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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第449页 > IDT72240L10TP
CMOS SyncFIFO
64 x 8, 256 x 8,
512 x 8, 1,024 x 8,
2,048 x 8, 4,096 x 8
产品特点:
IDT72420
IDT72200
IDT72210
IDT72220
IDT72230
IDT72240
描述:
该IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十分之七万二千二百三十SyncFIFO 很
高速,低功耗的先入先出( FIFO )存储器与时钟
读取和写入控制。这些器件具有64 ,256, 512 , 1024 , 2048 ,
和4096 ×8位的存储阵列,分别。这些FIFO适用
对于各种各样的数据缓冲的需要,如图形,当地
网(LAN ) ,和处理器间通信。
这些FIFO中有8位的输入和输出端口。输入端口是
通过一个自由运行的时钟( WCLK ) ,和一个写控制的使能引脚( WEN) 。
数据被写入到同步FIFO在每个时钟周期当
is
断言。输出端口由另一个时钟引脚( RCLK )和一个控制
读使能引脚( REN) 。读时钟可以绑在写时钟为
单个时钟操作或两个时钟可以运行一个异步
另一种为双时钟运行。一输出使能引脚(OE )设置在
对于输出的三态控制的读端口。
这些同步FIFO有两个端点标志,空( EF )和全
(FF) 。两部分的标志,几乎空( AE)和几乎全部( AF ) ,是
提供改进的系统控制。部分(AE)标志被设置为
空+ 7和全7
AE
AF
分别。
这些FIFO使用IDT的高速亚微米CMOS捏造
技术。
64× 8位组织( IDT72420 )
256 ×8位组织( IDT72200 )
512 ×8位组织( IDT72210 )
1,024× 8位组织( IDT72220 )
2048 ×8位组织( IDT72230 )
4096 ×8位组织( IDT72240 )
10纳秒读取/写入周期时间( IDT72420 /七万二千二百十分之七万二千二百/七万二千二百三十〇分之七万二千二百二十零/
72240)
读写时钟可以是异步还是巧合
双口零落空时体系结构
空和满标志信号FIFO状态
几乎空和几乎全部的标志设置为空+ 7和Full - 7 ,
分别
输出使能输出数据总线的高阻抗状态
制作与先进的亚微米CMOS技术
可提供28引脚300密耳的塑料DIP
表面贴装产品请查看IDT72421 / 72211分之72201 /
72221/72231/72241数据表
工业级温度范围( ? 40 ° C至+ 85°C ),可
°
°
功能框图
D0 - D7
WCLK
输入寄存器
逻辑
RAM阵列
64 x 8, 256 x 8,
512 x 8, 1,024 x 8,
2,048 x 8, 4,096 x 8
EF
AE
AF
FF
写控制
逻辑
写指针
读指针
读控制
逻辑
输出寄存器
复位逻辑
RCLK
RS
OE
Q0 - Q7
2680 drw01
IDT标志为注册商标, SyncFIFO是集成设备技术公司的商标。
商业级温度范围
2001年集成设备技术有限公司
2001年5月
DSC-2680/1
1
IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO
64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8
商业级温度范围
引脚配置
D4
D3
D2
D1
D0
AF
AE
GND
RCLK
OE
EF
FF
Q0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
D5
D6
D7
RS
WCLK
VCC
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
2680 drw02
薄塑料DIP ( P28-2 ,订货代码: TP )
顶视图
引脚说明
符号
D
0
- D
7
RS
WCLK
Q
0
- Q
7
RCLK
OE
EF
AE
AF
FF
V
CC
GND
名字
数据输入
RESET
写时钟
写使能
数据输出
读时钟
读使能
OUTPUT ENABLE
空标志
几乎空标志
几乎满标志
满标志
动力
I / O
I
I
I
I
O
I
I
I
O
O
O
O
描述
数据输入,一个8位总线。
RS
置为低电平,内部读和写指针被设置到RAM阵列的第一位置,
FF
AF
go
高,并
AE
EF
变低。上电后最初的写操作之前,需要进行重置。
数据被写入FIFO的WCLK当低到高的转变
为有效。
为低电平时,数据被写入FIFO的WCLK每低到高的转变。数据将不被写入
到FIFO中,如果
FF
是低的。
数据输出为8位总线。
数据从FIFO中读取RCLK时的低到高的转变
为有效。
为低电平时,数据从FIFO中读取RCLK每低到高的转变。数据将不会被从读
FIFO中,如果
EF
是低的。
OE
为低电平时,数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时,输出数据总线将处于高阻抗
状态。
EF
为低时,所述的FIFO是空的,进一步的数据读出从输出被抑制。当
EF
为高电平时,FIFO
是不是空的。
EF
同步到RCLK 。
AE
为LOW时,FIFO几乎是空的基于偏移空+ 7。
AE
同步到RCLK 。
AF
为低电平时,FIFO几乎充满基于偏移全-7。
AF
同步到WCLK 。
FF
为低电平时,FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当
FF
为高电平时, FIFO不
满。
FF
同步到WCLK 。
一个+5伏电源引脚。
一0伏接地引脚。
2
IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO
64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8
商业级温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
注意:
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
等级
与端电压
对于GND
储存温度
直流输出电流
Com'l & Ind'l
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
推荐工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
广告
电源电压
输入高电压
广告
输入低电压
广告
工作温度
广告
分钟。
4.5
0
2.0
0
典型值。马克斯。
5.0
5.5
0
0
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
DC电气特性
(商业: V
CC
= 5V ±10 % ,T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C)
IDT72420
IDT72200
IDT72210
IDT72220
IDT72230
IDT72240
广告
t
CLK
= 10,15, 25纳秒
典型值。
符号
I
LI
(1)
I
LO
(2)
V
OH
V
OL
I
CC1
(3,4,5)
I
CC2
(3,6)
参数
输入漏电流(任何输入)
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压,I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压,I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
分钟。
–1
–10
2.4
马克斯。
1
10
0.4
40
5
注意事项:
1.测量0.4
V
IN
V
CC
.
2.
OE
V
IH ,
0.4
V
OUT
V
CC
.
3.测试与产出开放(I
OUT
= 0).
4. RCLK和WCLK切换,在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
5.我典型
CC1
= 1.7 + 0.7*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
(单位为mA) 。
这些方程是有效的在下列条件下:
V
CC
= 5V ,T
A
= 25
°
C,F
S
= WCLK频率= RCLK频率(以MHz为单位,采用TTL电平) ,数据在f开关
S
/2, C
L
=容性负载(单位为pF ) 。
6.所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ,除RCLK和WCLK ,这在20 MHz的切换。
3
IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO
64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8
商业级温度范围
AC电气特性
(商业: V
CC
= 5V ±10 % ,T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C)
IDT72420L10
IDT72200L10
IDT72210L10
IDT72220L10
IDT72230L10
IDT72240L10
分钟。
马克斯。
100
2
10
4.5
4.5
3
0.5
3
0.5
10
8
8
0
2
2
4
10
6.5
10
6
6
6.5
6.5
6.5
6.5
广告
IDT72420L15
IDT72200L15
IDT72210L15
IDT72220L15
IDT72230L15
IDT72240L15
分钟。
马克斯。
66.7
2
15
6
6
4
1
4
1
15
10
10
0
3
3
6
15
10
15
8
8
10
10
10
10
IDT72420L25
IDT72200L25
IDT72210L25
IDT72220L25
IDT72230L25
IDT72240L25
分钟。
马克斯。
40
2
25
10
10
6
1
6
1
15
15
15
0
3
3
10
18
15
25
13
13
15
15
15
15
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
AF
t
AE
t
SKEW1
t
SKEW2
参数
时钟周期频率
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(1)
复位设置时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能,以在低Z输出
(2)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(2)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
写时钟,以几乎满标志
读时钟到几乎空标志
读时钟&写时钟之间的偏移时间
空标志&满标志
读时钟&写时钟之间的偏移时间
几乎空标志&几乎满标志
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
2.价值由设计保证,目前尚未进行测试。
电容
(T
A
= + 25°C , F = 1.0兆赫)
符号
C
IN
(2)
(1, 2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
D.U.T.
680
5V
1.1K
C
OUT
注意事项:
1.输出取消。 ( OE
VIH )
2.特征值,而不是目前的测试。
30pF*
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
4
2680 drw03
或等效电路
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
IDT72420 / 72200 /七万二千二百二十零分之七万二千二百一十/七万二千二百四十○分之七万二千二百三十〇 CMOS SYNCFIFO
64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8, 2,048 x 8, 4,096 x 8
商业级温度范围
信号说明
输入:
DATA IN (D
0
–D
7
)
- 为8位宽度的数据的数据输入端。
控制:
复位(RS) -
复位完成时复位( RS )输入
带到一个低状态。在复位过程中,内部读写指针
设置为所述第一位置。经过前写上电复位要求
操作可以发生。的满标志( FF )和几乎满标志( AF )会
被复位到高电平吨后
RSF
。空标志( EF)和几乎空标志
(自动曝光)将被重置为低电平吨后
RSF
。在复位过程中,输出寄存器
初始化为全零。
写时钟( WCLK ) -
写周期在低到高启动
写时钟( WCLK )的过渡。数据建立时间和保持时间必须满足
就在写时钟的低到高的转变。全旗
( FF )和几乎满标志( AF)是相对于同步到LOW-
写时钟的到高的转变。
写和读时钟可以是异步或重合。
写使能( WEN ) -
当写使能( WEN )为低电平时,数据可
被装入输入寄存器和RAM阵列上的低到高
每一个写时钟( WCLK )的过渡。数据被存储在RAM阵列中
顺序地和独立地为任何在外出时的读操作。
当写使能( WEN )为高电平,输入寄存器保持之前
数据并没有新的数据被允许加载到寄存器中。
为了防止数据溢出,满标志( FF)将变低,抑制
进一步的写操作。当完成一个有效的读取周期中,全
标志( FF)会去吨后高
WFF
,允许一个有效的写操作开始。写
使能( WEN)将被忽略,当FIFO满。
读时钟( RCLK ) -
数据可以被读出上的低到输出
读时钟( RCLK )高的过渡。空标志( EF )和
几乎空标志(AE)是相对于同步到低到高
读时钟的过渡。
写和读时钟可以是异步或重合。
读使能(REN ) -
当读使能( REN)为低电平时,数据被读取
从RAM阵列到输出寄存器上的低到高的转变
读时钟( RCLK ) 。
当读使能( REN )为高电平时,输出寄存器保存
先前的数据,并没有新的数据被允许加载到寄存器中。
当所有的数据已被从FIFO中,空标志( EF )读会
变为低电平,抑制进一步的读取操作。一次有效的写操作具有
已经完成,空标志( EF)将前往吨后高
REF
和一个有效
阅读可以开始。读使能( REN)被忽略,当FIFO为空。
输出使能( OE ) -
当输出使能( OE )有效( LOW )
在并行输出缓冲器的输出寄存器接收数据。当
输出使能( OE )被禁用(高电平)时,Q输出的数据总线是在高
阻抗状态。
输出:
满标志( FF ) -
的满标志( FF)将变低,抑制了进一步的写
操作中,当该装置是满的。如果没有读取复位后执行
( RS ) ,在满标志( FF)将变低64写的IDT72420 , 256后
为IDT72200写道, 512写的IDT72210 , 1024写的
IDT72220 , 2048写的IDT72230 ,和4096写的IDT72240 。
的满标志( FF),则相对于同步到低到高
写时钟( WCLK )的过渡。
空标志( EF ) -
空标志( EF)将变低,进一步抑制
读操作中,当读指针等于写指针,
指示设备是空的。
空标志( EF )相对于同步到低到高
读时钟( RCLK )的过渡。
几乎满标志( AF ) -
在几乎满标志( AF)将变为低电平时,
在FIFO达到几乎满状态。如果没有读出之后执行
复位( RS ) ,在几乎满标志( AF) 57后将变为低电平写的
IDT72420 , 249写的IDT72200 , 505写的IDT72210 , 1017
为IDT72220写道, 2041写的IDT72230和4089写的
该IDT72240 。
在几乎满标志( AF)相对于同步到低到
写时钟( WCLK )的高电平跳变。
几乎空标志( AE ) -
在几乎空标志( AE)将变低
当FIFO达到近空的条件。如果没有读操作
复位( RS )后进行,在几乎空标志( AE)会后高
8写的IDT72420 , IDT72200 , IDT72210 , IDT72220 , IDT72230和
IDT72240.
概-空标志(AE)是相对于同步到LOW-
读时钟( RCLK )中到高的转变。
数据输出(Q
0
–Q
7
) —
数据输出为8位宽度的数据。
表1 ??的状态标志
IDT72420
0
1至7中
8 56
57至63
64
IDT72200
0
1至7中
8至248
249至255
256
词FIFO数
IDT72210
IDT72220
0
1至7中
8至504
505到511
512
0
1至7中
8到1016
1017 1023
1,024
IDT72230
0
1至7中
8 2,040
2041至2047
2,048
IDT72240
0
1至7中
8 4,088
4089至4095
4,096
FF
H
H
H
H
L
AF
H
H
H
L
L
AE
L
L
H
H
H
EF
L
H
H
H
H
5
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封装
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDT72240L10TP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18922887426/0755-25165869
联系人:曾先生/刘小姐
地址:深圳福田区中航路华乐大厦625室
IDT72240L10TP
IDT
24+
12998
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IDT
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