【3.3伏的CMOS异步FIFO512 x 9, 1,024 x 9,2,048 x 9, 4,096】,IC型号IDT72V03L25J,IDT72V03L25J PDF资料,IDT72V03L25J经销商,ic,电子元器件-51电子网

3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9,

2,048 x 9, 4,096 x 9,

8,192 x 9, 16,384 x 9

IDT72V01 ， IDT72V02

IDT72V03 ， IDT72V04

IDT72V05 ， IDT72V06

产品特点：

描述：

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05 / 72V06是双端口FIFO

，在3.0V和3.6V之间的供电电压（Vcc ）运营的回忆。

他们的架构，功能操作和引脚分配是相同的

那些IDT7201的/ 7202 /七千二百○四分之七千二百○三/七千二百零六分之七千二百零五。这些设备负荷和

对先入/先出原则空数据。他们用满和空标志，以防止

数据上溢和下溢和扩展逻辑以允许无限

扩展能力在两个词的尺寸和深度。

在读取和写入的内部顺序通过使用环

指针，以装载和卸载数据不需要地址信息。数据

通过使用写（W）的和读切换中的设备的进出

（R ）引脚。该设备有一个最大的数据存取时间快25纳秒。

该装置利用一9位宽的数据阵列，以允许控制和奇偶校验位

在用户的选项。这个功能是在数据通信中是特别有用

应用中，有必要使用一个奇偶校验位的发送/接收

错误检查。他们还配备了重传（RT ）功能，允许

读指针复位到其初始位置时

RT

是脉冲的低电平，以允许

从数据的开头重发。一个半满标志的使用

单设备模式和宽度扩展模式。

这些FIFO使用IDT的高速CMOS技术制造。它

已被设计为那些需要异步和simul-应用

taneous读/写的多速率和缓存的应用程序。

3.3V系列使用更少的功率比5伏七千二百○二分之七千二百○一/ 7204分之7203 /

七千二百〇六分之七千二百〇五家庭

512× 9的组织（ 72V01 ）

1,024× 9的组织（ 72V02 ）

2048 ×9的组织（ 72V03 ）

4096 ×9的组织（ 72V04 ）

8,192 ×9的组织（ 72V05 ）

16,384 ×9的组织（ 72V06 ）

与720X系列功能兼容

低功耗

- 活动： 180毫瓦（最大）

- 掉电： 18毫瓦（最大）

15 ns访问时间

异步和同步读写

通过这两个词的深度和/或比特宽度充分膨胀

状态标志：空，半满，满

自动重发功能

可提供32引脚PLCC

°

工业级温度范围（？ 40 ° C至+ 85°C ），可

功能框图

数据输入

(D

0-

D

8

)

W

写

控制

写

指针

内存

ARRAY

512 x 9

1,024 x 9

2,048 x 9

4,096 x 9

8,192 x 9

16,384 x 9

读

指针

R

读

控制

三

状态

缓冲器

数据输出

(Q

0-

Q

8

)

RS

RESET

逻辑

FL / RT

旗

逻辑

扩张

逻辑

EF

FF

XI

XO / HF

3033 DRW 01

IDT和IDT标识是注册为Integrated Device Technology ， Inc.的商标。

商用和工业温度范围

1

2003年5月

DSC-3033/3

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05 / 72V06 3.3V异步FIFO

512 ×9 ， 1,024× 9 ， 2048 ×9 ， 4096 ×9 ， 8,192 ×9和16,384 ×9

商业和工业

温度范围

引脚配置

D

3

D

8

D

5

绝对最大额定值

符号

V

TERM

T

英镑

I

OUT

等级

端电压

相对于GND

储存温度

直流输出电流

Com'l & Ind'l

-0.5到+7.0

-55到+125

-50到+50

单位

V

指数

W

NC

V

CC

D

4

°

C

mA

4 3 2

1 32 31 30

D

2

D

1

D

0

XI

FF

Q

0

Q

1

NC

Q

2

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14 15 16 17 18 19 20

Q

8

GND

NC

R

29

28

27

26

25

24

23

22

21

D

6

D

7

NC

FL / RT

RS

EF

XO / HF

Q

7

Q

6

注意：

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作

该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能会影响其可靠性。

建议的直流工作

条件

符号

V

CC

GND

V

IH

(1)

V

IL

(2)

T

A

T

A

等级

电源电压

输入高电压

输入低电压

工作温度商用

工作温度工业

分钟。

3.0

0

2.0

—

0

–40

典型值。马克斯。

3.3

3.6

0

— V

CC

+0.5

—

0.8

—

70

85

单位

V

Q

3

Q

4

Q

5

3033 DRW 02B

°

C

°

C

PLCC （ J32-1 ，订货代码： J），

顶视图

注意事项：

1.对于

RT / RS / XI

输入，V

IH

= 2.6V （商业）。

为

RT / RS / XI

输入，V

IH

= 2.8V （军事）。

2. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。

DC电气特性

（商业： V

CC

= 3.3V ± 0.3V ，T

A

= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V

CC

= 3.3V ± 0.3V ，T

A

= -40 ° C至+ 85°C ）

IDT72V01

IDT72V02

IDT72V03

IDT72V04

商业&工业

(1)

t

A

= 15 ， 25 ， 35纳秒

符号

I

LI

(2)

I

LO

(3)

V

OH

V

OL

I

CC1

(4,5)

I

CC2

(4,6)

参数

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

输出逻辑“ 1 ”电压I

OH

= -2mA

输出逻辑“ 0 ”电压I

OL

= 8毫安

有源电源电流

待机电流（R = W = RS = FL / RT = V

IH

)

分钟。

–1

–10

2.4

—

马克斯。

1

10

—

0.4

60

5

IDT72V05

IDT72V06

商业&工业

(1)

t

A

= 15 ， 25 ， 35纳秒

分钟。

–1

–10

2.4

—

马克斯。

1

10

—

0.4

75

5

单位

A

V

mA

注意事项：

1.工业温度范围的产品为25ns的速度等级可作为标准设备。所有其他速度等级可通过特殊订单。

2.测量0.4

≤

V

IN

≤

V

CC

.

3.

R

≥

V

IH

, 0.4

≤

V

OUT

≤

V

CC

.

4.测试与产出开放（I

OUT

= 0).

5.测试在f = 20兆赫。

6.所有输入= V

CC

- 0.2V或GND + 0.2V 。

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

(1)

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

8

单位

pF

注意：

1.特点值，目前尚未进行测试。

2

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05 / 72V06 3.3V异步FIFO

512 ×9 ， 1,024× 9 ， 2048 ×9 ， 4096 ×9 ， 8,192 ×9和16,384 ×9

商业和工业

温度范围

AC电气特性

(1)

（商业： V

CC

= 3.3V ± 0.3V ，T

A

= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V

CC

= 3.3V ± 0.3V ，T

A

= -40 ° C至+ 85°C ）

IDT72V01L15

IDT72V02L15

IDT72V03L15

IDT72V04L15

IDT72V05L15

IDT72V06L15

分钟。

马克斯。

—

40

25

—

15

10

—

15

—

3

—

5

—

5

—

15

25

—

15

—

10

—

11

—

0

—

25

—

15

—

15

—

10

—

25

—

15

—

15

—

10

—

25

—

25

—

25

—

15

—

15

—

15

—

15

—

25

—

25

15

—

15

—

15

—

10

—

10

—

Com'l和Ind'l

(2)

IDT72V01L25

IDT72V02L25

IDT72V03L25

IDT72V04L25

IDT72V05L25

IDT72V06L25

分钟。

马克斯。

—

28.5

35

—

25

10

—

25

—

3

—

5

—

5

—

18

35

—

25

—

10

—

15

—

0

—

35

—

25

—

25

—

10

—

35

—

25

—

25

—

10

—

35

—

35

—

35

—

25

—

25

—

25

—

25

—

35

—

35

25

—

25

—

25

—

10

—

10

—

IDT72V01L35

IDT72V02L35

IDT72V03L35

IDT72V04L35

IDT72V05L35

IDT72V06L35

分钟。

马克斯。

—

22.2

45

—

35

10

—

35

—

3

—

5

—

5

—

20

45

—

35

—

10

—

18

—

0

—

45

—

35

—

35

—

10

—

45

—

35

—

35

—

10

—

45

—

45

—

45

—

30

—

30

35

—

30

—

30

—

45

—

45

35

—

35

—

35

—

10

—

10

—

符号

f

S

t

RC

t

A

t

RR

t

乡郊小工程

t

RLZ

t

WLZ

t

DV

t

RHZ

t

WC

t

预激

t

WR

t

DS

t

DH

t

RSC

t

RS

t

RSS

t

RSR

t

RTC

t

RT

t

RTS

t

RTR

t

英语

t

仁人家园， FFH

t

RTF

t

REF

t

RFF

t

RPE

t

世界经济论坛

t

WFF

t

WHF

t

RHF

t

WPF

t

XOL

t

XOH

t

XI

t

XIR

t

XIS

参数

移频

读周期时间

存取时间

阅读恢复时间

阅读脉宽

(3)

读取脉冲低到数据总线的低Z

(4)

写脉冲高到数据总线的低Z

(4,5)

数据有效期从读脉冲高

读取脉冲高到数据总线的高Z

(4)

写周期时间

把脉冲宽度

(3)

写恢复时间

数据建立时间

数据保持时间

重置周期时间

复位脉冲宽度

(3)

复位设置时间

(4)

复位恢复时间

重发周期时间

重发脉冲宽度

(3)

重发设置时间

(4)

重发恢复时间

重置为空标志低

重置为半满和全旗高

转播低到旗有效

读低到空标志低

读高到满标志高

读后脉宽

EF

高

写高到空标志高

写低位为全旗低

写低半满标志低

读高至半满标志高

写操作之后脉宽

FF

高

读/写

XO

低

读/写

XO

高

XI

脉冲宽度

(3)

XI

恢复时间

XI

建立时间

单位

兆赫

ns

注意事项：

1.计时在AC测试条件引用。

2，工业级温度范围的产品为25ns的速度等级可作为标准设备。

所有其他速度等级可通过特殊订单。

3.脉冲宽度小于最小值是不允许的。

4.价值由设计保证，目前尚未进行测试。

5.仅适用于读取数据的流通模式。

3.3V

330

D.U.T.

510

30pF*

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

5ns

1.5V

见图1

3

3033 DRW 03

或等效电路

图1.输出负载

*包括范围和夹具电容。

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05 / 72V06 3.3V异步FIFO

512 ×9 ， 1,024× 9 ， 2048 ×9 ， 4096 ×9 ， 8,192 ×9和16,384 ×9

商业和工业

温度范围

信号说明

输入：

DATA IN （D

0

– D

8

)

数据输入9位宽度的数据。

控制：

复位（RS）

每当复位（ RS ）输入被带到一个低复位完成

状态。在复位过程中，无论是内部读和写指针被设置到第一

位置。复位是上电后前一个写操作可以采取必要

的地方。

无论是读使能（ R）和写使能（ W）输入必须

在图2中，（即，叔所示的窗口期间在HIGH状态

RSS

的上升沿之前

RS

）应该不会改变，直到吨

RSR

后

的上升沿

卢比。

半满标志（ HF ）将被重置为高电平后，

复位（RS）。

写使能（ W）

写周期在此输入的下降沿开始，如果满标志（ FF ）

未设置。数据建立时间和保持时间必须坚持就上升

写的边缘使能（ W）上。数据被存储在RAM阵列顺序地和

独立于任何正在进行读操作。

后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿

操作时，半满标志（ HF）将被设置为低，并会保持直到

和写指针之间的差的读出指针是小于或等于

二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF），然后复位

由读操作的上升沿。

为了防止数据溢出，满标志（ FF）将变低，进一步抑制

写操作。当完成一个有效的读操作，全旗

（ FF ）会去吨后高

RFF

，允许一个有效的写操作开始。当FIFO

被充满，内部写指针被从阻止

W,

在这样的外部变化

W

将

不会影响到FIFO中时，它是满的。

读使能（R ）

一个读周期的读使能（ R）提供的下降沿启动

空标志（ EF ）未设置。该数据被存取的一个先入/先出的基础上，

独立于任何正在进行的写入操作。后读使能（ R）去

高电平时，数据输出（Q

0

– Q

8

）将返回到一个高阻抗状态，直到

下一次读操作。当所有数据已被从FIFO中时，空读

标志（ EF）将变为低电平，使“最后的”读周期，但进一步抑制读

操作与残留在高阻抗状态下的数据输出。一旦

有效的写操作已经完成，空标志（ EF）将变为高电平

吨后

世界经济论坛

和一个有效的读取就可以开始了。当FIFO是空的，内部

读指针从冻结

R

在这样的外部变化

R

不会影响到FIFO中

当它是空的。

首先加载/重传（ FL / RT ）

这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，该引脚为

接地，以表明它是第一加载（见操作模式）。在单

设备模式时，此引脚充当重传输入。单个器件模式是

通过接地扩张（十一）发起的。

这些FIFO可以使重传数据时，重传启用

控制（ RT ）输入脉冲低电平。重传操作将设置内部读

指针到第一位置，并不会影响写指针。读使能（ R）

和写使能（W ）必须在高态重发过程中。此功能

当小于512 / 1024 / 2048 / 4096 / 8192 / 16384写操作是非常有用的

复位之间进行。重传功能是不兼容

深度扩展模式，并会影响到半满标志（ HF ），根据

的读出和写入指针的相对位置。

扩展IN（十一）

该输入是一个双功能引脚。膨胀在（Ⅺ ）被接地，以指示

在单个设备模式的操作。膨胀在（Ⅺ ）被连接到

扩建前一设备的输出（ XO ）的深度扩张或菊花

链模式。

输出：

满标志（ FF ）

的满标志（ FF），将变低，抑制了进一步的写操作中，当

写指针是一个位置比读指针少，表明该设备

已满。如果读指针不复位（ RS ）后移，全旗（ FF ）会

变为低电平后512 / 1024 / 2048 / 4096 / 8192 / 16,384写入IDT72V01 /

72V02/72V03/72V04/72V05/72V06.

空标志（ EF ）

当空标志（ EF）将变低，进一步抑制读取操作，

读指针等于写指针，指示该设备是否为空。

EXPANSION OUT /半满标志（ XO / HF）

这是一个双重目的的输出。在单设备模式，扩展时

在（Ⅺ）是接地的，该输出用作一个半满存储器的指示。

后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿

操作时，半满标志（ HF ）将被置为低电平，并保持直到

和写指针之间的差的读出指针是小于或等于

二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF），然后复位

通过使用读出操作的上升沿。

在深度扩展模式，扩展（ XI ）与扩展

从以前的设备（ XO ）。该输出用作一个信号到下一个设备

在菊花链通过提供一个脉冲到下一个设备时，前一

设备到达存储器的最后一个位置。

数据输出（Q

0

– Q

8

)

数据输出为9位宽度的数据。这个数据是在高阻抗状态

每当读（r ）是在一个高的状态。

4

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 / 72V05 / 72V06 3.3V异步FIFO

512 ×9 ， 1,024× 9 ， 2048 ×9 ， 4096 ×9 ， 8,192 ×9和16,384 ×9

商业和工业

温度范围

t

RSC

RS

W

t

RSS

R

t

英语

EF

t

仁人家园，

t

FFH

HF ， FF

注意事项：

1.

EF ， FF ， HF

复位过程中可能发生变化的状态，但标志将在t有效。

RSC

.

2.

W

和

R

= V

IH

周围的上升沿

卢比。

3033 DRW 04

t

RS

t

RSS

t

RSR

图2.复位

t

RC

t

A

R

t

RLZ

Q

0

-Q

8

t

预激

W

t

DS

D

0

-D

8

t

RR

t

乡郊小工程

t

A

t

DV

t

RHZ

数据

OUT

有效

数据

OUT

有效

t

WC

t

WR

t

DH

数据

IN

有效

3033 DRW 05

数据

IN

有效

图3.异步读写操作

上次写

R

W

t

WFF

FF

忽视

写

FIRST READ

另外

读和写

第一次

写

t

RFF

3033 DRW 06

图4.全旗从上次写入先阅读

5

3.3伏的CMOS

异步FIFO

512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9

集成设备技术有限公司

IDT72V01

IDT72V02

IDT72V03

IDT72V04

产品特点：

3.3V系列采用低70 ％的功耗比5伏7201 /

04年2月3日家庭

512× 9的组织（ 72V01 ）

1024 ×9组织（ 72V02 ）

2048 ×9组织（ 72V03 ）

4096 X 9的组织（ 72V04 ）

与720X系列功能兼容

25 ns访问时间

异步和同步读写

通过两个单词的深度和/或位宽完全可扩展

状态标志：空，半满，满

自动重发功能

提供32引脚PLCC和28引脚SOIC封装（以

待定）

工业级温度范围（ -40

o

C至+ 85

o

C）是可用

能，测试军事电气规范

描述：

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04是双端口FIFO

即，在电源电压下工作的存储器（ Vcc的）

与3.0V和3.6V 。他们的架构，功能操作

灰和引脚分配的那些相同的IDT7201的/

7202/7203/7204 。对这些设备的负载和空数据

先入/先出的基础。他们用满和空标志

防止数据溢出和下溢和扩展逻辑

允许无限制的扩展能力在这两个词的大小和

深度。

在读取和写入是通过内部顺序

使用环指针，与需要，地址信息

加载和卸载数据。数据已切换至的设备的进出

通过使用的Write （）和读（）引脚。该器件

有一个最大的数据存取时间快25纳秒。

该装置利用一9位宽的数据阵列，以允许

控制与奇偶校验位在用户的选项。这个功能是

在数据通信的应用场合特别有用

有必要使用一个奇偶校验位的发送/接收

错误检查。他们还配备了重传（）功能

其允许读指针复位到其初始位置

当

是脉冲的低，以允许从所述重发

开始的数据。一个半满标志是在单可用

设备模式和宽度的扩展模式。

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04使用制造

IDT的高速CMOS技术。它被设计为

这些应用程序需要异步和同步

读/在多速率和缓存应用程序写入。

W

R

RT

功能框图

数据输入

(D

0

–D

8

)

W

写

控制

内存

ARRAY

512x 9

1024 x 9

2048 x 9

4096 x 9

写

指针

读

指针

R

读

控制

三

状态

缓冲器

数据输出

(Q

0

–Q

8

)

RS

RESET

逻辑

旗

逻辑

EF

FF

XO

/

HF

FL

/

RT

XI

CEMOS是集成设备技术公司的商标。

FAST是美国国家半导体公司的商标。

扩张

逻辑

2679 DRW 01

商业级温度范围

1996

集成设备技术有限公司

有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。

1996年12月

DSC-3033/6

5.08

1

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

D

3

D

8

W

D

8

D

3

D

2

D

1

D

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

D

4

D

5

D

6

D

7

FL

/

RT

D

2

D

1

D

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

4 3 2 1 32 31 30

29

28

27

J32-1

26

25

24

23

22

21

14 15 16 17 18 19 20

D

6

D

7

NC

XI

FF

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

8

GND

RS

EF

XO

/

HF

Q

7

Q

6

Q

5

Q

4

XI

FF

Q

0

Q

1

NC

Q

2

D

5

W

指数

V

CC

D

4

销刀豆网络gurations

NC

FL

/

RT

RS

EF

XO

/

HF

Q

7

Q

6

GND

NC

R

2679 DRW 02A

Q

3

Q

8

R

Q

4

Q

5

2679 DRW 02B

小尺寸封装待确定

PLCC

顶视图

绝对最大额定值

(1)

符号

等级

V

TERM

端电压

对于

到GND

T

A

操作

温度

T

BIAS

温度

在偏置

T

英镑

存储

温度

I

OUT

DC输出

当前

Com'l 。

-0.5到+7.0

单位

V

建议的直流工作

条件

符号

V

CC

GND

V

IH(1)

V

IL(2)

等级

电源电压

输入高电压

输入低电压

分钟。

3.0

0

2.0

—

典型值。

3.3

0

—

马克斯。

3.6

0

V

CC

+0.5

0.8

单位

V

2679 TBL 03

0至+70

-55到+125

50

°C

mA

注意：

1. V

IH

= 2.6V的

XI

输入（商业）。

2. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。

注意：

2679 TBL 01

1.强调超过绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值

该器件在这些或任何其它的条件和功能操作

以上这些表明，在业务部门的这种规范不是

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响可靠性。

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

(1)

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

8

单位

pF

2679 TBL 02

注意：

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

5.08

2

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

DC电气特性

（商业： V

CC

= 3.3 V

±

0.3V ，T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C）

IDT72V01/72V02/

72V03/72V04

t

A

= 25纳秒

符号

I

LI(1)

I

LO(2)

V

OH

V

OL

I

CC1(3,4)

I

CC2(3)

I

CC3

(L)

(3)

IDT72V01/72V02/

72V03/72V04

t

A

= 35 ns的

分钟。

–1

–10

2.4

—

典型值。

—

35

5

—

马克斯。

1

10

—

0.4

50

8

0.3

单位

A

V

mA

2679 TBL 05

参数

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

输出逻辑“ 1 ”电压I

OH

= -2mA

输出逻辑“ 0 ”电压I

OL

= 8毫安

有源电源电流

待机电流（

R

=

W

=

RS

=

FL

/

RT

=V

IH

)

掉电电流（所有输入= V

CC

- 0.2V)

分钟。

–1

–10

2.4

—

典型值。

—

35

5

—

马克斯。

1

10

—

0.4

50

8

0.3

注意事项：

1.测量0.4

≤

V

IN

≤

V

CC

.

2.

R

≥

V

IH

, 0.4

≤

V

OUT

≤

V

CC

.

3. I

CC

测量均采用开放式输出（仅适用于电容性负载）。

4.测试在f = 20MHz的。

5.08

3

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

AC电气特性

（商业： V

CC

= 3.3V ± 0.3V ，T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C）

72V01L25/72V02L25

72V03L25/72V04L25

符号

f

S

t

RC

t

A

t

RR

t

乡郊小工程

t

RLZ

t

WLZ

t

DV

t

RHZ

t

WC

t

预激

t

WR

t

DS

t

DH

t

RSC

t

RS

t

RSS

t

RSR

t

RTC

t

RT

t

RTS

t

RTR

t

英语

t

RTF

t

REF

t

RFF

t

RPE

t

世界经济论坛

t

WFF

t

WHF

t

RHF

t

WPF

t

XOL

t

XOH

t

XI

t

XIR

t

XIS

参数

移频

读周期时间

存取时间

阅读恢复时间

阅读脉宽

(2)

读取脉冲低到数据总线的低Z

(3)

写脉冲高到数据总线的低Z

(3,4)

数据有效期从读脉冲高

读取脉冲高到数据总线的高Z

写周期时间

把脉冲宽度

(2)

写恢复时间

数据建立时间

数据保持时间

重置周期时间

复位脉冲宽度

(2)

复位建立时间

(3)

复位恢复时间

重发周期时间

重发脉冲宽度

(2)

转播建立时间

(3)

重发恢复时间

重置为空标志低

转播低到旗有效

读低到空标志低

读高到满标志高

读后脉宽

EF

高

写高到空标志高

写低位为全旗低

写低半满标志低

读高至半满标志高

写操作之后脉宽

FF

高

读/写

XO

低

读/写

XO

高

(3)

72V01L35/72V02L35

72V03L35/72V04L35

分钟。

—

45

—

10

35

5

10

5

—

45

35

10

18

0

45

35

10

45

35

10

—

35

—

35

—

35

10

马克斯。

22.2

—

35

—

20

—

45

30

—

30

45

—

35

—

单位

兆赫

ns

2679 TBL 06

分钟。

—

35

—

10

25

5

—

35

25

10

15

0

35

25

10

35

25

10

—

25

—

25

—

25

10

马克斯。

28.5

—

25

—

18

—

35

25

—

25

35

—

25

—

t

仁人家园， FFH

重置为半满和全旗高

XI

脉冲宽度

XI

恢复时间

XI

建立时间

(2)

注意事项：

1.计时在AC测试条件引用。

2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。

3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。

4.仅适用于读取数据的流通方式。

5.08

4

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

5ns

1.5V

见图1

2679 TBL 08

5.0V

1.1K

TO

产量

针

680

30pF*

2679 DRW 03

或等效电路

图1.输出负载

*包括范围和夹具电容。

信号说明

输入：

DATA IN （D

0

– D

8

)

数据输入9位宽度的数据。

数据输出（Q

0

– Q

8

）将返回到一个高阻抗

状态，直到下一次读操作。当所有的数据都有

从FIFO的空标志（已读

EF

）将变低，

让“最终”读周期，但进一步抑制读

剩余在高阻抗数据输出操作

ANCE状态。一次有效的写操作已经accom-

plished ，空标志（

EF

）会去吨后高

世界经济论坛

和一个有效

然后读取就可以开始。当FIFO是空的，内部

读指针从冻结

R

在这样的外部变化

R

不会

影响的FIFO时，它是空的。

首先加载/重传（

FL

/

RT

)

这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，

此引脚接地，以表明它是第一加载（见

操作模式）。在单个器件模式下，此引脚用作

在restransmit输入。单个器件模式是通过启动

接地扩张（

XI

).

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04可重新

传输数据时，重发启动控制（

RT

）输入

是脉冲低。重传操作将设置内部读

指针到第一位置，并不会影响写指针。

读使能（

R

）和写使能（

W

）必须在高

重传时的状态。该功能是非常有用的，当小于

512/1024/2048/4096写操作复位之间进行。

重传功能与深度兼容

扩张模式，并会影响到半满标志（

HF

），去

待处理所读取的相对位置和写入点 -

ERS 。

扩展IN（

XI

)

该输入是一个双功能引脚。扩张（

XI

）是

接地，以指示在单个设备模式的操作。

扩展IN（

XI

）被连接到扩展输出（

XO

）的

以前的设备在深度扩展或菊花链模式。

复位完成时复位（

RS

）输入

取到低状态。在复位过程中，内部读写

指针设置到所述第一位置。之后，需要进行重置

写操作之前，上电才能进行。

无论是

读使能（

R

）和写使能（

W

）输入必须在

该窗口中的高状态在图2中，（即如图所示，

t

RSS

的上升沿之前

RS

）和不应该改变

直到吨

RSR

后的上升沿

RS

。半满标志（

HF

)

将被重置为高复位后（

RS

).

写使能（

W

)

写周期在此输入如果下降沿启动

满标志（

FF

）未设置。数据建立时间和保持时间必须是

附着于相对于所述写入的上升沿使能

(

W

）。数据被存储在RAM阵列顺序地和

独立于任何正在进行读操作。

后一半的存储器的填充，并在下降沿

下一个写操作时，半满标志（

HF

）将被设置为

低，将保持到擦除的区别

指针和读出指针是小于或等于二分之一的

该设备的总存储器。半满标志（

HF

）然后

由读操作的上升沿复位。

为了防止数据溢出，全旗（

FF

）将变低，

抑制进一步的写操作。当完成一个

有效的读操作，全旗（

FF

）会去吨后高

RFF

,

允许一个有效的写操作开始。当FIFO满时，该

内部写指针从冻结

W

，所以外部变化

in

W

不会影响到FIFO中时，它是满的。

读使能（

R

)

一个读周期在读的下降沿启动

启用（

R

）所提供的空标志（

EF

）未设置。数据

在一个先入/先出的基础被访问时，独立于任何

正在进行的写操作。后读使能（

R

）变为高电平时，

控制：

复位（

RS

)

输出：

满标志（

FF

)

全旗（

FF

）将变低，抑制了进一步的OP-写

关合作，当写指针是一个位置比少

读指针，指示该设备已满。如果读出的

指针复位后不移动（

RS

），全旗（

FF

）会

5.08

5

3.3伏的CMOS

异步FIFO

512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9

集成设备技术有限公司

IDT72V01

IDT72V02

IDT72V03

IDT72V04

产品特点：

3.3V系列采用低70 ％的功耗比5伏7201 /

04年2月3日家庭

512× 9的组织（ 72V01 ）

1024 ×9组织（ 72V02 ）

2048 ×9组织（ 72V03 ）

4096 X 9的组织（ 72V04 ）

与720X系列功能兼容

25 ns访问时间

异步和同步读写

通过两个单词的深度和/或位宽完全可扩展

状态标志：空，半满，满

自动重发功能

提供32引脚PLCC和28引脚SOIC封装（以

待定）

工业级温度范围（ -40

o

C至+ 85

o

C）是可用

能，测试军事电气规范

描述：

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04是双端口FIFO

即，在电源电压下工作的存储器（ Vcc的）

与3.0V和3.6V 。他们的架构，功能操作

灰和引脚分配的那些相同的IDT7201的/

7202/7203/7204 。对这些设备的负载和空数据

先入/先出的基础。他们用满和空标志

防止数据溢出和下溢和扩展逻辑

允许无限制的扩展能力在这两个词的大小和

深度。

在读取和写入是通过内部顺序

使用环指针，与需要，地址信息

加载和卸载数据。数据已切换至的设备的进出

通过使用的Write （）和读（）引脚。该器件

有一个最大的数据存取时间快25纳秒。

该装置利用一9位宽的数据阵列，以允许

控制与奇偶校验位在用户的选项。这个功能是

在数据通信的应用场合特别有用

有必要使用一个奇偶校验位的发送/接收

错误检查。他们还配备了重传（）功能

其允许读指针复位到其初始位置

当

是脉冲的低，以允许从所述重发

开始的数据。一个半满标志是在单可用

设备模式和宽度的扩展模式。

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04使用制造

IDT的高速CMOS技术。它被设计为

这些应用程序需要异步和同步

读/在多速率和缓存应用程序写入。

W

R

RT

功能框图

数据输入

(D

0

–D

8

)

W

写

控制

内存

ARRAY

512x 9

1024 x 9

2048 x 9

4096 x 9

写

指针

读

指针

R

读

控制

三

状态

缓冲器

数据输出

(Q

0

–Q

8

)

RS

RESET

逻辑

旗

逻辑

EF

FF

XO

/

HF

FL

/

RT

XI

CEMOS是集成设备技术公司的商标。

FAST是美国国家半导体公司的商标。

扩张

逻辑

2679 DRW 01

商业级温度范围

1996

集成设备技术有限公司

有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。

1996年12月

DSC-3033/6

5.08

1

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

D

3

D

8

W

D

8

D

3

D

2

D

1

D

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

D

4

D

5

D

6

D

7

FL

/

RT

D

2

D

1

D

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

4 3 2 1 32 31 30

29

28

27

J32-1

26

25

24

23

22

21

14 15 16 17 18 19 20

D

6

D

7

NC

XI

FF

Q

0

Q

1

Q

2

Q

3

Q

8

GND

RS

EF

XO

/

HF

Q

7

Q

6

Q

5

Q

4

XI

FF

Q

0

Q

1

NC

Q

2

D

5

W

指数

V

CC

D

4

销刀豆网络gurations

NC

FL

/

RT

RS

EF

XO

/

HF

Q

7

Q

6

GND

NC

R

2679 DRW 02A

Q

3

Q

8

R

Q

4

Q

5

2679 DRW 02B

小尺寸封装待确定

PLCC

顶视图

绝对最大额定值

(1)

符号

等级

V

TERM

端电压

对于

到GND

T

A

操作

温度

T

BIAS

温度

在偏置

T

英镑

存储

温度

I

OUT

DC输出

当前

Com'l 。

-0.5到+7.0

单位

V

建议的直流工作

条件

符号

V

CC

GND

V

IH(1)

V

IL(2)

等级

电源电压

输入高电压

输入低电压

分钟。

3.0

0

2.0

—

典型值。

3.3

0

—

马克斯。

3.6

0

V

CC

+0.5

0.8

单位

V

2679 TBL 03

0至+70

-55到+125

50

°C

mA

注意：

1. V

IH

= 2.6V的

XI

输入（商业）。

2. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。

注意：

2679 TBL 01

1.强调超过绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值

该器件在这些或任何其它的条件和功能操作

以上这些表明，在业务部门的这种规范不是

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作

期间可能会影响可靠性。

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

参数

(1)

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

8

单位

pF

2679 TBL 02

注意：

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

5.08

2

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

DC电气特性

（商业： V

CC

= 3.3 V

±

0.3V ，T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C）

IDT72V01/72V02/

72V03/72V04

t

A

= 25纳秒

符号

I

LI(1)

I

LO(2)

V

OH

V

OL

I

CC1(3,4)

I

CC2(3)

I

CC3

(L)

(3)

IDT72V01/72V02/

72V03/72V04

t

A

= 35 ns的

分钟。

–1

–10

2.4

—

典型值。

—

35

5

—

马克斯。

1

10

—

0.4

50

8

0.3

单位

A

V

mA

2679 TBL 05

参数

输入漏电流（任何输入）

输出漏电流

输出逻辑“ 1 ”电压I

OH

= -2mA

输出逻辑“ 0 ”电压I

OL

= 8毫安

有源电源电流

待机电流（

R

=

W

=

RS

=

FL

/

RT

=V

IH

)

掉电电流（所有输入= V

CC

- 0.2V)

分钟。

–1

–10

2.4

—

典型值。

—

35

5

—

马克斯。

1

10

—

0.4

50

8

0.3

注意事项：

1.测量0.4

≤

V

IN

≤

V

CC

.

2.

R

≥

V

IH

, 0.4

≤

V

OUT

≤

V

CC

.

3. I

CC

测量均采用开放式输出（仅适用于电容性负载）。

4.测试在f = 20MHz的。

5.08

3

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

AC电气特性

（商业： V

CC

= 3.3V ± 0.3V ，T

A

= 0 ° C至+ 70 ° C）

72V01L25/72V02L25

72V03L25/72V04L25

符号

f

S

t

RC

t

A

t

RR

t

乡郊小工程

t

RLZ

t

WLZ

t

DV

t

RHZ

t

WC

t

预激

t

WR

t

DS

t

DH

t

RSC

t

RS

t

RSS

t

RSR

t

RTC

t

RT

t

RTS

t

RTR

t

英语

t

RTF

t

REF

t

RFF

t

RPE

t

世界经济论坛

t

WFF

t

WHF

t

RHF

t

WPF

t

XOL

t

XOH

t

XI

t

XIR

t

XIS

参数

移频

读周期时间

存取时间

阅读恢复时间

阅读脉宽

(2)

读取脉冲低到数据总线的低Z

(3)

写脉冲高到数据总线的低Z

(3,4)

数据有效期从读脉冲高

读取脉冲高到数据总线的高Z

写周期时间

把脉冲宽度

(2)

写恢复时间

数据建立时间

数据保持时间

重置周期时间

复位脉冲宽度

(2)

复位建立时间

(3)

复位恢复时间

重发周期时间

重发脉冲宽度

(2)

转播建立时间

(3)

重发恢复时间

重置为空标志低

转播低到旗有效

读低到空标志低

读高到满标志高

读后脉宽

EF

高

写高到空标志高

写低位为全旗低

写低半满标志低

读高至半满标志高

写操作之后脉宽

FF

高

读/写

XO

低

读/写

XO

高

(3)

72V01L35/72V02L35

72V03L35/72V04L35

分钟。

—

45

—

10

35

5

10

5

—

45

35

10

18

0

45

35

10

45

35

10

—

35

—

35

—

35

10

马克斯。

22.2

—

35

—

20

—

45

30

—

30

45

—

35

—

单位

兆赫

ns

2679 TBL 06

分钟。

—

35

—

10

25

5

—

35

25

10

15

0

35

25

10

35

25

10

—

25

—

25

—

25

10

马克斯。

28.5

—

25

—

18

—

35

25

—

25

35

—

25

—

t

仁人家园， FFH

重置为半满和全旗高

XI

脉冲宽度

XI

恢复时间

XI

建立时间

(2)

注意事项：

1.计时在AC测试条件引用。

2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。

3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。

4.仅适用于读取数据的流通方式。

5.08

4

IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04 3.3伏的CMOS异步FIFO

512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9

商业级温度范围

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

GND到3.0V

5ns

1.5V

见图1

2679 TBL 08

5.0V

1.1K

TO

产量

针

680

30pF*

2679 DRW 03

或等效电路

图1.输出负载

*包括范围和夹具电容。

信号说明

输入：

DATA IN （D

0

– D

8

)

数据输入9位宽度的数据。

数据输出（Q

0

– Q

8

）将返回到一个高阻抗

状态，直到下一次读操作。当所有的数据都有

从FIFO的空标志（已读

EF

）将变低，

让“最终”读周期，但进一步抑制读

剩余在高阻抗数据输出操作

ANCE状态。一次有效的写操作已经accom-

plished ，空标志（

EF

）会去吨后高

世界经济论坛

和一个有效

然后读取就可以开始。当FIFO是空的，内部

读指针从冻结

R

在这样的外部变化

R

不会

影响的FIFO时，它是空的。

首先加载/重传（

FL

/

RT

)

这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，

此引脚接地，以表明它是第一加载（见

操作模式）。在单个器件模式下，此引脚用作

在restransmit输入。单个器件模式是通过启动

接地扩张（

XI

).

该IDT72V01 / 72V02 / 72V03 / 72V04可重新

传输数据时，重发启动控制（

RT

）输入

是脉冲低。重传操作将设置内部读

指针到第一位置，并不会影响写指针。

读使能（

R

）和写使能（

W

）必须在高

重传时的状态。该功能是非常有用的，当小于

512/1024/2048/4096写操作复位之间进行。

重传功能与深度兼容

扩张模式，并会影响到半满标志（

HF

），去

待处理所读取的相对位置和写入点 -

ERS 。

扩展IN（

XI

)

该输入是一个双功能引脚。扩张（

XI

）是

接地，以指示在单个设备模式的操作。

扩展IN（

XI

）被连接到扩展输出（

XO

）的

以前的设备在深度扩展或菊花链模式。

复位完成时复位（

RS

）输入

取到低状态。在复位过程中，内部读写

指针设置到所述第一位置。之后，需要进行重置

写操作之前，上电才能进行。

无论是

读使能（

R

）和写使能（

W

）输入必须在

该窗口中的高状态在图2中，（即如图所示，

t

RSS

的上升沿之前

RS

）和不应该改变

直到吨

RSR

后的上升沿

RS

。半满标志（

HF

)

将被重置为高复位后（

RS

).

写使能（

W

)

写周期在此输入如果下降沿启动

满标志（

FF

）未设置。数据建立时间和保持时间必须是

附着于相对于所述写入的上升沿使能

(

W

）。数据被存储在RAM阵列顺序地和

独立于任何正在进行读操作。

后一半的存储器的填充，并在下降沿

下一个写操作时，半满标志（

HF

）将被设置为

低，将保持到擦除的区别

指针和读出指针是小于或等于二分之一的

该设备的总存储器。半满标志（

HF

）然后

由读操作的上升沿复位。

为了防止数据溢出，全旗（

FF

）将变低，

抑制进一步的写操作。当完成一个

有效的读操作，全旗（

FF

）会去吨后高

RFF

,

允许一个有效的写操作开始。当FIFO满时，该

内部写指针从冻结

W

，所以外部变化

in

W

不会影响到FIFO中时，它是满的。

读使能（

R

)

一个读周期在读的下降沿启动

启用（

R

）所提供的空标志（

EF

）未设置。数据

在一个先入/先出的基础被访问时，独立于任何

正在进行的写操作。后读使能（

R

）变为高电平时，

控制：

复位（

RS

)

输出：

满标志（

FF

)

全旗（

FF

）将变低，抑制了进一步的OP-写

关合作，当写指针是一个位置比少

读指针，指示该设备已满。如果读出的

指针复位后不移动（

RS

），全旗（

FF

）会

5.08

5