IDT72V7230 / 7240 /七千二百六十〇分之七千二百五/七千二百八十零分之七千二百七十/七万二千一百分之七千二百九十3.3V高密度SUPERSYNC II
TM
FIFO
512× 72 , 1K X 72 , 2K X 72 , 4K X 72 , 8K ×36 , 16K X 72 , 32K X 72 , 64K X 72
商业级温度范围
引脚说明
符号
D
0
–D
71
太太
名字
数据输入
主复位
I / O
I
I
描述
数据输入为72- , 36-或18位总线。当在36-或18位模式下,未使用的输入引脚应与
低。
太太
初始化读写指针为零,并设置输出寄存器为全零。在主复位,
FIFO被配置为FWFT或IDT标准模式,总线匹配的配置,八一
可编程标志的默认设置中,偏移量设置串行或并行编程,大端/小端
格式,零延时时序模式,穿插平价,以及同步和异步编程
标志时序模式。
PRS
初始化读写指针为零,并设置输出寄存器为全零。在部分复位,
现有的模式( IDT或FWFT ) ,程序设计方法(串行或并行) ,以及可编程标志设置
全部保留。
RT
置在RCLK的上升沿将初始化读指针到零,则设置
EF
标志为低(或至
在FWFT模式高电平) ,并且不影响写指针,编程方法,现有的定时模式或
可编程标志的设置。
RT
是有用的,以从FIFO中的第一物理位置重新读取数据。
在主复位,将选择第一个字告吹或IDT标准模式。主复位后,该引脚功能
为加载一个串行输入偏移寄存器。
此销,随着IW和BM ,选择读端口的总线宽度。见表1总线宽度配置。
该引脚,以及OW和BM ,选择的写端口的总线宽度。见表1总线宽度配置。
BM适用于IW和OW选择总线规格为读写端口。见表1总线宽度
配置。
在主复位的低电平
BE
将选择大端操作。高一上在主复位
将选择小端格式。
在主复位的低电平RM会选择零延迟重发定时模式。在RM一个HIGH将选择
正常延迟模式。
在主复位的低电平PFM将选择异步编程标志时序模式。一个高点
PFM将选择同步可编程标志时序模式。
在主复位的低电平IP将选择非穿插校验方式。一高就会选择穿插
奇偶校验模式。
在主复位,这个输入以及FSEL1和
LD
销,将选择的缺省值的偏移值
可编程标志
PAE
和
PAF 。
可有多达8种可能的设置。
在主复位,这个输入以及FSEL0和
LD
引脚选择默认的偏移值的
可编程标志
PAE
和
PAF 。
可有多达8种可能的设置。
当启用
文,
WCLK的上升沿将数据写入到FIFO和偏移到可编程
注册了并行编程。
文
使WCLK用于写入数据到FIFO存储器和偏移量寄存器。
当启用
任,
RCLK的上升沿读取从FIFO存储器中的数据和偏移量从
可编程的寄存器。 ( RCS必须处于活动状态) 。
任
使RCLK为从FIFO存储器中读出的数据和偏移量寄存器。 ( RCS必须处于活动状态) 。
OE
提供Q的输出阻抗的异步控制
n.
在硕士或部分复位的
OE
输入的是,提供的数据输出高阻抗控制的唯一输入。
RCS
提供Q的读取端口和输出阻抗的同步控制
n,
同步到RCLK
.
中
硕士或部分复位的
RCS
输入不在乎,如果
OE
为低电平时,数据输出,将低阻抗
不管
RCS 。
当启用
SEN ,
SCLK的上升沿写入数据的一个比特(本从SI输入) ,进
可编程寄存器的串行编程。
SEN
使可编程标志偏移串行加载。
这是一个双重目的的销。在主复位,的状态
LD
随着FSEL0和FSEL1输入,
确定的8默认一个偏移值,用于
PAE
和
PAF
标志,以及该方法,以使这些
偏移量寄存器可以被编程,并行或串行(见表2)。主复位后,该引脚使能写
向和从偏移寄存器读出。
在IDT标准模式中,
FF
功能被选择。
FF
表示FIFO存储器是否已满。
在FWFT模式中,
IR
功能被选择。
IR
指示是否有可用空间用于写
到FIFO存储器。
5
PRS
部分复位
I
RT
重发
I
FWFT / SI
OW
IW
BM
BE
RM
PFM
IP
FSEL0
FSEL1
WCLK
文
RCLK
任
OE
RCS
第一个字秋季
通过/串行输入
输出宽度
输入宽度
总线匹配
大端/
小尾数
重发定时
模式
可编程
旗模式
穿插平价
标志选择位0
标志选择位1
写时钟
写使能
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
读片选
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
SCLK
SEN
LD
串行时钟输入
串行启用
负载
I
I
I
FF / IR
全旗/
输入就绪
O