IDT74FCT543AT/CT/DT
快速CMOS八路锁存收发器
工业温度范围
快速CMOS
八进制锁存
收发器
产品特点：
A， C和D等级
低输入和输出泄漏
≤
1μA（最大值）。
CMOS功率水平
真TTL输入和输出的兼容性：
– V
OH
= 3.3V （典型值）。
– V
OL
= 0.3V （典型值）。
高驱动输出（ -15mA我
OH
， 64毫安我
OL
)
达到或超过JEDEC标准规格18
断电禁用输出允许"live insertion"
采用SOIC和QSOP封装
IDT74FCT543AT/CT/DT
描述：
该FCT543T是一个非反相八进制收发器采用了先进的建
双金属CMOS工艺。此装置包含两套8 D型
锁存器中的每一组独立的输入和输出控制。为数据流
从A到B ，例如A到B启用（ CEAB ）输入要低，以
从A输入数据
0
–A
7
或采取从B数据
0
–B
7
如在所示
功能表。同
CEAB
低，在A到B锁存使能低信号
（ LEAB ）输入使得A到B锁存透明;随后的低到
高转换
LEAB
信号放一个锁存器中的存储模式和
它们的输出不再与A输入更改。同
CEAB
和
OEAB
两
低时，三态B输出缓冲器是有效的，并反映该数据存在于
在A的输出锁存器。控制数据从B到A相似，但使用
CEBA ， LEBA
和
OEBA
输入。
功能框图
细节A
D
LE
A
0
Q
D
LE
Q
B
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
细节A ×7
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
OEBA
OEAB
CEBA
LEBA
CEAB
LEAB
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
2006年6月
DSC-5489/6
2006集成设备技术有限公司
IDT74FCT543AT/CT/DT
快速CMOS八路锁存收发器
工业温度范围
引脚配置
LEBA
OEBA
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
CEAB
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
CEBA
B
0
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
LEAB
OEAB
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
英镑
I
OUT
描述
相对于GND端子电压
相对于GND端子电压
储存温度
直流输出电流
最大
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
-60到+120
单位
V
V
°C
mA
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
的Vcc以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和唯一的Vcc端子。
3.输出和仅I / O端子。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
SOIC / QSOP
顶视图
引脚说明
引脚名称
OEAB
OEBA
CEAB
CEBA
LEAB
LEBA
A
0
–A
7
B
0
–B
7
描述
A到B输出使能输入（低电平有效）
B对A输出使能输入（低电平有效）
A到B使能输入（低电平有效）
B对A使能输入（低电平有效）
A到B锁存使能输入（低电平有效）
B对A锁存使能输入（低电平有效）
A到B的数据输入端或B至A 3态输出
B-到的数据输入或A至B 3态输出
2
IDT74FCT543AT/CT/DT
快速CMOS八路锁存收发器
工业温度范围
功能表
(1, 2)
输入
LEAB
X
H
X
L
H
对于A到B（对称与B对A）
CEAB
H
X
X
L
L
OEAB
X
X
H
L
L
LATCH
状态
A至B
存储
存储
X
透明
存储
产量
缓冲器
B
0
–B
7
高Z
X
高Z
目前的A输入
上一页* A输入
注意事项：
1. *在LEAB低到高的转变
H =高电压等级
L =低电压等级
X =无关
2. A到B所示的数据流; B对甲流的控制是一样的，只是使用
CEBA ， LEBA
和
OEBA 。
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ±5%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
I
V
IK
V
H
I
CC
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
(4)
输入低电平电流
(4)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(4)
输入高电流
(4)
钳位二极管电压
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最大，V
I
= V
CC
（ MAX 。 ）
V
CC
=最小，我
IN
= -18mA
—
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
CC
=最大
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
200
0.01
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
—
1
A
V
mV
mA
单位
V
V
A
A
A
输出驱动特性
符号
V
OH
V
OL
I
OS
I
关闭
参数
输出高电压
输出低电压
短路电流
输入/输出电源关闭泄漏
(5)
V
CC
=分钟
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=分钟
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
V
CC
= 0V, V
IN
或V
O
≤
4.5V
测试条件
(1)
I
OH
= -8mA
I
OH
= -15mA
I
OL
= 64毫安
分钟。
2.4
2
—
–60
—
典型值。
(2)
3.3
3
0.3
–120
—
马克斯。
—
—
0.55
–225
±1
V
mA
A
单位
V
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.测试限制这个参数为± 5μA在T
A
= –55°C.
5.此参数是保证，但未经测试。
3
IDT74FCT543AT/CT/DT
快速CMOS八路锁存收发器
工业温度范围
电源特性
符号
ΔI
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大值，输出打开
CEAB
和
OEAB
= GND
CEBA
= V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大值，输出打开
f
CP
= 10MHz时（ LEAB ）
占空比为50％
CEAB
和
OEAB
= GND
CEBA
= V
CC
一位切换
在网络连接= 5MHz时，
占空比为50％
V
CC
=最大值，输出打开
f
CP
= 10MHz时（ LEAB ）
占空比为50％
CEAB
和
OEAB
= GND
CEBA
= V
CC
八位切换
在网络连接= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
测试条件
(1)
分钟。
—
—
典型值。
(2)
0.5
0.15
马克斯。
2
0.25
单位
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
1.5
3.5
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
2
5.5
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
3.8
7.3
(5)
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
6
16.3
(5)
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入; （V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值对这些条件的实例
ΔI
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
ΔI
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2+ f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
ΔI
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输出频率
N
i
输出数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
4
QQ：2881677436 复制
