3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
特点
x
x
IDT71V016SA
描述
该IDT71V016是组织了1,048,576位高速静态RAM
为64K ×16。它是采用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种高具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71V016有一个输出使能引脚，运行速度
为5ns的，有地址的访问时间以最快的速度为10ns 。所有双向
该IDT71V016的输入和输出都是LVTTL兼容和操作
是从一个单一的3.3V电源。全静态异步电路时，
无需时钟或刷新操作。
该IDT71V016封装在一个JEDEC标准44引脚塑料
SOJ ，一个44针TSOP II型和48球的塑料7× 7毫米FBGA 。
x
x
x
x
x
x
64K ×16的先进的高速CMOS静态RAM
平等的机会和周期时间
- 商用10 /12/ 15 / 20ns的
- 工业：12 /15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
LVTTL兼容
通过芯片取消低功耗
上下字节使能引脚
单3.3V电源
采用44引脚塑料SOJ ， 44引脚TSOP和
48个塑料球FBGA封装
功能框图
产量
启用
卜FF器
OE
A
0
– A
15
地址
缓冲器
行/列
解码器
I / O
15
芯片
启用
卜FF器
SENSE
安培
和
写
DRIVERS
8
低
字节
I / O
卜FF器
8
8
高
字节
I / O
卜FF器
8
CS
I / O
8
WE
写
启用
卜FF器
64K ×16
内存
ARRAY
16
I / O
7
I / O
0
BHE
字节
启用
缓冲器
BLE
3834 DRW 01
2002年6月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3834/06
IDT71V016SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CS
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
DD
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
SO44-1
SO44-2
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
DD
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
1
A
B
C
D
E
F
G
H
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CS
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
3834 TBL 02A
FBGA （ BF48-1 ）
顶视图
引脚说明
A
0
– A
15
CS
WE
OE
BHE
BLE
I / O
0
- I / O
15
V
DD
V
SS
地址输入
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
高字节使能
低字节使能
数据输入/输出
3.3V电源
地
3834 DRW 02
输入
输入
输入
输入
输入
输入
I / O
动力
GND
3834 TBL 01
SOJ / TSOP
顶视图
真值表
(1)
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
BLE
X
L
H
L
L
L
H
X
H
BHE
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I / O
0
-I / O
7
高-Z
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
I / O
8
-I / O
15
高-Z
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
高-Z
数据
IN
高-Z
高-Z
功能
取消选择 - 待机
低字节读
高字节读
字读
字写
低字节写入
高字节写入
输出禁用
输出禁用
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
3834 TBL 02
6.42
2
IDT71V016SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD
V
IN
, V
OUT
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
电源电压相对于
V
SS
端电压相对
到V
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
-55到+125
-55到+125
1.25
50
单位
V
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
见下文
见下文
3834 TBL 04
o
o
C
C
W
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
(1)
V
DD
(2)
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.15
3.0
0
2.0
–0.3
(4)
典型值。
3.3
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
3.6
0
V
DD
+0.3
(3)
0.8
单位
V
V
V
V
V
3834 TBL 05
3834 TBL 03
注意：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.只71V016SA10 。
2.对所有速度等级，除了71V016SA10 。
3. V
IH
（最大值） - V
DD
+ 2V的脉宽小于5ns的，每循环一次。
4. V
IL
（分） = -2V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
3834 TBL 06
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
DC电气特性
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
IDT71V016SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
=最大，V
IN
= V
SS
到V
DD
V
DD
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
DD
I
OL
= 8毫安，V
DD
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DD
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3834 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1,2)
(V
DD
=分钟。至最大，V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
– 0.2V)
71V016SA10
符号
I
CC
参数
动态工作电流
CS
≤
V
LC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
动态待机电源电流
CS
≥
V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值，女= F
最大
(3)
全部备用电源电流（静态）
CS
≥
V
HC
，输出打开，V
DD
=最大值， F = 0
(3)
马克斯。
典型值。
(4)
Com'l只有
160
125
45
10
71V016SA12
Com'l
150
120
40
10
IND
160
--
45
10
71V016SA15
Com'l
130
110
35
10
IND
130
--
35
10
71V016SA20
Com'l
120
110
30
10
IND
120
--
30
10
单位
mA
I
SB
I
SB1
mA
mA
3834 TBL 08
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2.所有输入0.2V （低）和V之间的切换
DD
- 0.2V （高） 。
3. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
4.典型值在3.3V测定， 25 ℃，用相等的读写周期。
6.42
3
IDT71V016SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
参见图1 ，图2和3
3834 TBL 09
AC测试负载
3.3V
+1.5V
50
I / O
Z
0
= 50
30pF
3834 DRW 03
320
数据
OUT
5pF*
350
3834 DRW 04
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
7
t
AA,
t
ACS
（典型， NS ） 5
4
3
6
2
1
·
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
电容（pF）
3834 DRW 05
图3.输出电容降额
6.42
4
IDT71V016SA ， 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
BE
t
BLZ
(1)
t
BHZ
(1)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择低输出在低Z
芯片选择高到输出的高阻
输出使能低到输出有效
输出使能低-Z低到输出
输出使能高到输出的高阻
从地址变更输出保持
字节使能低到输出有效
字节使能在低Z低到输出
字节使能高到输出的高阻
参数
(V
DD
=最小值。到最大，商用和工业温度范围）
71V016SA10
(2)
分钟。
马克斯。
71V016SA12
分钟。
马克斯。
71V016SA15
分钟。
马克斯。
71V016SA20
分钟。
马克斯。
单位
10
____
____
____
12
____
____
____
15
____
____
____
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10
____
12
12
____
15
15
____
20
20
____
4
____
4
____
5
____
5
____
5
5
____
6
6
____
6
7
____
8
8
____
____
____
____
____
0
____
0
____
0
____
0
____
5
—
5
____
6
—
6
____
6
—
7
____
8
—
8
____
4
—
0
____
4
—
0
____
4
—
0
____
4
____
0
____
5
6
6
8
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
WP
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
片选罗瓦特写的结束
字节使能罗瓦特写的结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能高到输出中低Z
写使能在高阻低到输出
10
7
7
7
0
0
7
5
0
3
____
____
____
12
8
8
8
0
0
8
6
0
3
____
____
____
15
10
10
10
0
0
10
7
0
3
____
____
____
20
12
12
12
0
0
12
9
0
3
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3834 TBL 10
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
6
6
8
注意事项：
1.此参数是保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
2 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
读循环中没有时序波形。 1
(1,2,3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3834 DRW 06
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.
OE ， BHE ，
和
BLE
是低的。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
