CMOS异步FIFO
32,768 x 9
集成设备技术有限公司
IDT7207
产品特点：
32768 ×9的存储容量
高速： 15ns的存取时间
低功耗
- 活动：的660mW （最大）
- 掉电： 44MW （最大）
异步和同步读写
在这两个词的深度和宽度完全可扩展
引脚与IDT720x家庭功能兼容
状态标志：空，半满，满
重传功能
高性能CMOS技术
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
工业级温度范围（ -40
o
C至+ 85
o
C）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
的IDT7207是用单片双端口存储器缓冲
内部指针上的先入/先出的负荷和空数据
的基础。该设备采用满和空标志，以防止数据
溢和下溢和扩展逻辑，以允许
无限的扩展能力在这两个词的大小和深度。
数据是通过使用切换进出该装置的
写（ ）和read（ ）引脚。
该装置9位宽度提供了一个位控制或奇偶
在用户的选项。它还具有一个重传（ ） capa-
相容性，使读指针被复位到其初始位置
当
是低脉冲。一个半满标志的使用
单一设备和宽度扩展模式。
该IDT7207采用IDT的高速CMOS制造
技术。它是专为需要asynchro-应用
理性和同步读/在多写，率
缓冲剂，和其它应用。
军工级产品的制造符合
MIL -STD- 883的最新版本， B级。
W
R
RT
RT
功能框图
写
控制
数据输入
(D
0
–D
8
)
W
写
指针
RAM阵列
32,768 x 9
读
指针
三
状态
缓冲器
数据输出
(Q
0
–Q
8
)
RS
R
读
控制
RESET
逻辑
旗
逻辑
EF
FF
FL RT
/
XI
扩张
逻辑
XO HF
/
3140 DRW 01
IDT标志是集成设备张婷婷， Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年12月
DSC-3140/2
5.05
1
IDT7207 CMOS异步FIFO
32,768 x 9
军用和商用温度范围
W
D
8
D
3
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
3
Q
8
GND
NC
R
Q
4
Q
5
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
P28-1
D28-1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
D
4
D
5
D
6
D
7
FL / RT
RS
EF
XO / HF
指数
D
2
D
1
D
0
XI
FF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
R
3140 DRW 02
14
15
16
17
18
19
20
Q
0
Q
1
NC
Q
2
5
6
7
8
9
10
11
12
13
32
31
30
1
4
3
2
D
3
D
8
W
NC
VCC
D
4
D
5
销刀豆网络gurations
J32-1
＆放大器;
L32-1
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
6
D
7
NC
FL
/
RT
RS
EF
XO HF
/
Q
7
Q
6
3140 DRW 03
DIP
顶视图
PLCC / LCC
顶视图
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
等级
终奌站
电压
对于
GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
-0.5 + 7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CCM
V
CCC
GND
V
IH
(1)
V
IH
(1)
V
IL
(1)
参数
军事供应
电压
供应商
电压
电源电压
输入高电压
广告
输入高电压
军事
输入低电压
商业和
军事
分钟。
4.5
4.5
0
2.0
2.2
—
典型值。
5.0
5.0
0
—
—
—
马克斯。
5.5
5.5
0
—
—
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55 + 125
50
-55到+125
-65到+135
-65 155
50
°
C
°
C
°
C
mA
注意：
3140 TBL 01
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
3140 TBL 02
DC为7207电气特性
（商业： V
CC
= 5.0V ± 10％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V
CC
= 5.0V ± 10％ ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
IDT7207
广告
t
A
= 15 ，20，25 ，35， 50纳秒
符号
I
LI(1)
I
LO(2)
V
OH
V
OL
I
CC1(3)
I
CC2(3)
I
CC3
(L)
(3)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“ 1 ”电压I
OH
= -2mA
输出逻辑“ 0 ”电压I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流（
R
=
W
=
RS
=
FL
/
RT
=V
IH
)
掉电电流（所有输入= V
CC
- 0.2V)
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
120
(4)
12
8
分钟。
–1
–10
2.4
—
—
—
—
IDT7207
军事
t
A
= 20，30， 50纳秒
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1
10
—
0.4
150
(4)
25
12
单位
A
A
V
V
mA
mA
mA
3140 TBL 04
注意事项：
1.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
2. R
≥
V
IH
, 0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
3. I
CC
测量均采用开放式输出（仅适用于电容性负载） 。
4.测试在f = 20MHz的。
5.05
2
IDT7207 CMOS异步FIFO
32,768 x 9
军用和商用温度范围
AC电气特性
(1)
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;军事： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
Com'l
7207L15
符号
fS
TRC
tA
TRR
TRPW
tRLZ
TWLZ
TDV
tRHZ
TWC
tWPW
tWR的
TDS
TDH
TRSC
TRS
TRSS
TRTR
TRTC
TRT
TRTS
TRSR
英语教学
tRTF
TREF
tRFF
tRPE
tWEF
tWFF
雷公藤
TrHF
tWPF
TXOL
TxOH
TXI
TXIR
tXIS
参数
移频
读周期时间
存取时间
阅读恢复时间
阅读脉宽
(2)
读低到数据总线为低电平
(3)
写HIGH到数据总线的低-Z
(3, 4)
数据有效期从读高
阅读HIGH到数据总线高阻
(3)
写周期时间
把脉冲宽度
(2)
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
重置周期时间
复位脉冲宽度
(2)
复位建立时间
(3)
Com'l &米尔。
7207L20
—
30
—
10
20
5
5
5
—
30
20
10
12
0
30
20
20
10
30
20
20
10
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
20
—
—
20
10
10
33.3
—
20
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
30
30
20
20
—
20
20
30
30
—
20
20
—
—
—
Com'l
7207L25
—
35
—
10
25
5
5
5
—
35
25
10
15
0
35
25
25
10
35
25
25
10
—
—
—
—
—
25
—
—
—
—
25
—
—
25
10
10
28.5
—
25
—
—
—
—
—
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
35
35
25
25
—
25
25
35
35
—
25
25
—
—
—
军事
7207L30
—
40
—
10
30
5
5
5
—
40
30
10
18
0
40
30
30
10
40
30
30
10
—
—
—
—
—
30
—
—
—
—
30
—
—
30
10
10
25
—
30
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
30
30
—
30
30
40
40
—
30
30
—
—
—
Com'l
7207L35
—
45
—
10
35
5
10
5
—
45
35
10
18
0
45
35
35
10
45
35
35
10
—
—
—
—
—
35
—
—
—
—
35
—
—
35
10
15
22.2
—
35
—
—
—
—
—
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45
45
45
30
30
—
30
30
45
45
—
35
35
—
—
—
Com'l &米尔。
7207L50
分钟。马克斯。单位
—
65
—
15
50
10
15
5
—
65
50
15
30
5
65
50
50
15
65
50
50
15
—
—
—
—
—
50
—
—
—
—
50
—
—
50
10
15
15
—
50
—
—
—
—
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
65
65
65
45
45
—
45
45
65
65
—
50
50
—
—
—
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3140 TBL 05
分钟。
—
25
—
10
15
5
5
5
—
25
15
10
11
0
25
15
15
10
25
15
15
10
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
15
—
—
15
10
10
(3)
马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
40
—
15
—
—
—
—
—
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
25
25
15
15
—
15
15
25
25
—
15
15
—
—
—
复位恢复时间
重发周期时间
重发脉冲宽度
(2)
转播建立时间
重置为EF低
转播低到旗有效
读低到EF低
阅读HIGH到FF高
后EF高读取脉冲宽度
写HIGH到EF高
写低到FF低
写低到HF标记低
阅读HIGH到HF高旗
写FF后高脉冲宽度
读/写低到XO低
读/写HIGH到高XO
十一脉冲宽度
(2)
第十一恢复时间
第十一建立时间
重发恢复时间
tHFH ， TFFH重置为HF和FF HIGH
注意事项：
1.计时在AC测试条件引用。
2.脉冲宽度小于最小是不允许的。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
4.仅适用于读取数据的流通方式。
5.05
3
IDT7207 CMOS异步FIFO
32,768 x 9
军用和商用温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
见图1
3140
t
BL 07
5V
1.1K
D.U.T.
680
30pF*
电容
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
(1)
(1,2)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
3140
t
BL 08
或等效电路
3140 DRW 04
C
OUT
注意事项：
1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
2.输出取消。
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
信号说明
输入：
DATA IN （D
0
–D
8
)
- 为9位宽的数据的数据输入端。
控制：
复位（
RS
) —
复位完成时复位
(
RS
）输入为低电平状态。在复位过程中，内部
读写指针被设置到第一位置。复位的
可以发生在加电后写操作之前，必需的。
无论是读使能（
R
）和写使能（
W
）输入必须
处于高状态，如图2中所示的窗口中
（即吨
RSS
的上升沿之前
RS
）和不应该
变化，直到吨
RSR
后的上升沿
RS
.
写使能（
W
) —
写周期在下降沿启动
该输入，如果满标志的边缘（
FF
）未设置。数据的设置和
保持时间必须坚持到，对于上升沿
的写使能（
W
） 。数据被存储在RAM阵列中
顺序地和独立地为任何在外出时的读操作。
一半的存储器的填充之后，并且在所述下降沿
下一个写操作时，半满标志（
HF
）将被设置为LOW时，
并将继续设置，直到写指针之间的区别
和读出指针是小于或等于二分之一的共
存储器设备的。半满标志（
HF
）由复位
在读操作的上升沿。
为了防止数据溢出，全旗（
FF
）将变低的
最后一个写信号的下降沿，从而抑制进一步的写
操作。当完成一有效的读操作，则
满标志（
FF
）会去吨后高
RFF
，允许新的有效的写
开始。当FIFO满时，内部写指针
从封锁
W
在这样的外部变化
W
不会影响到FIFO中
当它满。
读使能（
R
) —
读周期为下降沿启动
读使能的边缘（
R
） ，所提供的空标志（
EF
）是不
设置的。数据是在一个先入/先出的基础访问，不知疲倦
悬垂的任何正在进行的写入操作。后读使能（
R
)
变为高电平时，数据输出（Q
0
通过Q
8
）将返回到
高阻抗状态，直到下一次读操作。当
所有的数据已被从FIFO中时，空标志（读
EF
)
将变低，让“最终”读周期，但进一步抑制
读操作，以保持在一个高的数据输出
阻抗状态。一次有效的写操作已经accom-
plished ，空标志（
EF
）会去吨后高
世界经济论坛
和一个有效
然后读取就可以开始。当FIFO是空的，内部读
指针是由阻断
R
所以外部的变化不会影响
当FIFO为空。
首先加载/重传（
FL
/
RT
) —
这是一个双
通用输入。在深度扩展模式，该引脚为
接地，以表明它是加载的第一装置（见
操作模式） 。单个器件模式是通过启动
接地扩张（
XI
).
的IDT7207可制成时重发数据
重新发送使能控制（
RT
）输入脉冲低电平。重新传送一
麻省理工学院的操作将在内部读指针设定在第一位置
且不会影响写指针。该标志的状态将
改变取决于所读取的相对位置和写
指针。读使能（
R
）和写使能（
W
）必须在
重发在高状态。此功能非常有用，当少
超过32,768写操作复位之间进行。重新传送
麻省理工学院的特点是不与深度扩展模式兼容。
扩展IN（
XI
)
- 该输入是一个双功能引脚。
扩展IN（
XI
）被接地，以指示在一个操作
单个设备的模式。扩张（
XI
）被连接到Expan-
锡永输出（
XO
）中的深度扩展以前的设备或
菊花链模式。
5.05
4
QQ：2881677436 复制
