX 。 UNIT
10
pF
12
pF
2567 LNK 04
-0.5到
V
CC
+0.5
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
-60到+120
V
°C
°C
°C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2567 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
6.21
3
IDT54 / 74FCT821AT / BT / CT ， 823 / 825AT / BT / CT / DT
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(4)
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
200
0.01
马克斯。
—
0.8
单位
V
V
±
1
±
1
±
1
±
1
±
1
–1.2
—
1
A
A
A
V
mV
mA
2567 LNK 05
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
输出驱动特性，可以用于FCT821 / 823 / 825T
符号
V
OH
参数
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
=最小值。
I
OH
= -6mA MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
=最小值。
I
OL
= 32毫安MIL 。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安COM'L 。
(3)
V
CC
=最大，V
O
= GND
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
≤
4.5V
分钟。
2.4
2.0
—
–60
—
典型值。
(2)
3.3
3.0
0.3
–120
—
马克斯。
—
—
0.5
–225
±1
单位
V
V
V
mA
A
2567 LNK 06
V
OL
I
OS
I
关闭
输出低电压
短路电流
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数是
±5A
在T
A
= –55°C.
5.此参数是保证，但未经测试。
6.21
4
IDT54 / 74FCT821AT / BT / CT ， 823 / 825AT / BT / CT / DT
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
=
EN
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
一位切换
在网络连接= 5MHz时，
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
八位切换
在网络连接= 2.5MHz的
占空比为50％
分钟。
—
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
马克斯。
2.0
0.25
单位
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
1.5
3.5
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
2.0
5.5
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
3.8
7.3
(5)
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
6.0
16.3
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP /
2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2567 TBL 07
6.21
5
IDT74FCT823AT/CT
高性能CMOS总线接口寄存器
工业温度范围
高性能
CMOS总线
接口寄存器
产品特点：
A和C等级
低输入和输出泄漏
≤
1μA（最大值）。
CMOS功率水平
真TTL输入和输出的兼容性：
– V
OH
= 3.3V （典型值）。
– V
OL
= 0.3V （典型值）。
高驱动输出（ -15mA我
OH
， 48毫安我
OL
)
达到或超过JEDEC标准规格18
断电禁用输出允许"live insertion"
可在SOIC和QSOP封装
IDT74FCT823AT/CT
描述：
该FCT823T系列采用先进的双金属CMOS建
技术。该FCT823T系列总线接口寄存器被设计成
消除缓冲寄存器现有所需的额外软件包和
携带更广泛的地址/数据路径或总线提供额外的数据宽度
奇偶校验。该FCT823T是9位宽缓冲寄存器时钟使能
（ EN）和清除（ CLR ） - 适用于平价总线的高性能接口
微程序系统。
该FCT823T高性能接口系列可驱动较大的容性
负载，同时提供低电容总线负载在两个输入端和
输出。所有的输入有钳位二极管，所有输出都设计为低
电容总线负载在高阻抗状态。
功能框图
D
0
EN
D
N
CLR
D
CL
Q
D
CL
Q
CP
Q
CP
Q
CP
OE
Y
0
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
Y
N
工业温度范围
1
2006年6月
DSC-5487/4
2006集成设备技术有限公司
IDT74FCT823AT/CT
高性能CMOS总线接口寄存器
工业温度范围
引脚配置
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
CLR
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
EN
CP
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
英镑
I
OUT
描述
相对于GND端子电压
相对于GND端子电压
储存温度
直流输出电流
最大
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
-60到+120
单位
V
V
°C
mA
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
的Vcc以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和唯一的Vcc端子。
3.输出和仅I / O端子。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
SOIC / QSOP
顶视图
引脚说明
引脚名称
Dx
CLR
I / O
I
I
描述
D触发器的数据输入端
当清晰的输入为低电平，并
OE
低，则
QX输出为低。当清零输入端为高电平时，
数据可以被输入到寄存器中。
时钟脉冲为注册;将数据输入到所述
在低到高的过渡登记。
寄存器3态输出
时钟使能。当时钟使能为低时，数据
上的Dx输出被传递到QX输出上
低到高的转变。当时钟使能是
高电平时， QX输出不改变状态，无论
的数据或时钟输入端的电压。
输出控制。当
OE
为高电平时， YX
输出处于高阻抗状态。当
OE
为低电平时，为TRUE寄存器的数据存在于
YX输出。
功能表
(1)
OE
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
输入
CLR
EN
H
L
H
L
L
X
L
X
H
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
L
Dx
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Qx
Yx
L
Z
H
Z
L
Z
L
L
NC
Z
NC
NC
L
Z
H
Z
L
L
H
H
功能
高Z
明确
HOLD
负载
CP
Yx
EN
I
O
I
OE
I
注意：
1. H =高电压电平
X =无关
L =低电压等级
NC =无变化
↑
=低到高的转变
Z =高阻抗
2
IDT74FCT823AT/CT
高性能CMOS总线接口寄存器
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ±5%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最大。
V
IN
= GND或V
CC
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
—
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
(4)
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
200
0.01
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
—
1
A
V
mV
mA
单位
V
V
A
A
A
输出驱动特性
符号
V
OH
V
OL
I
OS
I
关闭
参数
输出高电压
输出低电压
短路电流
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
V
CC
=分钟
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=分钟
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
测试条件
(1)
I
OH
= -8mA
I
OH
= -15mA
I
OL
= 48毫安
分钟。
2.4
2
—
–60
—
典型值。
(2)
3.3
3
0.3
–120
—
马克斯。
—
—
0.5
–225
±1
单位
V
V
mA
A
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
≤
4.5V
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数为± 5μA在T
A
= –55°C.
5.此参数是保证，但未经测试。
3
IDT74FCT823AT/CT
高性能CMOS总线接口寄存器
工业温度范围
电源特性
符号
ΔI
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
=
EN
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
一位切换
在网络连接= 5MHz时，
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
八位切换
在网络连接= 2.5MHz的
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
6
16.3
(5)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
测试条件
(1)
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
马克斯。
2
0.25
单位
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
1.5
3.5
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
2
5.5
—
3.8
7.3
(5)
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入; （V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值对这些条件的实例
ΔI
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
ΔI
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2+ f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
ΔI
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输出频率
N
i
输出数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
4
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