3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）
中心电源&
接地引脚
x
x
IDT71V124SA
特点
128K ×8先进的高速CMOS静态RAM
为JEDEC革命性的引出线（中心电源/ GND ）
减少噪音
平等的机会和周期时间
- 商用10 /12/ 15 / 20ns的
- 工业10 /12/ 15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
输入和输出都是LVTTL兼容
3.3V单电源供电
通过芯片取消低功耗
采用32引脚300-和400 - MIL塑料SOJ ，并
32针II型TSOP封装。
描述
该IDT71V124是组织了1,048,576位高速静态RAM
为128K X 8.采用IDT的高性能，高可靠性的制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。 JEDEC的中心电源/ GND引脚排列降低
噪音的产生，并提高系统性能。
该IDT71V124有一个输出使能引脚，以最快的速度运行
为5ns ，有地址的访问时间以最快的速度提供9ns 。所有双向
tional输入和IDT71V124的输出是LVTTL兼容并
操作是从一个单一的3.3V电源。完全静态异步
电路被使用;无时钟或刷新所需要的操作。
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
A
16
地址
解码器
1,048,576-BIT
存储阵列
I / O
0
- I / O
7
8
8
I / O控制
.
8
WE
OE
CS
控制
逻辑
3873 DRW 01
2003年11月
1
2003-集成设备技术有限公司
DSC-3873/07
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
DD
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6 SO32-2 27
7 SO32-3 26
8 SO32-4 25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
DD
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
3873 DRW 02
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
等级
电源电压相对
到GND
端电压相对
到GND
广告
工作温度
T
A
产业
工作温度
-40至+85
-55到+125
-55到+125
1.25
50
o
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
单位
V
V
-0至+70
o
C
.
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
o
W
mA
SOJ和TSOP
顶视图
真值表
(1)
CS
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机
3873 TBL 01
3873 TBL 02
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响可靠性。
功能
推荐工作温度
自命电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3873 TB升02A
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
(1)
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
–0.5
(1)
典型值。
3.3
3.3
0
____
____
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3873 TBL 03
马克斯。
3.6
3.6
0
V
DD
+0.3
(3)
0.8
单位
V
V
V
V
V
3873 TBL 04
V
DD
(2)
V
SS
V
IH
V
IL
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
DC电气特性
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
注意事项：
1.只71V124SA10 。
2.对所有速度等级，除了71V124SA10 。
3. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
4. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
测试条件
V
DD
=最大，V
IN =
GND到V
DD
V
DD
=最大值， CS
=
V
IH
, V
OUT -
GND到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3873 TBL 05
2.4
2
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
DC电气特性
(1, 2)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
0.2V)
71V124SA10
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
动态待机电源电流
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
全部备用电源电流（静态）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(3)
Com'l
145
45
10
IND
150
50
10
71V124SA12
Com'l
130
40
10
IND
140
40
10
71V124SA15
Com'l
100
35
10
IND
120
40
10
71V124SA20
Com'l
95
30
10
IND
115
35
10
单位
mA
mA
mA
3873 TBL 06
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
-0.2V （高） 。
3. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
)
;
F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和图2
3873 TBL 07
3.3V
320
数据
OUT
5pF*
30pF
3873 DRW 03
+1.5V
50
I / O
Z
0
= 50
350
3873 DRW 04
.
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
3
6.42
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
71V124SA10
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
10
____
____
71V124SA12
分钟。
马克斯。
71V124SA15
分钟。
马克斯。
71V124SA20
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
12
____
____
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
20
20
____
____
____
____
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
8
8
____
0
0
4
0
0
4
0
0
4
0
0
4
5
____
5
____
5
____
7
____
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(2)
t
WHZ
(2)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
10
7
7
0
7
0
5
0
3
0
____
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
____
15
10
10
0
10
0
7
0
3
0
____
20
12
12
0
12
0
9
0
4
0
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3873 TBL 08
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
5
5
8
注意事项：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
4
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ （ 5 ）
t
ACS(3)
t
CLZ （ 5 ）
高阻抗
数据
OUT
数据
OUT
有效
3873 DRW 05
t
OHZ （ 5 ）
t
CHZ （ 5 ）
.
读循环中没有时序波形。 2
(1, 2, 4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3873 DRW 06
.
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
5
6.42
3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）
中心电源&
接地引脚
x
x
IDT71V124SA
特点
128K ×8先进的高速CMOS静态RAM
为JEDEC革命性的引出线（中心电源/ GND ）
减少噪音
平等的机会和周期时间
- 商用10 /12/ 15 / 20ns的
- 工业10 /12/ 15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
输入和输出都是LVTTL兼容
3.3V单电源供电
通过芯片取消低功耗
采用32引脚300-和400 - MIL塑料SOJ ，并
32针II型TSOP封装。
描述
该IDT71V124是组织了1,048,576位高速静态RAM
为128K X 8.采用IDT的高性能，高可靠性的制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。 JEDEC的中心电源/ GND引脚排列降低
噪音的产生，并提高系统性能。
该IDT71V124有一个输出使能引脚，以最快的速度运行
为5ns ，有地址的访问时间以最快的速度提供9ns 。所有双向
tional输入和IDT71V124的输出是LVTTL兼容并
操作是从一个单一的3.3V电源。完全静态异步
电路被使用;无时钟或刷新所需要的操作。
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
A
16
地址
解码器
1,048,576-BIT
存储阵列
I / O
0
- I / O
7
8
8
I / O控制
.
8
WE
OE
CS
控制
逻辑
3873 DRW 01
2003年11月
1
2003-集成设备技术有限公司
DSC-3873/07
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
DD
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6 SO32-2 27
7 SO32-3 26
8 SO32-4 25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
DD
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
3873 DRW 02
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
等级
电源电压相对
到GND
端电压相对
到GND
广告
工作温度
T
A
产业
工作温度
-40至+85
-55到+125
-55到+125
1.25
50
o
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
单位
V
V
-0至+70
o
C
.
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
o
W
mA
SOJ和TSOP
顶视图
真值表
(1)
CS
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机
3873 TBL 01
3873 TBL 02
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响可靠性。
功能
推荐工作温度
自命电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3873 TB升02A
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
(1)
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
–0.5
(1)
典型值。
3.3
3.3
0
____
____
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3873 TBL 03
马克斯。
3.6
3.6
0
V
DD
+0.3
(3)
0.8
单位
V
V
V
V
V
3873 TBL 04
V
DD
(2)
V
SS
V
IH
V
IL
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
DC电气特性
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
注意事项：
1.只71V124SA10 。
2.对所有速度等级，除了71V124SA10 。
3. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
4. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
测试条件
V
DD
=最大，V
IN =
GND到V
DD
V
DD
=最大值， CS
=
V
IH
, V
OUT -
GND到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3873 TBL 05
2.4
2
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
DC电气特性
(1, 2)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
0.2V)
71V124SA10
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
动态待机电源电流
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
全部备用电源电流（静态）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(3)
Com'l
145
45
10
IND
150
50
10
71V124SA12
Com'l
130
40
10
IND
140
40
10
71V124SA15
Com'l
100
35
10
IND
120
40
10
71V124SA20
Com'l
95
30
10
IND
115
35
10
单位
mA
mA
mA
3873 TBL 06
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
-0.2V （高） 。
3. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
)
;
F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和图2
3873 TBL 07
3.3V
320
数据
OUT
5pF*
30pF
3873 DRW 03
+1.5V
50
I / O
Z
0
= 50
350
3873 DRW 04
.
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
3
6.42
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
71V124SA10
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
10
____
____
71V124SA12
分钟。
马克斯。
71V124SA15
分钟。
马克斯。
71V124SA20
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
12
____
____
15
____
____
20
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
20
20
____
____
____
____
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
5
5
____
6
6
____
7
7
____
8
8
____
0
0
4
0
0
4
0
0
4
0
0
4
5
____
5
____
5
____
7
____
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(2)
t
WHZ
(2)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
10
7
7
0
7
0
5
0
3
0
____
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
____
15
10
10
0
10
0
7
0
3
0
____
20
12
12
0
12
0
9
0
4
0
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3873 TBL 08
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
5
5
8
注意事项：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
4
IDT71V124SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ （ 5 ）
t
ACS(3)
t
CLZ （ 5 ）
高阻抗
数据
OUT
数据
OUT
有效
3873 DRW 05
t
OHZ （ 5 ）
t
CHZ （ 5 ）
.
读循环中没有时序波形。 2
(1, 2, 4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3873 DRW 06
.
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
5
6.42
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