IDT74FCT162701T/AT
FAST CMOS 18位读/写缓冲区
工业温度范围
快速的CMOS 18位
读/写缓冲器
IDT74FCT162701T/AT
产品特点：
0.5微米CMOS技术
典型的牛逼
SK
（ O） （输出偏斜） < 250PS
低输入和输出泄漏
≤
1μA（最大值）。
每MIL -STD- 883 ，方法3015 ESD > 2000V ; > 200V使用
机器模型（ C = 200pF的， R = 0 ）
平衡式输出驱动（ ± 24毫安）
降低了系统的开关噪声
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 0.6V在V
CC
= 5V,
T
A
= 25°C
理想的新一代86回写式高速缓存解决方案
适用于模块化的x86架构
四深写入FIFO
锁存器中读取路径
同步FIFO复位
提供SSOP和TSSOP封装
描述：
该FCT162701T是四深的FIFO的18位读/写缓冲区，
一个读回锁存器。它可以作为一个CPU和之间的读/写缓冲
存储器或接口高速总线和低速外围设备。在A到B
（写）路径有四个深的FIFO实现流水线操作。该FIFO可
复位和一个FIFO满状态是由满标志（FF）来表示。而B到A（读）
路径具有闩锁。高的LE ，允许数据从B到-A透明地流动。
在LE低使得数据要在LE的下降沿锁存。
该FCT162701T有平衡输出驱动器系列的终结。
这提供了低地面反弹，最低下冲和控制输出
边沿速率。
功能框图
A
1-18
18
OEB一
RESE吨
CLK
W CE
RCE
FF
FIFO
（ 4深）
LATCH
LE
OEA B
18
B
1-18
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
2002集成设备技术有限公司
2002年1月
DSC-2915/1
IDT74FCT162701T/AT
FAST CMOS 18位读/写缓冲区
工业温度范围
引脚配置
OEAB
W CE
A
1
GND
A
2
A
3
V
CC
A
4
A
5
A
6
GND
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
GND
A
13
A
14
A
15
V
CC
A
16
A
17
GND
A
18
OEBA
LE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
RCE
CLK
B
1
GND
B
2
B
3
V
CC
B
4
B
5
B
6
GND
B
7
B
8
B
9
B
10
B
11
B
12
GND
B
13
B
14
B
15
V
CC
B
16
B
17
GND
B
18
FF
RESET
绝对最大额定值
(1)
符号
描述
最大
-0.5 7
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
-60到+120
单位
V
V
°C
mA
V
TERM
(2)
相对于GND端子电压
V
TERM
(3)
相对于GND端子电压
T
英镑
I
OUT
储存温度
直流输出电流
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.所有设备终端，除了FCT162XXX输出和I / O端子。
3.输出和I / FCT162XXX O端子。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
3.5
3.5
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
SSOP / TSSOP
顶视图
引脚说明
引脚名称
A
1-18
B
1-18
CLK
I / O
I / O
I / O
I
18位I / O端口
18位I / O端口
时钟写入FIFO的路径。时钟到数据时， FIFO
WCE
为低电平时，时钟数据输出的FIFO时的
RCE
是低的。当FIFO满
所有进一步的写入FIFO被禁止。当FIFO为空从FIFO中读取所有被抑制。 CLK也复位时， FIFO
RESET
是低的。
使能引脚用于FIFO的输入时钟
使能引脚用于FIFO的输出时钟
写路径FIFO满标志。变低，当FIFO满。
同步FIFO复位 - 当CLK低复位FIFO 。 FIFO指针初始化为“空”的状态和FIFO输出
被强制为高（所有的） 。复位后的FIFO满标志（ FF）会很高。
输出使能引脚B端口
输出使能引脚的端口
读取路径锁存使能引脚。当高，数据流量透明地从B端口到端口，B的数据被锁存LE的下降沿。
描述
WCE
RCE
FF
RESET
OEAB
OEBA
LE
I
I
O
I
I
I
I
2
IDT74FCT162701T/AT
FAST CMOS 18位读/写缓冲区
工业温度范围
功能说明
此装置是为模块化高端设计的读/写缓冲器有用。它
提供了在写入路径和单深缓冲多级缓冲
读取路径，并适合于写回缓存实现。在读取路径
提供了一种透明锁存器。
这四个深的FIFO使用一个时钟两个时钟使能引脚，
WCE
和
RCE
时钟数据输入和输出。该FIFO具有外部满标志肚里
LOW当FIFO满。内部读写指针跟踪的
字存储在FIFO中。企图写入FIFO已满被忽略。尝试
从空FIFO读取不会有任何效果，最后一次读取数据的遗体
在FIFO的输出。 FIFO中可能由同步复位
RESET
输入。这将重置读写指针到原来的"empty"条件
同时也将所有B输出= 1同时读取和写入尝试（时钟数据
到FIFO以及时钟数据从FIFO中）是可能的，除非在FIFO为空
饱满的界限。当FIFO为空，同时读取和
写尝试，而写入，执行所读取的被忽略。如果同一
尝试当FIFO满时，同时读出在执行写操作被忽略。
在写入路径的四个深的FIFO的正常运行是独立的
读取路径操作。
动力方面，在FCT162701T地面和数据引脚位置上的匹配
在FCT16501T / 162501T ，使一个简单的升级。
应用?? 486接口
CacheRA M
协处理器
i486
FCT162701T
A
B
DRAM
W / R
CLK
CLK ，W CE，
RCE ， RST
PAL
LE ，哦EBA ，
EAB
图1. FCT162701T应用实例
3
IDT74FCT162701T/AT
FAST CMOS 18位读/写缓冲区
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5.0V ±10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电平
输入低电平
输入大电流（输入引脚）
输入大电流（ I / O引脚）
I
IL
(4)
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
分钟。
2
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–140
100
5
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
–250
—
500
单位
V
V
A
(4)
(4)
低输入电流（输入引脚）
低输入电流（ I / O引脚）
V
I
= GND
—
—
(4)
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
H
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
(4)
V
CC
=最大。
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
—
—
—
–80
A
钳位二极管电压
短路电流
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
—
V
CC
=最大。
V
IN
= GND或V
CC
V
mA
mV
A
—
—
输出驱动特性
符号
I
ODL
I
ODH
V
OH
参数
输出低电流
输出高电流
输出高电压
测试条件
(1)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
IL
, V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
= 5V, V
IN
= V
IH
或V
IL
, V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 24毫安
—
0.3
0.55
V
I
OH
= ?? 24毫安
分钟。
60
–60
2.4
典型值。
(2)
115
–115
3.3
马克斯。
200
–200
—
单位
mA
mA
V
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.该参数的测试极限是± 5μA在T
A
= –55°C.
4
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FAST CMOS 18位读/写缓冲区
工业温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
的CCD （CLK）
I
CCD （O / P）
I
C
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
由于时钟切换
(4)
动态电源电流
由于时钟切换
(4)
总电源电流
(6)
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OEAB
= GND ;
OEBA
= V
CC
LE =
WCE
=
RCE
= GND
RESET
= V
CC
所有输入低
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OEAB
= GND ;
OEBA
= V
CC
LE =
WCE
=
RCE
= GND
RESET
= V
CC
一位切换
在f
O
= 5MHz时，
占空比为50％
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
的CCD （CLK）
架F
CP
+ I
CCD （O / P）
架F
O
N
O
I
CC
=静态电流（I
CCL
, I
CCH
我
CCZ
)
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
O
=输出频率
N
O
输出数=在f
O
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
CLK切换
50 ％负载循环
一个输入切换
占空比为50％
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
分钟。
—
—
—
—
典型值。
(2)
0.5
180
80
1.8
马克斯。
1.5
240
120
2.9
(5)
单位
A
A/
兆赫
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
2.1
3.7
(5)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
2.2
3.5
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
2.7
5
5
QQ：2881677436 复制
