3.3伏的CMOS双SyncFIFO
双256 ×18 ，双512 ×18 ，
双1024 ×18 ，双2048 ×18
和双4096 ×18
IDT72V805
IDT72V815
IDT72V825
IDT72V835
IDT72V845
产品特点：
该IDT72V805相当于两个IDT72V205 256× 18个FIFO
该IDT72V815相当于两个IDT72V215 512× 18个FIFO
该IDT72V825相当于两个IDT72V225 1024 ×18的FIFO
该IDT72V835相当于两个IDT72V235 2048 ×18的FIFO
该IDT72V845相当于两个IDT72V245 4096 ×18的FIFO
提供大容量（ 8K ） ，高速优化组合，
设计灵活，占地面积小
非常适合以下应用：
- 网络切换
- 并行数据的两个优先级
双向数据传输
- 18位和36位数据通道之间的总线匹配
- 宽度扩展到每包36位
- 深度扩展至每包8192字
10纳秒的读/写周期时间
5V输入容限
IDT标准或第一个字告吹时机
单或双寄存器缓冲空和满的标志
在深度和宽度易于扩展
异步或重合读写时钟
异步或同步可编程几乎空
和几乎全部的标志使用默认设置
半满标志功能
输出使能输出数据总线的高阻抗状态
高性能的亚微米CMOS技术
采用128引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
描述：
该IDT72V805 / 72V815 / 72V825 / 72V835 / 72V845是双18位宽
同步（定时）先入，先出（FIFO ）设计为运行存储器
关闭3.3V的电源电压非常低的功耗。一个双
IDT72V805 / 72V815 / 72V825 / 72V835 / 72V845设备在功能上是等价
借给两个IDT72V205 / 72V215 / 72V225 / 72V235 / 72V245的FIFO在一个
打包了所有相关的控制，数据和标志分配给行
独立的引脚。这些设备是极高速，低功耗的先入
先出（FIFO ）存储器与时钟的读写控制。这些
功能框图
FFA / IRA
WCLKA
WENA
HFA / （ WXOA ）
PAEa
EFA /
ORA
WCLKB
WENB
PAFA
DA
0
-DA
17
LDA
DB0-DB17
六味地黄丸
输入
注册
OFFSET
注册
输入
注册
OFFSET
注册
FFB / IRB
PAFB
EFB / ORB
PAEB
HFB / （ WXOB ）
写
控制
逻辑
写
指针
FLA
WXIA
（ HFA ） / WXOA
RXIA
RXOA
RSA
内存
ARRAY
256 x 18
512 x 18
1,024 x 18
2,048 x 18
4,096 x 18
旗
逻辑
写
控制
逻辑
读
指针
读
控制
逻辑
写
指针
内存
ARRAY
256 x 18
512 x 18
1,024 x 18
2,048 x 18
4,096 x 18
旗
逻辑
读
指针
读
控制
逻辑
扩张
逻辑
产量
注册
扩张
逻辑
产量
注册
RESET
逻辑
RESET
逻辑
OEA
QA
0
-Qa
17
RCLKA
RENA
RSB
RXOB
RXIB
（ HFB ） / WXOB
WXIB
FLB
OEB
QB
0
-qb
17
RCLKB
RENB
4295 DRW 01
IDT标志为注册商标， SyncFIFO是集成设备技术公司的商标。
商用和工业温度范围
1
2001年集成设备技术有限公司
2001年4月
DSC-4295/1
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
描述（续）
FIFO都适用于各种各样的数据缓冲的需要，如
光盘控制器，局域网（ LAN）的，和处理器间
通信。
每个包含在这些设备上的两个FIFO的有一个18位输入
和输出端口。每个输入端口通过一个自由运行的时钟控制
（ WCLK ） ，和一个输入使能引脚（ WEN） 。数据被读入到同步
FIFO在每个时钟时，
文
为有效。各FIFO的输出端口
银行是由另一个时钟引脚（ RCLK ）控制，另一种使能引脚
（ REN） 。读时钟可连接到所述写时钟为单个时钟
操作或两个时钟可以运行彼此异步为双
时钟操作。一输出使能引脚（OE ）设置在所述读端口
每个FIFO的输出三态控制。
在同步FIFO有两个固定的标志，空标志/输出就绪
（ EF / OR）和全旗/输入就绪（ FF / IR ）和两个可编程的标志，
几乎空（ PAE ）和几乎全部（ PAF ） 。的偏置负载
可编程的标志是通过一个简单的状态机控制，并且启动
通过断言加载销（LD）。半满标志（ HF）可用于每个
被实现为单个设备的FIFO。
有操作这些设备的两种可能的定时方式：
IDT标准模式，第一个字告吹（ FWFT ）模式。
在IDT标准模式，第一个字写入空FIFO不会
出现在数据输出线，除非一个具体的读操作是
进行。读操作，其中包括激活的
任
和
使一个上升RCLK边缘，将这个词从内存到移位
数据输出线。
在FWFT模式中，写入FIFO为空的第一个字是直接主频
到RCLK信号的3转换后的数据输出线。一
任
没有被断言为访问的第一个字。
这些器件的深度扩展使用菊花链技术或
第一个字告吹（ FWFT ）模式。该
XI
和
XO
引脚用于
扩大的FIFO 。在深度扩展配置，
FL
接地上
所述第一设备，并设置到高，在菊花链的所有其他设备。
该IDT72V805 / 72V815 / 72V825 / 72V835 / 72V845使用制造
IDT的高速亚微米CMOS技术。
销刀豆网络gurations
指数
128
127
126
125
124
123
122
121
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
WXIA
WENA
WCLKA
FLA
PAEa
DA0
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
DA7
DA8
DA9
DA10
DA11
DA12
DA13
DA14
DA15
DA16
DA17
GND
RCLKA
RENA
QB0
QB1
GND
QB2
QB3
V
CC
QB4
GND
QB5
QB6
QB7
QB8
GND
QB9
QB10
V
CC
QB11
QB12
GND
QB13
QB14
V
CC
QB15
GND
QB16
QB17
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
V
CC
PAFA
RXIA
FFA
WXOA / HFA
RXOA
QA0
QA1
GND
QA2
QA3
V
CC
QA4
GND
QA5
QA6
QA7
QA8
GND
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
PAEB
FLB
WCLKB
WENB
WXIB
V
CC
PAFB
RXIB
FFB
WXOB / HFB
RXOB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
LDA
OEA
RSA
V
CC
GND
全民教育
QA17
QA16
GND
QA15
V
CC
QA14
QA13
GND
QA12
QA11
V
CC
QA10
QA9
DB8
DB9
DB10
DB11
DB12
DB13
DB14
DB15
DB16
DB17
GND
RCLKB
RENB
六味地黄丸
OEB
RSB
V
CC
GND
EFB
4295 DRW 02
TQFP （ PK128-1 ，订货代码： PF ）
顶视图
2
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
引脚说明
符号
DA
0
-DA
17
RSA
WCLKA
WCLKB
WENA
WENB
RCLKA
RENA
RENB
OEA
LDA
六味地黄丸
FLA
FLB
名字
数据输入
DB
0
-dB
17
RESET
RSB
写时钟
写使能
读时钟
RCLKB
读使能
OUTPUT ENABLE
OEB
负载
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
数据输入一个18位的总线。
当
RS
置为低电平，内部读和写指针被设置到RAM阵列的第一位置，
FF
和
PAF
变为高电平，并且
PAE
和
EF
变低。上电后最初的写操作之前，需要进行重置。
当
文
为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变，如果FIFO没有满。
当
文
为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK每低到高的转变。
当
文
为高电平时，FIFO保持之前的数据。数据将不被写入到FIFO中，如果
FF
是低的。
当
任
是LOW时，数据被从FIFO读出的RCLK的一个低到高的跳变，如果FIFO是不
空。
当
任
为低电平时，数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。当
任
为高电平时，输出寄存器保存的先前的数据。数据将不会被从FIFO读出，如果
EF
是低的。
当
OE
为低电平时，数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时，输出的数据总线将在一个
高阻抗状态。
当
LD
是低电平，在输入端D0- D11，数据被写入偏移量和深度的寄存器上的低到高
在WCLK ，当过渡
文
是低的。当
LD
是低电平，在输出端Q0- Q11的数据从读
当在RCLK的低到高的转变偏移和深度寄存器，
任
是低的。
在单个设备或宽度扩展配置，
FL
再加上
WXI
和
RXI
etermine如果模式是IDT的
标准模式或第一个字告吹（ FWFT ）模式，以及是否
PAE / PAF
标志是同步的
或异步的。 （见表一），菊花链深度扩展配置，
FL
被接地的第一
设备（第一次加载器）并设置为HIGH在菊花链中的所有其他设备。
在单个设备或宽度扩展配置，
WXI
再加上
FL
和
RXI
输入确定模式
是IDT标准模式或FWFT模式，以及是否
PAE / PAF
标志是同步的或异步的。
（见表1 ），菊花链深度扩展配置，
WXI
被连接到
WXO
（写扩展
从之前的设备中） 。
在单个设备或宽度扩展配置，
RXI
再加上
FL
和
WXI ，
输入确定模式
是IDT标准模式或FWFT模式，以及是否
PAE / PAF
标志是同步的或异步的。
（见表1 ），菊花链深度扩展配置，
RXI
被连接到
RXO
（阅读
扩展出）以前的设备。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
表示FIFO存储器是否已满。
在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写入到
FIFO存储器。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
表示FIFO存储器是否为
空。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
表示是否存在可用的有效数据
的输出。
当
PAE
为低电平时，FIFO几乎是空的基于所述偏置编程到FIFO。默认偏移
复位时为31空IDT72V805LB ， 63空IDT72V815LB ，并从127空IDT7V2825LB /
72V835LB/72V845LB.
当
PAF
为低电平时，FIFO几乎满基于所述偏移编程到FIFO中。默认偏移
复位时是31全的IDT72V805LB ， 63全为IDT72V815LB ，并从127全额IDT72V825LB /
72V835LB/72V845LB.
在单个设备或宽度扩展配置中，设备是超过半满输出/半满标志
当
HF
为LOW 。在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
WXO
to
WXI
下一个器件的
当在FIFO中的最后位置被写入。
在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
RXO
to
RXI
下一个设备的最后位置时，
在FIFO被读出。
数据输出为18位的总线。
+ 3.3V电源引脚。
接地引脚。
描述
先装
I
WXIA
WXIB
写扩张
I
RXIA
RXIB
扩展阅读
I
FFA / IRA
FFB / IRB
EFA / ORA
EFB / ORB
PAEa
PAEB
PAFA
PAFB
WXOA / HFA
WXOB / HFB
RXOA
RXOB
QA
0
-Qa
17
QB
0
-qb
17
V
CC
GND
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎空标志
可编程
几乎满标志
写扩张
O
O
O
O
O
扩展阅读
OUT
数据输出
动力
地
O
O
3
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5 + 5
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
推荐工作DC
条件
符号
参数
V
CC
电源电压
商业/工业
GND
V
IH
V
IL
(1)
电源电压
输入高电压
商业/工业
输入低电压
商业/工业
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
3.0
0
2.0
—
0
-40
典型值。
3.3
0
—
—
—
马克斯。
3.6
0
5.0
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
°C
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
T
A
T
A
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 3.3V
±
0.3V ， TA = -40 ° C至+ 85°C ）
IDT72V805
IDT72V815
IDT72V825
IDT72V835
IDT72V845
商业&工业
(1)
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
典型值。
—
—
—
—
—
—
符号
I
LI
(2)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
60
10
单位
A
A
V
V
mA
mA
I
LO
(3)
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
注意事项：
1.工业温度范围的产品为15ns的速度等级可作为标准设备。
2.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
3.
OE
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
4.测试与输出禁用（我
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.典型I
CC1
= 2[2.04 + 0.88*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
] （单位为mA） 。
这些方程是有效的在下列条件下：
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平） ，数据在f开关
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
7，所有输入= V
CC
-0.2V或GND + 0.2V ，除了RCLK和WCLK ，即在20MHz切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.取消输出（ OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
4
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
AC电气特性
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 3.3V
±
0.3V ， TA = -40 ° C至+ 85°C ）
广告
IDT72V805L10
IDT72V815L10
IDT72V825L10
IDT72V835L10
IDT72V845L10
分钟。
马克斯。
100
—
2
6.5
10
—
4.5
—
4.5
—
3
—
0.5
—
3
—
0.5
—
10
—
8
—
8
—
—
15
0
—
—
6
1
6
—
6.5
—
6.5
—
17
—
—
—
—
—
3
3
5
14
8
17
8
17
6.5
—
—
—
—
Com'l & Ind'l
(2)
IDT72V805L15
IDT72V815L15
IDT72V825L15
IDT72V835L15
IDT72V845L15
分钟。
马克斯。
66.7
—
2
10
15
—
6
—
6
—
4
—
1
—
4
—
1
—
15
—
10
—
10
—
—
15
0
—
3
8
3
8
—
10
—
10
—
20
—
—
—
—
—
6.5
5
6
18
10
20
10
20
10
—
—
—
—
广告
IDT72V805L20
IDT72V815L20
IDT72V825L20
IDT72V835L20
IDT72V845L20
分钟。
马克斯。
50
兆赫
2
12
20
—
8
—
8
—
5
—
1
—
5
—
1
—
20
—
12
—
12
—
—
20
0
—
3
10
3
10
—
12
—
12
—
22
—
—
—
—
—
8
8
8
20
12
22
12
22
12
—
—
—
—
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
PAFA
t
PAFS
t
PAEa
t
PAES
t
HF
t
XO
t
XI
t
XIS
t
SKEW1
t
SKEW2
(4)
参数
时钟周期频率 -
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(1)
复位设置时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能，以在低Z输出
(3)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(3)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
时钟异步编程
几乎满标志
写时钟来同步
可编程几乎满标志
时钟异步编程
几乎空标志
读时钟来同步
可编程几乎空标志
时钟到半满标志
时钟输出扩展
扩展脉冲宽度
扩大建立时间
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为
FF / IR
和
EF /或
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为
PAE
和
PAF
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
2，工业级温度范围的产品为15ns的速度等级可作为标准设备。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
4. t
SKEW2
适用于同步
PAE
和同步
PAF
只。
3.3V
330
D.U.T.
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
5
510
30pF*
4295 DRW 03
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
3.3伏的CMOS双SyncFIFO
双256 ×18 ，双512 ×18 ，
双1024 ×18 ，双2048 ×18
和双4096 ×18
IDT72V805
IDT72V815
IDT72V825
IDT72V835
IDT72V845
产品特点：
该IDT72V805相当于两个IDT72V205 256× 18个FIFO
该IDT72V815相当于两个IDT72V215 512× 18个FIFO
该IDT72V825相当于两个IDT72V225 1024 ×18的FIFO
该IDT72V835相当于两个IDT72V235 2048 ×18的FIFO
该IDT72V845相当于两个IDT72V245 4096 ×18的FIFO
提供大容量（ 8K ） ，高速优化组合，
设计灵活，占地面积小
非常适合以下应用：
- 网络切换
- 并行数据的两个优先级
双向数据传输
- 18位和36位数据通道之间的总线匹配
- 宽度扩展到每包36位
- 深度扩展至每包8192字
10纳秒的读/写周期时间
5V输入容限
IDT标准或第一个字告吹时机
单或双寄存器缓冲空和满的标志
在深度和宽度易于扩展
异步或重合读写时钟
异步或同步可编程几乎空
和几乎全部的标志使用默认设置
半满标志功能
输出使能输出数据总线的高阻抗状态
高性能的亚微米CMOS技术
采用128引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
描述：
该IDT72V805 / 72V815 / 72V825 / 72V835 / 72V845是双18位宽
同步（定时）先入，先出（FIFO ）设计为运行存储器
关闭3.3V的电源电压非常低的功耗。一个双
IDT72V805 / 72V815 / 72V825 / 72V835 / 72V845设备在功能上是等价
借给两个IDT72V205 / 72V215 / 72V225 / 72V235 / 72V245的FIFO在一个
打包了所有相关的控制，数据和标志分配给行
独立的引脚。这些设备是极高速，低功耗的先入
先出（FIFO ）存储器与时钟的读写控制。这些
功能框图
FFA / IRA
WCLKA
WENA
HFA / （ WXOA ）
PAEa
EFA /
ORA
WCLKB
WENB
PAFA
DA
0
-DA
17
LDA
DB0-DB17
六味地黄丸
输入
注册
OFFSET
注册
输入
注册
OFFSET
注册
FFB / IRB
PAFB
EFB / ORB
PAEB
HFB / （ WXOB ）
写
控制
逻辑
写
指针
FLA
WXIA
（ HFA ） / WXOA
RXIA
RXOA
RSA
内存
ARRAY
256 x 18
512 x 18
1,024 x 18
2,048 x 18
4,096 x 18
旗
逻辑
写
控制
逻辑
读
指针
读
控制
逻辑
写
指针
内存
ARRAY
256 x 18
512 x 18
1,024 x 18
2,048 x 18
4,096 x 18
旗
逻辑
读
指针
读
控制
逻辑
扩张
逻辑
产量
注册
扩张
逻辑
产量
注册
RESET
逻辑
RESET
逻辑
OEA
QA
0
-Qa
17
RCLKA
RENA
RSB
RXOB
RXIB
（ HFB ） / WXOB
WXIB
FLB
OEB
QB
0
-qb
17
RCLKB
RENB
4295 DRW 01
IDT标志为注册商标， SyncFIFO是集成设备技术公司的商标。
商用和工业温度范围
1
2001年集成设备技术有限公司
2001年4月
DSC-4295/1
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
描述（续）
FIFO都适用于各种各样的数据缓冲的需要，如
光盘控制器，局域网（ LAN）的，和处理器间
通信。
每个包含在这些设备上的两个FIFO的有一个18位输入
和输出端口。每个输入端口通过一个自由运行的时钟控制
（ WCLK ） ，和一个输入使能引脚（ WEN） 。数据被读入到同步
FIFO在每个时钟时，
文
为有效。各FIFO的输出端口
银行是由另一个时钟引脚（ RCLK ）控制，另一种使能引脚
（ REN） 。读时钟可连接到所述写时钟为单个时钟
操作或两个时钟可以运行彼此异步为双
时钟操作。一输出使能引脚（OE ）设置在所述读端口
每个FIFO的输出三态控制。
在同步FIFO有两个固定的标志，空标志/输出就绪
（ EF / OR）和全旗/输入就绪（ FF / IR ）和两个可编程的标志，
几乎空（ PAE ）和几乎全部（ PAF ） 。的偏置负载
可编程的标志是通过一个简单的状态机控制，并且启动
通过断言加载销（LD）。半满标志（ HF）可用于每个
被实现为单个设备的FIFO。
有操作这些设备的两种可能的定时方式：
IDT标准模式，第一个字告吹（ FWFT ）模式。
在IDT标准模式，第一个字写入空FIFO不会
出现在数据输出线，除非一个具体的读操作是
进行。读操作，其中包括激活的
任
和
使一个上升RCLK边缘，将这个词从内存到移位
数据输出线。
在FWFT模式中，写入FIFO为空的第一个字是直接主频
到RCLK信号的3转换后的数据输出线。一
任
没有被断言为访问的第一个字。
这些器件的深度扩展使用菊花链技术或
第一个字告吹（ FWFT ）模式。该
XI
和
XO
引脚用于
扩大的FIFO 。在深度扩展配置，
FL
接地上
所述第一设备，并设置到高，在菊花链的所有其他设备。
该IDT72V805 / 72V815 / 72V825 / 72V835 / 72V845使用制造
IDT的高速亚微米CMOS技术。
销刀豆网络gurations
指数
128
127
126
125
124
123
122
121
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
WXIA
WENA
WCLKA
FLA
PAEa
DA0
DA1
DA2
DA3
DA4
DA5
DA6
DA7
DA8
DA9
DA10
DA11
DA12
DA13
DA14
DA15
DA16
DA17
GND
RCLKA
RENA
QB0
QB1
GND
QB2
QB3
V
CC
QB4
GND
QB5
QB6
QB7
QB8
GND
QB9
QB10
V
CC
QB11
QB12
GND
QB13
QB14
V
CC
QB15
GND
QB16
QB17
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
V
CC
PAFA
RXIA
FFA
WXOA / HFA
RXOA
QA0
QA1
GND
QA2
QA3
V
CC
QA4
GND
QA5
QA6
QA7
QA8
GND
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
PAEB
FLB
WCLKB
WENB
WXIB
V
CC
PAFB
RXIB
FFB
WXOB / HFB
RXOB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
LDA
OEA
RSA
V
CC
GND
全民教育
QA17
QA16
GND
QA15
V
CC
QA14
QA13
GND
QA12
QA11
V
CC
QA10
QA9
DB8
DB9
DB10
DB11
DB12
DB13
DB14
DB15
DB16
DB17
GND
RCLKB
RENB
六味地黄丸
OEB
RSB
V
CC
GND
EFB
4295 DRW 02
TQFP （ PK128-1 ，订货代码： PF ）
顶视图
2
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
引脚说明
符号
DA
0
-DA
17
RSA
WCLKA
WCLKB
WENA
WENB
RCLKA
RENA
RENB
OEA
LDA
六味地黄丸
FLA
FLB
名字
数据输入
DB
0
-dB
17
RESET
RSB
写时钟
写使能
读时钟
RCLKB
读使能
OUTPUT ENABLE
OEB
负载
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
数据输入一个18位的总线。
当
RS
置为低电平，内部读和写指针被设置到RAM阵列的第一位置，
FF
和
PAF
变为高电平，并且
PAE
和
EF
变低。上电后最初的写操作之前，需要进行重置。
当
文
为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变，如果FIFO没有满。
当
文
为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK每低到高的转变。
当
文
为高电平时，FIFO保持之前的数据。数据将不被写入到FIFO中，如果
FF
是低的。
当
任
是LOW时，数据被从FIFO读出的RCLK的一个低到高的跳变，如果FIFO是不
空。
当
任
为低电平时，数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。当
任
为高电平时，输出寄存器保存的先前的数据。数据将不会被从FIFO读出，如果
EF
是低的。
当
OE
为低电平时，数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时，输出的数据总线将在一个
高阻抗状态。
当
LD
是低电平，在输入端D0- D11，数据被写入偏移量和深度的寄存器上的低到高
在WCLK ，当过渡
文
是低的。当
LD
是低电平，在输出端Q0- Q11的数据从读
当在RCLK的低到高的转变偏移和深度寄存器，
任
是低的。
在单个设备或宽度扩展配置，
FL
再加上
WXI
和
RXI
etermine如果模式是IDT的
标准模式或第一个字告吹（ FWFT ）模式，以及是否
PAE / PAF
标志是同步的
或异步的。 （见表一），菊花链深度扩展配置，
FL
被接地的第一
设备（第一次加载器）并设置为HIGH在菊花链中的所有其他设备。
在单个设备或宽度扩展配置，
WXI
再加上
FL
和
RXI
输入确定模式
是IDT标准模式或FWFT模式，以及是否
PAE / PAF
标志是同步的或异步的。
（见表1 ），菊花链深度扩展配置，
WXI
被连接到
WXO
（写扩展
从之前的设备中） 。
在单个设备或宽度扩展配置，
RXI
再加上
FL
和
WXI ，
输入确定模式
是IDT标准模式或FWFT模式，以及是否
PAE / PAF
标志是同步的或异步的。
（见表1 ），菊花链深度扩展配置，
RXI
被连接到
RXO
（阅读
扩展出）以前的设备。
在IDT标准模式中，
FF
功能被选择。
FF
表示FIFO存储器是否已满。
在FWFT模式中，
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写入到
FIFO存储器。
在IDT标准模式中，
EF
功能被选择。
EF
表示FIFO存储器是否为
空。在FWFT模式，则
OR
功能被选择。
OR
表示是否存在可用的有效数据
的输出。
当
PAE
为低电平时，FIFO几乎是空的基于所述偏置编程到FIFO。默认偏移
复位时为31空IDT72V805LB ， 63空IDT72V815LB ，并从127空IDT7V2825LB /
72V835LB/72V845LB.
当
PAF
为低电平时，FIFO几乎满基于所述偏移编程到FIFO中。默认偏移
复位时是31全的IDT72V805LB ， 63全为IDT72V815LB ，并从127全额IDT72V825LB /
72V835LB/72V845LB.
在单个设备或宽度扩展配置中，设备是超过半满输出/半满标志
当
HF
为LOW 。在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
WXO
to
WXI
下一个器件的
当在FIFO中的最后位置被写入。
在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
RXO
to
RXI
下一个设备的最后位置时，
在FIFO被读出。
数据输出为18位的总线。
+ 3.3V电源引脚。
接地引脚。
描述
先装
I
WXIA
WXIB
写扩张
I
RXIA
RXIB
扩展阅读
I
FFA / IRA
FFB / IRB
EFA / ORA
EFB / ORB
PAEa
PAEB
PAFA
PAFB
WXOA / HFA
WXOB / HFB
RXOA
RXOB
QA
0
-Qa
17
QB
0
-qb
17
V
CC
GND
全旗/
输入就绪
空旗/
输出就绪
可编程
几乎空标志
可编程
几乎满标志
写扩张
O
O
O
O
O
扩展阅读
OUT
数据输出
动力
地
O
O
3
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
广告
-0.5 + 5
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
推荐工作DC
条件
符号
参数
V
CC
电源电压
商业/工业
GND
V
IH
V
IL
(1)
电源电压
输入高电压
商业/工业
输入低电压
商业/工业
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
3.0
0
2.0
—
0
-40
典型值。
3.3
0
—
—
—
马克斯。
3.6
0
5.0
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
°C
°C
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
T
A
T
A
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 3.3V
±
0.3V ， TA = -40 ° C至+ 85°C ）
IDT72V805
IDT72V815
IDT72V825
IDT72V835
IDT72V845
商业&工业
(1)
t
CLK
= 10 ，15，20纳秒
典型值。
—
—
—
—
—
—
符号
I
LI
(2)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
60
10
单位
A
A
V
V
mA
mA
I
LO
(3)
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
注意事项：
1.工业温度范围的产品为15ns的速度等级可作为标准设备。
2.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
3.
OE
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
4.测试与输出禁用（我
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.典型I
CC1
= 2[2.04 + 0.88*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
] （单位为mA） 。
这些方程是有效的在下列条件下：
V
CC
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平） ，数据在f开关
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
7，所有输入= V
CC
-0.2V或GND + 0.2V ，除了RCLK和WCLK ，即在20MHz切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.取消输出（ OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
4
IDT72V805/72V815/72V825/72V835/72V845
3.3 V CMOS双SyncFIFO 256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 4096 ×18
商业和工业
温度范围
AC电气特性
（商业： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 3.3V
±
0.3V ， TA = -40 ° C至+ 85°C ）
广告
IDT72V805L10
IDT72V815L10
IDT72V825L10
IDT72V835L10
IDT72V845L10
分钟。
马克斯。
100
—
2
6.5
10
—
4.5
—
4.5
—
3
—
0.5
—
3
—
0.5
—
10
—
8
—
8
—
—
15
0
—
—
6
1
6
—
6.5
—
6.5
—
17
—
—
—
—
—
3
3
5
14
8
17
8
17
6.5
—
—
—
—
Com'l & Ind'l
(2)
IDT72V805L15
IDT72V815L15
IDT72V825L15
IDT72V835L15
IDT72V845L15
分钟。
马克斯。
66.7
—
2
10
15
—
6
—
6
—
4
—
1
—
4
—
1
—
15
—
10
—
10
—
—
15
0
—
3
8
3
8
—
10
—
10
—
20
—
—
—
—
—
6.5
5
6
18
10
20
10
20
10
—
—
—
—
广告
IDT72V805L20
IDT72V815L20
IDT72V825L20
IDT72V835L20
IDT72V845L20
分钟。
马克斯。
50
兆赫
2
12
20
—
8
—
8
—
5
—
1
—
5
—
1
—
20
—
12
—
12
—
—
20
0
—
3
10
3
10
—
12
—
12
—
22
—
—
—
—
—
8
8
8
20
12
22
12
22
12
—
—
—
—
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
PAFA
t
PAFS
t
PAEa
t
PAES
t
HF
t
XO
t
XI
t
XIS
t
SKEW1
t
SKEW2
(4)
参数
时钟周期频率 -
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(1)
复位设置时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能，以在低Z输出
(3)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(3)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
时钟异步编程
几乎满标志
写时钟来同步
可编程几乎满标志
时钟异步编程
几乎空标志
读时钟来同步
可编程几乎空标志
时钟到半满标志
时钟输出扩展
扩展脉冲宽度
扩大建立时间
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为
FF / IR
和
EF /或
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为
PAE
和
PAF
单位
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
2，工业级温度范围的产品为15ns的速度等级可作为标准设备。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
4. t
SKEW2
适用于同步
PAE
和同步
PAF
只。
3.3V
330
D.U.T.
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
5
510
30pF*
4295 DRW 03
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
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