快速CMOS八路
缓冲器/线路驱动器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT240/A/C
IDT54/74FCT241/A/C
IDT54/74FCT244/A/C
IDT54/74FCT540/A/C
IDT54/74FCT541/A/C
产品特点：
相当于FAST IDT54 / 74FCT240 / 244分之241 /五百四十一分之五百四十
速度和驱动器
IDT54 / 74FCT240A / 241A / 244A / 540A / 541A快25％
比FAST
IDT54 / 74FCT240C / 241C / 244C / 540C / 541C高达55％
比快更快
I
OL
= 64毫安（商业）和48毫安（军事）
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
- 符合或超过JEDEC标准规格18
TM
描述：
IDT的八路缓冲器/线路驱动器采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。在IDT54 / 74FCT240 / A / C ，
IDT54 / 74FCT241 / A / C和IDT54 / 74FCT244 / A / C设计
要用作存储器和地址驱动器，时钟驱动器
和面向总线的发送器/接收器，它提供了改进的
电路板密度。
在IDT54 / 74FCT540 / A / C和IDT54 / 74FCT541 / A / C是
在功能上与IDT54 / 74FCT240 / A / C和IDT54类似的/
74FCT244 / A / C分别表示不同的是，输入和输出
看跌期权是在封装的相对两侧。该引脚排列
安排使得这些设备作为输出特别有用
微处理器和作为背板驱动程序，允许端口
简化的布局和更大的电路板密度。
功能方框图
2529 CNV * 01-03
OE
A
OE
B
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
IDT54/74FCT240
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
IDT54/74FCT241/244
* OE
B
241 ， OE
B
对于244
OE
A
241只
OE
B
*
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
IDT54/74FCT540/541
*显示为“ FCT540逻辑图。
“ FCT541是所述非反相的选择。
2606 DWG 01-03
OE
A
OE
B
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
O
5
*
O
6
*
O
7
*
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
军用和商用温度范围
1992
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4610/3
7.8
1
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54/74FCT240
OB
0
OE
A
V
CC
OE
A
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
P20-1
D20-1 16
SO20-2 15
＆放大器;
E20-1 14
13
12
11
17
V
CC
OE
B
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
3 2
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
4
5
6
7
8
DA
0
指数
1
20 19
18
17
16
15
OE
B
2529 CNV * 04-09
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
L20-2
14
9 10 11 12 13
OB
3
GND
DB
3
OA
3
DB
2
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
IDT54/74FCT241/244
OB
0
OE
A
DA
0
OB
0
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
OB
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
＆放大器;
E20-1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
*
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
DB
2
OA
3
DB
3
3 2
DA
1
OB
1
DA
2
OB
2
DA
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13
L20-2
1
20 19
18
17
16
15
14
OA
0
DB
0
OA
1
DB
1
OA
2
GND
DB
3
OB
3
DA
0
指数
OA
3
OE
A
V
CC
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
* OE
B
241 ，
OE
B
对于244
LCC
顶视图
IDT54/74FCT540/541
OE
A
V
CC
1
OE
A
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
19
18
P20-1
D20-1 16
SO20-2 15
＆放大器;
14
E20-1
13
12
11
17
OE
B
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
O
5
*
O
6
*
O
7
*
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
4
5
6
7
8
3 2
D
0
1
20
V
CC
20 19
18
17
16
15
14
OE
B
指数
DB
2
OE
B
*
O
0
*
O
1
*
O
2
*
O
3
*
O
4
*
L20-2
9 10 11 12 13
GND
O
7
*
O
6
*
D
7
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
*
O
X
540 ，哦
X
对于541
LCC
顶视图
O
5
*
2606 CNV * 04-09
7.8
2
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
引脚说明
引脚名称
OE
A
,
OE
B
OE
B (1)
DXX
OXX
注意：
1. OE
B
只为241 。
功能表
OE
A
L
L
H
2606 TBL 04
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
三态输出使能输入（高电平有效）
输入
输出
输入
(1)
OE
B
OE
B(2)
L
L
H
H
H
L
D
L
H
X
240
H
L
Z
输出
(1)
241 244 540
L
H
Z
L
H
541
L
H
Z
L
Z
H
Z
2606 TBL 05
注意事项：
1. H =高电压电平
X =无关
L =低电压等级
Z =高阻抗
2. OE
B
只为241 。
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
(2)
端电压
V
TERM
关于
GND
(3)
端电压
V
TERM
关于
GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
I
OUT
DC输出
当前
广告
军事
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入
电容
产量
电容
(1)
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
2606 TBL 02
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意事项：
2606 TBL 01
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
7.8
3
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.55
0.55
2606 TBL 03
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.8
4
IDT54/74FCT240/241/244/540/541/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 5MHz时，
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND或
OE
A
= GND ，
OE
B
= V
CC
八位切换
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.0
5.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
3.2
6.5
(5)
—
5.2
14.5
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2606 TBL 06
7.8
5
IDT54/74FCT244/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
快速CMOS八路
缓冲器/线路驱动器
IDT54/74FCT244/A/C
产品特点：
IDT54 / 74FCT244A相当于FAST 速度和驱动
IDT54 / 74FCT244A比FAST快25 ％
IDT54 / 74FCT244C达比FAST快55 ％
I
OL
= 64毫安（商业）和48毫安（军事）
CMOS功率级（ 1毫瓦典型值静态）
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
达到或超过JEDEC标准规格18
提供以下套餐：
商业： SOIC
军事：陶瓷浸渍， LCC ， CERPACK
描述：
IDT的八路缓冲器/线路驱动器使用的是先进的双金属建造
CMOS技术。该FCT244被设计为用作存储器，并
地址驱动器，时钟驱动器，以及面向总线的发送器/接收器，其
提供了改进的电路板密度。
功能框图
OE
A
1
19
OE
B
DA
0
2
18
OA
0
OB
0
DA
1
3
17
DB
0
4
16
OA
1
DB
1
OB
1
DA
2
5
15
6
14
OA
2
OB
2
7
13
DB
2
DA
3
8
12
OA
3
11
OB
3
9
DB
3
军用和商用温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
2000年6月
DSC-5420/-
IDT54/74FCT244/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V ±5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V ± 10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32 A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300 A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300 A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300 A
I
OL
= 48毫安MIL 。
I
OL
= 64毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.55
0.55
8-link
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
3
IDT54/74FCT244/A/C
快速CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC ;
V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND
八位切换
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4
mA
—
—
2
3.2
5
6.5
(5)
—
5.2
14.5
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
开关特性在工作范围
54/74FCT244
Com'l 。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
参数
传播延迟
D
N
与O
N
输出使能时间
输出禁止时间
条件
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
米尔。
54/74FCT244A
Com'l 。
米尔。
(1,2)
54/74FCT244C
Com'l 。
米尔。
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
1.5
1.5
1.5
6.5
8
7
1.5
1.5
1.5
7
8.5
7.5
1.5
1.5
1.5
4.8
6.2
5.6
1.5
1.5
1.5
5.1
6.5
5.9
1.5
1.5
1.5
4.1
5.8
5.2
1.5
1.5
1.5
4.6
6.5
5.7
ns
ns
ns
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
4
3.3V CMOS八路
缓冲器/线路驱动器
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT3244/A
产品特点：
0.5微米CMOS技术
每MIL -STD- 883 ESD > 2000V ，方法3015 ;
＆ GT ;使用200V机器模型（ C = 200pF的， R = 0 ）
25密耳中心SSOP和QSOP封装
- -40 ° C扩展商业范围至+ 85°C
V
CC
= 3.3V
±0.3V,
正常范围或
V
CC
= 2.7V至3.6V ，扩展产品范围
CMOS功率水平（ 0.4μW （典型值）的静态）
轨到轨输出摆幅增加噪声容限
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该FCT3244 / A八路缓冲器/线路驱动器使用的是内置
先进的双金属CMOS工艺。这些高速
低功耗缓冲器被设计为用作存储器的数据
和地址驱动器，时钟驱动器和总线导向和Transmit
器/接收器。三态控制的设计也能操作
吃了一个双四位或单字节模式下，这些器件。所有
输入设计与滞后的改善噪声容
杜松子酒。
功能框图
销刀豆网络gurations
1
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P20-1
D20-1
SO20-2
SO20-7
＆放大器;
SO20-8
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
2
OE
1
Y
1
2
A
4
1
Y
2
2
A
3
1
Y
3
2
A
2
1
Y
4
2
A
1
1
OE
1
A
1
1
A
2
1
A
3
1
A
4
1
Y
1
1
Y
2
1
Y
3
1
Y
4
1
A
1
2
Y
4
1
A
2
2
Y
3
1
A
3
2
Y
2
1
A
4
2
Y
1
GND
2
OE
2
A
1
2
A
2
2
A
3
2
A
4
2
Y
1
2
Y
2
2
Y
3
2
Y
4
2779 DRW 01
DIP / SOIC / SSOP / QSOP
顶视图
2779 DRW 02
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1995年12月
DSC-2779/4
8.11
1
IDT54/74FCT3244/A
3.3V CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
引脚说明
引脚名称
x
OE
XAX
XYX
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
数据输入
三态输出
2779 TBL 01
功能表
(1)
输入
x
OE
L
L
H
注意：
1. H =高电压电平
X =无关
L =低电压等级
Z =高阻抗
XAX
L
H
X
输出
XYX
L
H
Z
2779 TBL 02
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
军事
V
TERM(2)
端电压
-0.5到+4.6 -0.5到+4.6
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
-0.5到+7.0 -0.5到+7.0
关于
GND
(4)
端电压
-0.5到
V
TERM
-0.5到
关于
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
GND
T
A
操作
-40到+85 -55到+125
温度
T
BIAS
温度
-55到+125 -65到+135
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125 -65到+150
温度
P
T
功耗
1.0
1.0
I
OUT
DC输出
当前
-60到+60
-60到+60
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
(1)
C
IN
输入
电容
C
OUT
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
3.5
4.0
MAX 。 UNIT
6.0
pF
8.0
pF
V
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
2779 LNK 04
V
°C
°C
°C
W
mA
2779 LNK 03
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
超过上述业务部门所标明的这个规范
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
2. Vcc的端子。
3.输入端子。
4.输出和I / O端子。
8.11
2
IDT54/74FCT3244/A
3.3V CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
商业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 2.7V至3.6V ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 2.7V至3.6V
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
ODH
I
ODL
V
OH
参数
输入高电平（输入引脚）
输入高电平（ I / O引脚）
输入低电平
（输入和I / O引脚）
输入大电流（输入引脚）
(6)
输入大电流（ I / O引脚）
(6)
低输入电流（输入引脚）
(6)
低输入电流（ I / O引脚）
(6)
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(6)
钳位二极管电压
输出高电流
输出低电流
输出高电压
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 5.5V
V
I
= V
CC
V
I
= GND
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= GND
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
= 3.3V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
= 3.3V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 3.0V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= ?? 0.1毫安
I
OH
= -3mA
I
OH
= -6mA MIL 。
I
OH
= -8mA COM'L 。
I
OL
= 0.1毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
V
CC
= 3.0V
I
OL
= 24毫安
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
—
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
分钟。
2.0
2.0
–0.5
—
—
—
—
—
—
—
–36
50
V
CC
–
0.2
2.4
2.4
(5)
—
—
—
—
–60
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
±1
–
1.2
单位
V
V
A
—
—
—
—
—
—
–
0.7
A
V
mA
mA
V
–60
90
—
3.0
3.0
—
0.2
0.3
0.3
–
135
–110
200
—
—
—
0.2
0.4
0.55
0.50
–240
—
V
OL
输出低电压
V
I
OS
V
H
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
短路电流
(4)
输入滞后
静态电源电流
mA
mV
A
150
0.1
0.1
V
CC
=最大，
V
IN
= GND或V
CC
Com'l 。
米尔。
10
100
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
5. V
OH
= V
CC
在-0.6V额定电流。
6.此参数的测试限值是
±
5μA在T
A
= –55°C.
2779 LNK 05
8.11
3
IDT54/74FCT3244/A
3.3V CMOS八路缓冲器/线路驱动器
军用和商用温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
动态电源
当前
(4)
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
V
IN
= V
CC
– 0.6V
(3)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
分钟。
—
—
典型值。
(2)
2.0
60
马克斯。
30
85
单位
A
A/
兆赫
V
CC
=最大。
输出打开
占空比为50％
x
OE
= GND
一个输入切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 10MHz时
占空比为50％
x
OE
= GND
一位切换
V
CC
=最大。
输出打开
科幻= 2.5MHz的
占空比为50％
x
OE
= GND
八位切换
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
—
0.6
0.9
mA
—
0.6
0.9
—
1.2
1.7
(5)
—
1.2
1.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
N
CP
/ 2 + FINI ）
I
CC
=静态电流（I
CCL ，
I
CCH
我
CCZ
)
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
N
CP
时钟输入=数在f
CP
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在网络
2779 TBL 06
开关特性在工作范围
(3)
FCT3244
Com'l 。
符号
参数
条件
(1)
分钟。
(2)
马克斯。
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
Com'l 。
分钟。
(2)
马克斯。
FCT3244A
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
单位
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
传播延迟
XAX到XYX
输出使能时间
输出禁止时间
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
1.5
1.5
1.5
6.5
8.0
7.0
1.5
1.5
1.5
7.0
8.5
7.5
1.5
1.5
1.5
4.8
6.2
5.6
1.5
1.5
1.5
5.1
6.5
5.9
ns
ns
ns
2779 TBL 07
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
3.传输延迟和启用/禁用时间与V
CC
= 3.3V
±0.3V,
正常范围内。对于V
CC
= 2.7V至3.6V ，扩展范围，所有的传播延迟
和启用/禁用时间应该由20％的下降。
8.11
4
QQ：2881677436 复制
