3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 256K ×16位）
特点
◆
◆
◆
IDT71V416S
IDT71V416L
描述
该IDT71V416是组织了4,194,304位高速静态RAM
为256K ×16。它是采用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71V416有一个输出使能引脚，以最快的速度运行
为5ns ，有地址的访问时间以最快的速度为10ns 。所有的双向输入和
该IDT71V416的输出是LVTTL兼容和操作是从一个
3.3V单电源供电。全静态异步电路时，需要
无时钟或刷新操作。
该IDT71V416封装在一个44引脚， 400万塑料SOJ和
44针， 400万TSOP II型封装和48球栅阵列， 9毫米X
9毫米包。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
256K ×16的先进的高速CMOS静态RAM
JEDEC中心电源/ GND引脚排列，可降低噪音。
平等的机会和周期时间
- 商业和工业10/ 12 / 15ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
LVTTL兼容
通过芯片取消低功耗
上下字节使能引脚
单3.3V电源
采用44引脚， 400万塑料SOJ包装和44-
销， 400密耳的TSOP II型包和一个48球栅阵列，
9毫米X 9毫米包。
功能框图
OE
产量
启用
卜FF器
A0 - A17
地址
缓冲器
行/列
解码器
8
CS
芯片
SELECT
卜FF器
8
SENSE
安培
和
写
DRIVERS
高
字节
产量
卜FF器
高
字节
写
卜FF器
8
I / O 15
8
I / O 8
4,194,304-bit
内存
ARRAY
WE
写
启用
卜FF器
16
8
低
字节
产量
卜FF器
低
字节
写
卜FF器
8
I / O 7
8
8
I / O 0
BHE
字节
启用
缓冲器
BLE
3624 DRW 01
2004年1月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-3624/09
IDT71V416S ， IDT71V416L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 256K ×16位）
商用和工业温度范围
引脚配置 - SOJ / TSOP
A0
A1
A2
A3
A4
CS
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
V
DD
V
SS
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
OE
BHE
BLE
I / O 15
I / O 14
I / O 13
I / O 12
V
SS
V
DD
I / O 11
I / O 10
I / O 9
I / O 8
NC *
A14
A13
A12
A11
A10
引脚配置 - 48 BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BLE
I / O
0
I / O
1
V
SS
V
DD
I / O
6
I / O
7
NC
2
OE
BHE
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CS
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
WE
A
11
6
NC
I / O
8
I / O
9
V
DD
V
SS
I / O
14
I / O
15
NC
3624 TBL 11
SO44-1
SO44-2
3624 DRW 02
*针28可以是一个常闭或连接到Vss
顶视图
引脚说明
A
0
- A
17
CS
WE
OE
BHE
BLE
I / O
0
- I / O
15
V
DD
V
SS
地址输入
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
高字节使能
低字节使能
数据输入/输出
3.3V电源
地
输入
输入
输入
输入
输入
输入
I / O
PWR
GND
3624 TBL 01
SOJ电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
7
8
单位
pF
pF
3624 TBL 02
48 BGA电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3624 TBL 02B
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
6.42
2
IDT71V416S ， IDT71V416L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 256K ×16位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN，
V
OUT
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压相对于V
SS
端电压相对于
V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-55到+125
-55到+125
1
50
单位
V
V
o
o
推荐工作
温度和电源
电压
GRADE
广告
产业
温度
0
O
C至+70
O
C
–40
O
C至+ 85
O
C
V
SS
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3624 TBL 05
C
C
W
mA
3624 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(2)
典型值。
3.3
0
____
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3624 TBL 06
____
注意事项：
1. VIH （最大） = VDD + 2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
2. VIL （分钟） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
BLE
X
L
H
L
L
L
H
X
H
BHE
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I / O
0-
I / O
7
高-Z
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
I / O
8-
I / O
15
高-Z
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
高-Z
数据
IN
高-Z
高-Z
功能
取消选择 - 待机
低字节读
高字节读
字读
字写
低字节写入
高字节写入
输出禁用
输出禁用
3624 TBL 03
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
6.42
3
IDT71V416S ， IDT71V416L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 256K ×16位）
商用和工业温度范围
DC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
IDT71V416
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN =
V
SS
到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3624 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1, 2, 3)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V416S/L10
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(4)
动态待机电源电流
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(4)
全备的电源电流（静态）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(4)
S
L
S
L
S
L
Com'l 。
200
180
70
50
20
10
IND 。
(5)
200
—
70
—
20
—
71V416S/L12
Com'l 。
180
170
60
45
20
10
IND 。
180
170
60
45
20
10
71V416S/L15
Com'l 。
170
160
50
40
20
10
IND 。
170
160
50
40
20
10
3624 TBL 08
单位
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项：
IDT71V416S/71V416L
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
-0.2V （高） 。
3.电源规格是初步。
4. f最大= 1 / T
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
仅5标准功率为10ns （ S10 ）的速度等级。
AC测试负载
+1.5V
50
I / O
Z
0
= 50
30pF
3624 DRW 03
3.3V
320
数据
OUT
5pF*
350
3624 DRW 04
图1. AC测试负载
*包括夹具和范围电容。
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW
和叔
WHZ
)
7
6
t
AA,
t
ACS
（典型， NS ） 5
4
3
2
1
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
图1,2和3中
3624 TBL 09
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
电容（pF）
3624 DRW 05
图3.输出电容降额
6.42
4
IDT71V416S ， IDT71V416L ， 3.3V CMOS静态RAM
4梅格（ 256K ×16位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
71V416S/L10
(2)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
BE
t
BLZ
(1)
t
BHZ
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
WP
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
芯片选择低到结束写入的
字节使能低到结束写入的
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能高到输出中低Z
写使能在高阻低到输出
10
8
8
8
0
0
8
5
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
71V416S/L12
分钟。
马克斯。
71V416S/L15
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择低输出在低Z
芯片选择高到输出的高阻
输出使能低到输出有效
输出使能低-Z低到输出
输出使能高到输出的高阻
从地址变更输出保持
字节使能低到输出有效
字节使能在低Z低到输出
字节使能高到输出的高阻
10
____
____
____
12
____
____
____
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
4
____
____
4
____
____
4
____
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
0
____
0
____
0
____
5
____
6
____
7
____
4
____
4
____
4
____
5
____
6
____
7
____
0
____
0
____
0
____
5
6
7
12
8
8
8
0
0
8
6
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
15
10
10
10
0
0
10
7
0
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3624 TBL 10
6
7
7
注意：
1.此参数是保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
2.低功耗为10ns （ L10 ）速度0°C至+仅70℃的温度范围内。
读循环中没有时序波形。 1
(1,2,3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
数据
OUT
有效
t
OH
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.
OE ， BHE ，
和
BLE
是低的。
3624 DRW 06
6.42
5
QQ：2881677436 复制
