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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第894页 > IDT72V83L15PA
3.3伏的CMOS双异步FIFO
双512× 9 ，双1024 ×9
双2048 ×9 ，双4096 ×9
双8,192 ×9
IDT72V81
IDT72V82
IDT72V83
IDT72V84
IDT72V85
产品特点：
描述：
该IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85是双FIFO存储器的
负载和一个先入/先出的基础上的空数据。这些设备的功能和
兼容于在单个2 IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05的FIFO
打包了所有相关的控制，数据和标志分配给不同的线路
销。该设备使用满和空标志，以防止数据溢出，
下溢和扩展逻辑，以允许在两个无限扩展能力
字的大小和深度。
在读取和写入的内部顺序通过使用环
指针，以装载和卸载数据不需要地址信息。数据
通过使用写（W）的和读切换中的设备的进出
（R ）引脚。
该装置利用一9位宽的数据阵列，以允许控制和奇偶
位在用户的选项。这个功能是在数据通信中是特别有用
应用中，有必要使用一个奇偶校验位的发送/接收
错误检查。它还具有一个重传（RT ）功能，允许复位
读指针到其初始位置时的
RT
是脉冲的低电平，以允许
从数据的开头重发。一个半满标志的使用
单设备模式和宽度扩展模式。
这些FIFO使用IDT的高速CMOS技术制造。
它们是专为那些需要异步和simul-应用
taneous读/写的多速率和缓存的应用程序。
该IDT72V81相当于两个IDT72V01 - 512× 9的FIFO
该IDT72V82相当于两个IDT72V02 - 1024 ×9的FIFO
该IDT72V83相当于两个IDT72V03 - 2048 ×9的FIFO
该IDT72V84相当于两个IDT72V04 - 4096 ×9的FIFO
该IDT72V85相当于两个IDT72V05 - 8192 ×9的FIFO
低功耗
- 活动： 330毫瓦（最大）
- 掉电： 18毫瓦（最大）
超高速-15纳秒的存取时间
异步和同步读写
提供的数据容量优化组合，小脚印
和功能灵活性
理想的双向，宽度扩大，深度扩展，巴士─
匹配和数据分类应用
状态标志：空，半满，满
自动重发功能
高性能CEMOS 技术
节省空间的TSSOP封装
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
°
°
功能框图
数据输入
（ DA
0
-DA
8
)
WA
写
控制
写
指针
三
状态
缓冲器
RSA
WB
写
控制
写
指针
数据输入
（ DB
0
-dB
8
)
RSB
内存
数组a
512 x 9
1,024 x 9
2,048 x 9
4,096 x 9
8,192 x 9
读
指针
内存
数组a
512 x 9
1,024 x 9
2,048 x 9
4,096 x 9
8,192 x 9
读
指针
三
状态
缓冲器
RA
读
控制
旗
逻辑
扩张
逻辑
RESET
逻辑
读
控制
旗
逻辑
扩张
逻辑
RESET
逻辑
夏
XOA / HFA
FFA
全民教育
数据
输出
（ QA
0
-Qa
8
)
FLA / RTA
RB
厦门国际银行
XOB / HFB
FFB
EFB
数据
输出
（ QB
0
-qb
8
)
FLB / RTB
3966 DRW 01
1999年8月
1
1999
集成设备技术有限公司
DSC-3966/-
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
商业级温度范围
引脚配置
FFA
QA
0
QA
1
QA
2
QA
3
QA
8
GND
RA
QA
4
QA
5
QA
6
QA
7
XOA / HFA
全民教育
FFB
QB
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
8
GND
RB
QB
4
QB
5
QB
6
QB
7
XOB / HFB
EFB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
夏
DA
0
DA
1
DA
2
DA
3
DA
8
WA
V
CC
DA
4
DA
5
DA
6
DA
7
FLA / RTA
RSA
厦门国际银行
DB
0
DB
1
DB
2
DB
3
DB
8
WB
V
CC
DB
4
DB
5
DB
6
DB
7
FLB / RTB
RSB
3966 DRW 02
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
储存温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
(1)
V
IL
(2)
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
广告
分钟。
3.0
0
2.0
—
0
典型值。
3.3
0
—
—
—
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.5
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
注意事项：
1.对于
RT / RS / XI
输入，V
IH
= 2.6V （商业） 。
2. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
TSSOP （ SO56-2 ，订货代码： PA ）
顶视图
电容
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
直流电气
特征
(1)
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
IDT72V81
IDT72V82
IDT72V83
IDT72V84
IDT72V85
广告
t
A
= 15 ， 20纳秒
符号
I
LI(1)
I
LO(2)
V
OH
V
OL
I
CC1(3,4)
I
CC2(3,5)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“ 1 ”电压
I
OH
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压
I
OL
= 8毫安
有源电源电流（两个FIFO ）
待机电流（R = W = RS = FL / RT = V
IH
)
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
100
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
注意：
1.特点值，目前尚未进行测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
见图1
3.3V
330
TO
产量
针
510
30pF*
注意事项：
1.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
2.
R
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
3.测试与产出开放（I
OUT
= 0).
4.测试在f = 20兆赫。
5.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V 。
3966 DRW 03
或等效电路
图1.输出负载
*包括范围和臂电容。
2
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
商业级温度范围
AC电气特性
(1)
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
广告
IDT72V81L15
IDT72V82L15
IDT72V83L15
IDT72V84L15
IDT72V85L15
符号
t
S
t
RC
t
A
t
RR
t
乡郊小工程
t
RLZ
t
WLZ
t
DV
t
RHZ
t
WC
t
预激
t
WR
t
DS
t
DH
t
RSC
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RTC
t
RT
t
RTS
t
RTR
t
英语
t
仁人家园， FFH
t
RTF
t
REF
t
RFF
t
RPE
t
世界经济论坛
t
WFF
t
WHF
t
RHF
t
WPF
t
XOL
t
XOH
t
XI
t
XIR
t
XIS
参数
移频
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
(2)
读取脉冲低到数据总线的低Z
(3)
写脉冲高到数据总线的低Z
(3, 4)
数据有效期从读脉冲高
读取脉冲高到数据总线的高Z
(3)
写周期时间
把脉冲宽度
(2)
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
重置周期时间
复位脉冲宽度
(2)
复位建立时间
(3)
复位恢复时间
重发周期时间
重发脉冲宽度
(2)
转播建立时间
(3)
重发恢复时间
重置为空标志低
重置为半满和全旗高
转播低到旗有效
读低到空标志低
读高到满标志高
读后脉宽
EF
高
写高到空标志高
写低位为全旗低
写低半满标志低
读高至半满标志高
写操作之后脉宽
FF
高
读/写
XO
低
读/写
XO
高
XI
脉冲宽度
(2)
XI
恢复时间
XI
建立时间
分钟。
—
25
—
10
15
3
5
5
—
25
15
10
11
0
25
15
15
10
25
15
15
10
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
15
—
—
15
10
10
马克斯。
40
—
15
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
25
25
15
15
—
15
15
25
25
—
15
15
—
—
—
—
30
—
10
20
3
5
5
—
30
20
10
12
0
30
20
20
10
30
20
20
10
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
20
—
—
20
10
10
IDT72V81L20
IDT72V82L20
IDT72V83L20
IDT72V84L20
IDT72V85L20
分钟。
马克斯。
33.3
—
20
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
30
30
20
20
—
20
20
30
30
—
20
20
—
—
—
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.计时在AC测试条件引用。
2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
4.仅适用于读取数据的流通方式。
3
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
商业级温度范围
单设备模式时，此引脚充当重传输入。单个器件
模式是通过接地扩张（十一）发起的。
该IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85可以使重发
当启用重传控制（ RT）输入数据脉冲低。再送
操作将在内部读指针设定在第一位置，并不会影响
写指针。读使能（ R）和写使能（ W）必须在高
重发的IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85 respec-期间状态
tively 。该功能是非常有用的，当小于512 / 1024 / 2048 / 4096 / 8192的写入
复位之间被执行。重传功能是不兼容
深度扩展模式，并会影响到半满标志（ HF ） ，根据
的读出和写入指针的相对位置。
扩展IN（
XI
)
该输入是一个双功能引脚。膨胀在（Ⅺ ）被接地，以指示
在单个设备模式的操作。膨胀在（Ⅺ ）被连接到
扩建前一设备的输出（ XO ）的深度扩张或菊花
链模式。
信号说明
输入：
DATA IN （D
0
– D
8
)
数据输入9位宽度的数据。
复位（
RS
)
每当复位（ RS）的输入取为低电平状态复位来实现的。
在复位过程中，无论是内部读和写指针被设置到所述第一位置。
复位之后写操作前开机才能进行必需的。
两
在读使能（
R
）和写使能（
W
）输入必须在高
窗口中的状态显示在图2中， （即，叔
RSS
前上涨
边缘
RS
）应该不会改变，直到吨
RSR
后的上升沿
卢比。
RS
半满标志（
HF
）将被重置为高复位后（
RS
).
写使能（
W
)
写周期在此输入的下降沿开始，如果满标志（ FF ）
未设置。数据建立时间和保持时间必须遵守相对于所述上升
写的边缘使能（ W）上。数据被存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿
操作时，半满标志（ HF）将被设置为低，并会保持直到
和写指针之间的差的读出指针是小于或等于
二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF） ，然后复位
由读操作的上升沿。
为了防止数据溢出，满标志（ FF）将变低，抑制了进一步的写
操作。当完成一个有效的读操作时，满标志（ FF ）
会去吨后高
RFF
，允许一个有效的写操作开始。当FIFO满时，该
内部写指针从冻结
W,
在这样的外部变化
W
不会影响
FIFO中，当它满。
读使能（
R
)
一个读周期的读使能（ R）提供的下降沿启动
空标志（ EF ）未设置。该数据被存取的一个先入/先出的基础上，
独立于任何正在进行的写入操作。后读使能（ R）变高，
数据输出（Q
0
– Q
8
）将返回到一个高阻抗状态，直到
接下来的读操作。当所有数据已被从FIFO中时，空读
标志（ EF）将变为低电平，使“最后的”读周期，但进一步抑制读
操作与残留在高阻抗状态下的数据输出。一旦
有效的写操作已经完成，空标志（ EF）将变为高电平
吨后
世界经济论坛
和一个有效的读取就可以开始了。当FIFO是空的，内部
读指针从冻结
R
在这样的外部变化
R
不会影响到FIFO中
当它是空的。
首先加载/重传（
FL RT
)
FL / RT
这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，该引脚为
接地，以表明它是第一加载（见操作模式） 。在
控制：
输出：
满标志（
FF
)
的满标志（ FF），将变低，抑制了进一步的写操作中，当写
指针是一个位置比读指针少，表明该装置是满的。
如果读指针没有复位（ RS）后移动时，满标志（ FF），将变低
512写的IDT72V81后， 1024写的IDT72V82 ， 2048写
为IDT72V83 ， 4096写的IDT72V84和8,192写的
IDT72V85.
空标志（
EF
)
当空标志（ EF）将变低，进一步抑制读取操作，
读指针等于写指针，指示该设备是
空。
EXPANSION OUT /半满标志（
XO HF
)
XO / HF
这是一个双重目的的输出。在单个设备模式， Expan-时
锡永在（Ⅺ）是接地的，该输出用作一个半满存储器的指示。
后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿
操作时，半满标志（ HF ）将被置为低电平，并保持直到
的写指针和读指针之间的差小于或等于
到二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF） ，然后复位
通过使用读出操作的上升沿。
在深度扩展模式，扩展（ XI ）与扩展
在菊花链上一个设备（ XO）通过提供一个脉冲到
接下来，当一台设备到达存储器的最后一个定位装置。
数据输出（Q
0
– Q
8
)
数据输出为9位宽度的数据。这个数据是在高阻抗的
条件只要读（r ）处于高状态。
4
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
t
RSC
RS
W
t
RSS
R
t
英语
EF
t
仁人家园，
t
FFH
HF ， FF
注意事项：
1.
EF ， FF ， HF
复位过程中可能发生变化的状态，但标志将在t有效。
RSC
.
2.
W
和
R
= V
IH
周围的上升沿
卢比。
图2.复位
商业级温度范围
t
RS
t
RSS
t
RSR
3966 DRW 04
t
RC
t
A
R
t
RLZ
Q
0
-Q
8
t
预激
W
t
DS
D
0
-D
8
t
乡郊小工程
t
RR
t
DV
t
A
t
RHZ
数据输出有效
数据输出有效
t
WC
t
WR
t
DH
数据在有效
3966 DRW 05
数据在有效
图3.异步读写操作
上次写
R
忽视
写
FIRST READ
另外
读和写
第一次
写
W
t
WFF
FF
图4.全旗从上次写入先阅读
t
RFF
3966 DRW 06
5
3.3伏的CMOS双异步FIFO
双512× 9 ，双1024 ×9
双2048 ×9 ，双4096 ×9
双8,192 ×9
IDT72V81
IDT72V82
IDT72V83
IDT72V84
IDT72V85
产品特点：
描述：
该IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85是双FIFO存储器的
负载和一个先入/先出的基础上的空数据。这些设备的功能和
兼容于在单个2 IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05的FIFO
打包了所有相关的控制，数据和标志分配给不同的线路
销。该设备使用满和空标志，以防止数据溢出，
下溢和扩展逻辑，以允许在两个无限扩展能力
字的大小和深度。
在读取和写入的内部顺序通过使用环
指针，以装载和卸载数据不需要地址信息。数据
通过使用写（W）的和读切换中的设备的进出
（R ）引脚。
该装置利用一9位宽的数据阵列，以允许控制和奇偶
位在用户的选项。这个功能是在数据通信中是特别有用
应用中，有必要使用一个奇偶校验位的发送/接收
错误检查。它还具有一个重传（RT ）功能，允许复位
读指针到其初始位置时的
RT
是脉冲的低电平，以允许
从数据的开头重发。一个半满标志的使用
单设备模式和宽度扩展模式。
这些FIFO使用IDT的高速CMOS技术制造。
它们是专为那些需要异步和simul-应用
taneous读/写的多速率和缓存的应用程序。
该IDT72V81相当于两个IDT72V01 - 512× 9的FIFO
该IDT72V82相当于两个IDT72V02 - 1024 ×9的FIFO
该IDT72V83相当于两个IDT72V03 - 2048 ×9的FIFO
该IDT72V84相当于两个IDT72V04 - 4096 ×9的FIFO
该IDT72V85相当于两个IDT72V05 - 8192 ×9的FIFO
低功耗
- 活动： 330毫瓦（最大）
- 掉电： 18毫瓦（最大）
超高速-15纳秒的存取时间
异步和同步读写
提供的数据容量优化组合，小脚印
和功能灵活性
理想的双向，宽度扩大，深度扩展，巴士─
匹配和数据分类应用
状态标志：空，半满，满
自动重发功能
高性能CEMOS 技术
节省空间的TSSOP封装
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
°
°
功能框图
数据输入
（ DA
0
-DA
8
)
WA
写
控制
写
指针
三
状态
缓冲器
RSA
WB
写
控制
写
指针
数据输入
（ DB
0
-dB
8
)
RSB
内存
数组a
512 x 9
1,024 x 9
2,048 x 9
4,096 x 9
8,192 x 9
读
指针
内存
数组a
512 x 9
1,024 x 9
2,048 x 9
4,096 x 9
8,192 x 9
读
指针
三
状态
缓冲器
RA
读
控制
旗
逻辑
扩张
逻辑
RESET
逻辑
读
控制
旗
逻辑
扩张
逻辑
RESET
逻辑
夏
XOA / HFA
FFA
全民教育
数据
输出
（ QA
0
-Qa
8
)
FLA / RTA
RB
厦门国际银行
XOB / HFB
FFB
EFB
数据
输出
（ QB
0
-qb
8
)
FLB / RTB
3966 DRW 01
1999年8月
1
1999
集成设备技术有限公司
DSC-3966/-
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
商业级温度范围
引脚配置
FFA
QA
0
QA
1
QA
2
QA
3
QA
8
GND
RA
QA
4
QA
5
QA
6
QA
7
XOA / HFA
全民教育
FFB
QB
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
8
GND
RB
QB
4
QB
5
QB
6
QB
7
XOB / HFB
EFB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
夏
DA
0
DA
1
DA
2
DA
3
DA
8
WA
V
CC
DA
4
DA
5
DA
6
DA
7
FLA / RTA
RSA
厦门国际银行
DB
0
DB
1
DB
2
DB
3
DB
8
WB
V
CC
DB
4
DB
5
DB
6
DB
7
FLB / RTB
RSB
3966 DRW 02
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
储存温度
直流输出电流
广告
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
(1)
V
IL
(2)
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
广告
分钟。
3.0
0
2.0
—
0
典型值。
3.3
0
—
—
—
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.5
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
注意事项：
1.对于
RT / RS / XI
输入，V
IH
= 2.6V （商业） 。
2. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
TSSOP （ SO56-2 ，订货代码： PA ）
顶视图
电容
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
直流电气
特征
(1)
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
IDT72V81
IDT72V82
IDT72V83
IDT72V84
IDT72V85
广告
t
A
= 15 ， 20纳秒
符号
I
LI(1)
I
LO(2)
V
OH
V
OL
I
CC1(3,4)
I
CC2(3,5)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“ 1 ”电压
I
OH
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压
I
OL
= 8毫安
有源电源电流（两个FIFO ）
待机电流（R = W = RS = FL / RT = V
IH
)
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
100
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
注意：
1.特点值，目前尚未进行测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
见图1
3.3V
330
TO
产量
针
510
30pF*
注意事项：
1.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
2.
R
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
3.测试与产出开放（I
OUT
= 0).
4.测试在f = 20兆赫。
5.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V 。
3966 DRW 03
或等效电路
图1.输出负载
*包括范围和臂电容。
2
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
商业级温度范围
AC电气特性
(1)
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
广告
IDT72V81L15
IDT72V82L15
IDT72V83L15
IDT72V84L15
IDT72V85L15
符号
t
S
t
RC
t
A
t
RR
t
乡郊小工程
t
RLZ
t
WLZ
t
DV
t
RHZ
t
WC
t
预激
t
WR
t
DS
t
DH
t
RSC
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RTC
t
RT
t
RTS
t
RTR
t
英语
t
仁人家园， FFH
t
RTF
t
REF
t
RFF
t
RPE
t
世界经济论坛
t
WFF
t
WHF
t
RHF
t
WPF
t
XOL
t
XOH
t
XI
t
XIR
t
XIS
参数
移频
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
(2)
读取脉冲低到数据总线的低Z
(3)
写脉冲高到数据总线的低Z
(3, 4)
数据有效期从读脉冲高
读取脉冲高到数据总线的高Z
(3)
写周期时间
把脉冲宽度
(2)
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
重置周期时间
复位脉冲宽度
(2)
复位建立时间
(3)
复位恢复时间
重发周期时间
重发脉冲宽度
(2)
转播建立时间
(3)
重发恢复时间
重置为空标志低
重置为半满和全旗高
转播低到旗有效
读低到空标志低
读高到满标志高
读后脉宽
EF
高
写高到空标志高
写低位为全旗低
写低半满标志低
读高至半满标志高
写操作之后脉宽
FF
高
读/写
XO
低
读/写
XO
高
XI
脉冲宽度
(2)
XI
恢复时间
XI
建立时间
分钟。
—
25
—
10
15
3
5
5
—
25
15
10
11
0
25
15
15
10
25
15
15
10
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
15
—
—
15
10
10
马克斯。
40
—
15
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
25
25
15
15
—
15
15
25
25
—
15
15
—
—
—
—
30
—
10
20
3
5
5
—
30
20
10
12
0
30
20
20
10
30
20
20
10
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
20
—
—
20
10
10
IDT72V81L20
IDT72V82L20
IDT72V83L20
IDT72V84L20
IDT72V85L20
分钟。
马克斯。
33.3
—
20
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
30
30
20
20
—
20
20
30
30
—
20
20
—
—
—
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.计时在AC测试条件引用。
2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
4.仅适用于读取数据的流通方式。
3
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
商业级温度范围
单设备模式时，此引脚充当重传输入。单个器件
模式是通过接地扩张（十一）发起的。
该IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85可以使重发
当启用重传控制（ RT）输入数据脉冲低。再送
操作将在内部读指针设定在第一位置，并不会影响
写指针。读使能（ R）和写使能（ W）必须在高
重发的IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85 respec-期间状态
tively 。该功能是非常有用的，当小于512 / 1024 / 2048 / 4096 / 8192的写入
复位之间被执行。重传功能是不兼容
深度扩展模式，并会影响到半满标志（ HF ） ，根据
的读出和写入指针的相对位置。
扩展IN（
XI
)
该输入是一个双功能引脚。膨胀在（Ⅺ ）被接地，以指示
在单个设备模式的操作。膨胀在（Ⅺ ）被连接到
扩建前一设备的输出（ XO ）的深度扩张或菊花
链模式。
信号说明
输入：
DATA IN （D
0
– D
8
)
数据输入9位宽度的数据。
复位（
RS
)
每当复位（ RS）的输入取为低电平状态复位来实现的。
在复位过程中，无论是内部读和写指针被设置到所述第一位置。
复位之后写操作前开机才能进行必需的。
两
在读使能（
R
）和写使能（
W
）输入必须在高
窗口中的状态显示在图2中， （即，叔
RSS
前上涨
边缘
RS
）应该不会改变，直到吨
RSR
后的上升沿
卢比。
RS
半满标志（
HF
）将被重置为高复位后（
RS
).
写使能（
W
)
写周期在此输入的下降沿开始，如果满标志（ FF ）
未设置。数据建立时间和保持时间必须遵守相对于所述上升
写的边缘使能（ W）上。数据被存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿
操作时，半满标志（ HF）将被设置为低，并会保持直到
和写指针之间的差的读出指针是小于或等于
二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF） ，然后复位
由读操作的上升沿。
为了防止数据溢出，满标志（ FF）将变低，抑制了进一步的写
操作。当完成一个有效的读操作时，满标志（ FF ）
会去吨后高
RFF
，允许一个有效的写操作开始。当FIFO满时，该
内部写指针从冻结
W,
在这样的外部变化
W
不会影响
FIFO中，当它满。
读使能（
R
)
一个读周期的读使能（ R）提供的下降沿启动
空标志（ EF ）未设置。该数据被存取的一个先入/先出的基础上，
独立于任何正在进行的写入操作。后读使能（ R）变高，
数据输出（Q
0
– Q
8
）将返回到一个高阻抗状态，直到
接下来的读操作。当所有数据已被从FIFO中时，空读
标志（ EF）将变为低电平，使“最后的”读周期，但进一步抑制读
操作与残留在高阻抗状态下的数据输出。一旦
有效的写操作已经完成，空标志（ EF）将变为高电平
吨后
世界经济论坛
和一个有效的读取就可以开始了。当FIFO是空的，内部
读指针从冻结
R
在这样的外部变化
R
不会影响到FIFO中
当它是空的。
首先加载/重传（
FL RT
)
FL / RT
这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，该引脚为
接地，以表明它是第一加载（见操作模式） 。在
控制：
输出：
满标志（
FF
)
的满标志（ FF），将变低，抑制了进一步的写操作中，当写
指针是一个位置比读指针少，表明该装置是满的。
如果读指针没有复位（ RS）后移动时，满标志（ FF），将变低
512写的IDT72V81后， 1024写的IDT72V82 ， 2048写
为IDT72V83 ， 4096写的IDT72V84和8,192写的
IDT72V85.
空标志（
EF
)
当空标志（ EF）将变低，进一步抑制读取操作，
读指针等于写指针，指示该设备是
空。
EXPANSION OUT /半满标志（
XO HF
)
XO / HF
这是一个双重目的的输出。在单个设备模式， Expan-时
锡永在（Ⅺ）是接地的，该输出用作一个半满存储器的指示。
后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿
操作时，半满标志（ HF ）将被置为低电平，并保持直到
的写指针和读指针之间的差小于或等于
到二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF） ，然后复位
通过使用读出操作的上升沿。
在深度扩展模式，扩展（ XI ）与扩展
在菊花链上一个设备（ XO）通过提供一个脉冲到
接下来，当一台设备到达存储器的最后一个定位装置。
数据输出（Q
0
– Q
8
)
数据输出为9位宽度的数据。这个数据是在高阻抗的
条件只要读（r ）处于高状态。
4
IDT72V81/72V82/72V83/72V84/72V85
t
RSC
RS
W
t
RSS
R
t
英语
EF
t
仁人家园，
t
FFH
HF ， FF
注意事项：
1.
EF ， FF ， HF
复位过程中可能发生变化的状态，但标志将在t有效。
RSC
.
2.
W
和
R
= V
IH
周围的上升沿
卢比。
图2.复位
商业级温度范围
t
RS
t
RSS
t
RSR
3966 DRW 04
t
RC
t
A
R
t
RLZ
Q
0
-Q
8
t
预激
W
t
DS
D
0
-D
8
t
乡郊小工程
t
RR
t
DV
t
A
t
RHZ
数据输出有效
数据输出有效
t
WC
t
WR
t
DH
数据在有效
3966 DRW 05
数据在有效
图3.异步读写操作
上次写
R
忽视
写
FIRST READ
另外
读和写
第一次
写
W
t
WFF
FF
图4.全旗从上次写入先阅读
t
RFF
3966 DRW 06
5
查看更多IDT72V83L15PAPDF信息
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IDT72T3685L7BB
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