【18MB流水线QDR II SRAM突发的4特点xxxxxx描述ADVANCE信息IDT71P74】,IC型号IDT71P74604S250BQ,IDT71P74604S250BQ PDF资料,IDT71P74604S250BQ经销商,ic,电子元器件-51电子网

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18MB流水线

QDR II SRAM

突发的4

特点

x

x

x

x

x

x

描述

ADVANCE

信息

IDT71P74204

IDT71P74104

IDT71P74804

IDT71P74604

x

x

x

x

x

x

18MB密度（ 2Mx8 ， 2Mx9 ， 1Mx18 ， 512kx36 ）

单独的，独立的读写数据端口

-

支持并发事务

双回波时钟输出

4字突发所有的SRAM访问

复用地址总线一个读或一个写请求

在每个时钟周期

DDR （双倍数据速率）数据总线

-

每两个时钟周期就四个字突发数据

每个端口

-

每个时钟周期四个字转让

深度扩展，通过控制逻辑

HSTL （ 1.5V）输入，还可以扩展到接收信号

从1.4V到1.9V 。

可扩展的输出驱动器

-

可以驱动HSTL ， 1.8V TTL或任何电压等级

从1.4V到1.9V 。

-

输出阻抗为35欧姆到70可调

欧

1.8V内核电压（V

DD

)

165球， 1.0mm间距15毫米x17毫米FBGA封装

JTAG接口

IDT的QDRII

TM

突发四个SRAM是高速同步

回忆与独立，双倍数据速率（DDR ），读写

数据端口。该方案允许同时读取和写入访问

最大设备的吞吐量，用四个数据项通过与每个

读取或写入。每个时钟周期的四个数据字传输发生时，提供

四倍数据率（ QDR ）的性能。与标准SRAM相比这

通用I / O （ CIO ），单倍数据速率（ SDR ）的设备，四到一个指令

打折的数据访问，在相当于时钟速度来实现的。考虑 -

荷兰国际集团的QDRII允许的时钟速度超过标准SRAM执行解

恶习，吞吐量可以很好的增加超过四一大部分

应用程序。

使用独立的端口，用于读取和写入数据的访问，简化

系统设计通过省去了双向总线。所有巴士

与QDRII关联是单向的，并且可以为被优化

在非常高的总线速度信号完整性。该QDRII具有可扩展输出

阻抗在其数据输出总线和回波时钟，从而允许用户

调总线用于低噪声和高的性能。

该QDRII与读地址和一个单一的SDR地址总线

写复用的地址。在读写地址交织

与每个出现的最大每隔一个周期。在事件没有

操作发生在一个周期中， subsequest周期可以开始于

无论是读还是写。在写操作期间，从个人的写入

字节可通过使用字节或半字节写入控制的被阻塞

信号。

该QDRII具有回波时钟，向用户提供一个时钟

功能框图

D

(Note1)

数据

REG

写入驱动器

检测放大器

输出REG

SA

输出选择

输出选择

(Note2)

写/读DECODE

添加

(Note2)

REG

R

W

BWX

(Note3)

CTRL

逻辑

18M

内存

ARRAY

(Note1)

Q

K

K

C

C

CLK

根

选择输出控制

CQ

CQ

6111 drw16

笔记

1 ）表示为×8为对x36 36的信号线8的数据信号线，对于×9 9条信号线，对×18 18根信号线，和

2）代表对于x8和×9为对x36 17的地址信号线19的地址信号线，用于×18 18的地址信号线，和。

3 ）表示为×9为对x36四条信号线1信号线，对×18 2的信号线，和。上x8的部件，所述

BW

是一种“蚕食写”

并有2条信号线。

2004年3月

1

2003集成设备技术有限公司

“ QDR SRAM的和四倍数据速率的RAM包括由Cypress半导体， IDT ，与美光科技公司开发的产品家族的新成员”

DSC-6111/00

IDT71P74204 （ 2M ×8位）， 71P74104 （ 2M ×9位）， 71P74804 （ 1M ×18位） 71P74604 （ 512K ×36位）

超前信息

18 MB QDR II SRAM突发的4

商业级温度范围

它能精确定时的数据输出，并调谐以匹配阻抗

ANCE和信号质量。用户可以使用向下回波时钟

数据流中的时钟。回波时钟省去了用户

以产生交替的时钟以精确的定时，定位，和信号

品质保证数据采集。由于产生的回波时钟

由驱动数据输出端，所述关系与数据相同的源

不显著受电压，温度和工艺，如将

是的情况下，如果时钟是由外部源产生的。

在QDRII SRAM的所有接口都HSTL ，让速度超越

使用任何形式的TTL接口的SRAM器件。该接口可以是

扩展到更高电压（高达1.9V ）与1.8V的系统，如果接口

有必要的。该装置具有V

DDQ

和一个单独的Vref时，允许

用户指定的接口的操作电压，独立的

1.8V的V器件的核心电压

DD

.

的输出阻抗控制使

用户调整的驱动力，以适应各种各样的负载，并

传输线。

该装置能够维持在两个输入全带宽的

和输出端口同时进行。所有的数据是两个字阵阵，与

寻址能力的脉冲串电平。

边缘的CQ和下降沿

CQ 。

的上升沿

C

产生

的上升沿

CQ

和CQ的下降沿。该方案提高了

回波时钟和意愿的上升沿和下降沿之间的相关性

提高各个信号的占空比。

回波时钟是非常密切的数据一致，保证

回波时钟将继续密切与数据相关，内

公差指定。

读取和写入操作

QDRII设备的4个字的脉冲串的内部存储为单个

字宽，并将保留其在突发秩序。有没有能力

解决的一个字级或反向突发秩序;然而，该

字节和半字节写信号可用来防止写入任何indi-

维杜阿尔字节，或合并，以防止写入脉冲串中的一个字。

读操作和写操作可以与每个存在的交织

上每隔一个时钟周期。倘若两次读取或两个写操作

要求在相邻的时钟周期，在前进的动作的COM

完整和第二请求将被忽略。倘若既

读写同时被请求时，读操作会赢得

和写操作将被忽略。

读操作是由持有该读端口选择（R ）低启动，

并呈现所述读出地址的地址端口中的上升

的K边缘，将锁存的地址。的数据将被读出，并会

出现在该装置的输出在对应于所指定的时间

与C和

C

时钟。

写操作是通过持有写端口选择（ W）的低启动

和呈递指定的写入地址到地址总线上。该

QDRII SRAM将接收时钟的K上升沿的地址

.

On

K时钟的下一个上升沿，则QDRII SRAM将收到的第一个

四个单词的数据项突发数据总线上。伴随着数据，则

字节（ BW ）或半字节写操作（ NW）输入将被接受，这表明

的数据输入字节应被写入到SRAM中。在上升

边的K ，的写突发的下一个单词和

BW / NW

将被接受。

下面K和

K

将获得的4字的最后两个词

破裂，其

BW / NW

启用。

时钟

的QDRII SRAM具有两套输入时钟信号，即在K ，

K

钟

而C ，

C

时钟。此外， QDRII具有输出“回声”的时钟，

CQ ，

CQ 。

在K和

K

时钟是主设备的输入时钟。在K时钟

时，用于将时钟的控制信号（R，

W

和

BWX / NWX ）

这种吸附

连衣裙，数据的第一和第三字的写入操作过程中破裂。

该

K

时钟用于时钟的控制信号（ BWX或

NWX ）

和

数据的第二个和第四字的写入操作过程中破裂。该

K和

K

时钟也用于内部的SRAM进行。倘

用户禁用C和

C

时钟， K和

K

时钟将用于

时钟将数据从输出寄存器，并产生回波时钟。

C和

C

时钟可以用于时钟数据输出的输出

在读操作期间注册并产生回波时钟。 C和

C

必须被呈现给定时容差范围内的SRAM中。该

从QDRII输出数据将受到密切对准C和

C

输入，

通过使用一个内部的DLL 。当C被呈现给QDRII

SRAM ， DLL将已经使用内部时钟源的数据，在到达

同时该装置的输出与C时钟的到来。该

C

而突发的第二个数据项也将对应。第三和

第四数据项将跟随在下一个时钟周期。

输出使

该QDRII SRAM自动启用和禁用Q [ X： 0 ]

输出。当一个有效的读操作过程中，以及数据是存在于

输出，该输出将被启用。如果没有有效数据出现在输出

（读未激活），则输出将被禁用（高阻）。该

随路时钟仍然有效，在任何时候，不能被禁用或开启

关。在上电期间的Q输出会在一个高阻抗

状态。

单时钟模式

的QDRII SRAM可以与单个时钟对来操作。 C和

C

可以通过把两个信号高，迫使输出和回声被禁止

时钟可以代替控制由K和

K

时钟。

DLL运行

在QDRII SRAM的输出结构中的DLL可以被用来

紧密排列传入的时钟C和

C

与所述数据的输出，

产生在两者之间非常紧的公差。用户可以禁用

该DLL通过举办

DOFF

低。与该DLL关闭时， C和

C

（或K和

K

如果C和

C

未使用）会直接时钟SRAM的输出寄存器。

与该DLL断，会有从时间的时钟的传播延迟

进入该设备，直到该数据出现在输出端。

可编程阻抗

一个外部电阻RQ ，必须连接之间的ZQ引脚

对SRAM和Vss ，以使SRAM中，以调节其输出驱动器阻抗

ANCE 。 RQ的值必须是5倍的预期驱动的价值

阻抗的SRAM。 RQ的允许范围，以保证

具有+/- 10％的公差阻抗匹配是175欧姆之间

而350欧姆，采用V

DDQ

= 1.5V 。的输出阻抗被调整

每1024个时钟周期来校正在电源电压和温漂移

perature 。如果用户希望以驱动SRAM的输出阻抗

到它的最低值，该ZQ引脚可以连接到V

DDQ

.

回波时钟

回波时钟， CQ和

CQ ，

由C生成和

C

钟

（或K，

K

如果C ，

C

被禁用）。 C的上升沿产生的崛起

6.42

2

IDT71P74204 （ 2M ×8位）， 71P74104 （ 2M ×9位）， 71P74804 （ 1M ×18位） 71P74604 （ 512K ×36位）

超前信息

18 MB QDR II SRAM突发的4

商业级温度范围

引脚德网络nitions

符号

引脚功能

描述

数据输入信号，采样K上的上升沿和

K

在有效的写操作时钟

2M ×8 - D [ 7 ： 0 ]

2M ×9 - D [ 8 ： 0 ]

1M ×18 - D [ 17 ： 0 ]

512K ×36 - D [ 35 ： 0 ]

字节写选择0 ， 1 ， 2和3是低电平有效。上的上升沿采样在K的上升沿，并再次

K

在写操作期间的时钟。用于选择哪个字节写入当前部分中写入设备

操作。不写入的字节保持不变。所有的字节写操作被采样的相同边缘的数据。

取消选择一个字节写选择将导致数据的相应字节被忽略和没有写入到设备。

2M ×9 -

BW

0

控制D [ 8：0]

1M ×18 -

BW

0

控制D [ 8：0]和

BW

1

控制D [ 17 ： 9 ]

512K ×36 -

BW

0

控制D [ 8：0] ，

BW

1

控制D [ 17 ： 9]

BW

2

控制D [ 26:18 ]和

BW

3

控制D [ 35:27 ]

半字节写选择0和1为低电平有效。只适用于X8位部分，而不是字节写选择。采样的

在K的上升沿

K

在写操作时钟。用于选择高半字节中的写入设备

的写操作的当前部分。啃不吨书面保持不变。所有的半字节写入被采样的相同

边作为数据。取消一个半字节写选择将导致数据的对应四位被忽略，而不是

写入到该设备。

地址输入过程中活性的读或写操作的采样K时钟的上升沿。这些地址输入

复这样一个读写可交替的时钟周期启动。这些输入被忽略时，相应的

端口被取消。

D [ X： 0 ]

输入同步

BW

0

,

BW

1

BW

2

,

BW

3

输入同步

NW0 ， NW1

输入同步

SA

输入同步

Q [ X： 0 ]

数据的输出信号。在读操作期间，这些引脚输出所请求的数据。有效数据被赶出去的上升

无论是C的输出同步边缘

C

在读操作或K和时钟

K

在单时钟模式下运行时。当阅读

端口被取消，Q [X ： 0 ]会自动三态。

写控制逻辑低电平有效。采样在正向输入时钟（K）的上升沿。当持有效的，写

操作启动。拉高将取消写端口，导致D [ X： 0 ]被忽略。如果一个写操作

被成功地启动，它会继续完成，忽略了

W

在接下来的时钟周期。这允许用户

连续举办

W

低而胀破的数据到SRAM 。

读控制逻辑，低电平有效。采样的正向输入时钟（K ）的上升沿。当激活时，读出操作是

发起。拉高会导致读取端口被取消。如果取消，待定的访问被允许

完整和输出驱动器是自动三态下了C时钟的下一个上升沿。每读

访问由一阵四个连续的转移。如果读操作成功了发起D，它会继续

完成后，无视

R

在接下来的时钟周期。这允许用户在连续保持

R

低而爆裂数据

从SRAM 。

正输出时钟输入。 C被结合使用

C

到时钟从设备读取数据。 C和

C

可以

一起使用，以校正倾斜的各种装置的飞行时间在板回控制器。见应用实例

对于进一步的细节。

负输出时钟输入。

C

结合使用以C到时钟从设备读取数据。 C和

C

可以

一起使用，以校正倾斜的各种装置的飞行时间在板回控制器。见应用实例

对于进一步的细节。

正向输入时钟输入。的K上升沿用于捕获同步输入到该设备并驱出数据

通过Q [X ： 0 ]当一个个时钟模式。所有访问都在K的上升沿启动

负输入时钟输入。

K

用于捕获同步的输入被提供给该装置，并驱出数据

通过Q [X ： 0 ]在单时钟模式下。

同步回波时钟输出。这些输出的上升沿被紧密地匹配于同步数据输出

并且可被用作一个数据有效指示。这些信号是自由运行的，当输出数据是三不停止

说。

输出阻抗匹配输入。该输入是我们编调谐器输出到SYS TEM数据总线阻抗。 Q [ X： 0 ]

输出阻抗设置为0.2× RQ其中，RQ是ZQ与接地之间的电阻器。另外，该引脚可

被直接连接到V

DDQ ，

这使得最小阻抗模式。此引脚不能直接连接到

GND或悬空。

6111 TBL 02A

W

输入同步

R

输入同步

C

输入时钟

C

输入时钟

K

输入时钟

K

输入时钟

CQ ，

CQ

输出时钟

ZQ

输入

6.42

3

IDT71P74204 （ 2M ×8位）， 71P74104 （ 2M ×9位）， 71P74804 （ 1M ×18位） 71P74604 （ 512K ×36位）

超前信息

18 MB QDR II SRAM突发的4

商业级温度范围

引脚定义继续

符号

引脚功能

描述

DLL关闭。当这种低投入将关闭设备内的DLL 。交流与时序

DLL的关闭将与本数据表中列出的不同。会有一个

从C的发生率增加了传输延迟和

C

到Q或K和

K

以Q为

配置。传播延迟是不是一个测试的参数，但将类似的

在此速度等级的其他SRAM德维克ES传播延迟。

TDO引脚用于JTAG 。

TCK引脚用于JTAG 。

TDI引脚用于JTAG 。一个内部电阻会拉TDI到V

DD

当引脚悬空。

TMS引脚用于JTAG 。一个内部电阻将TMS拉至V

DD

当引脚悬空。

无包装内部连接。可以连接到任何电压电平

参考电压输入。用于设置参考文件韦尔为HSTL输入静态的输入和

输出以及交流测量点。

电源输入到该共同重新器件。应连接到1.8V电源

供应量。

地面的装置。应连接到该系统的地面。

电源，用于该装置的输出。应连接至1.5V的电源

为HSTL或缩放到期望的输出电压。

6111 TBL 02B

DOFF

输入

TDO

TCK

TDI

TMS

NC

产量

输入

输入

输入

无连接

输入

参考

动力

供应

地

动力

供应

V

REF

V

DD

V

SS

V

DDQ

6.42

4

IDT71P74204 （ 2M ×8位）， 71P74104 （ 2M ×9位）， 71P74804 （ 1M ×18位） 71P74604 （ 512K ×36位）

超前信息

18 MB QDR II SRAM突发的4

商业级温度范围

引脚配置2M ×8

1

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

R

2

V

SS

/

SA

(2)

NC

NC

D

4

NC

NC

D

5

V

REF

NC

NC

Q

6

NC

D

7

NC

TCK

3

SA

NC

NC

NC

Q

4

NC

Q

5

V

DDQ

NC

NC

D

6

NC

NC

Q

7

SA

4

5

6

7

NC

8

9

SA

NC

NC

NC

NC

NC

NC

V

DDQ

NC

NC

NC

NC

NC

NC

SA

10

V

SS/

SA

(1)

NC

NC

NC

D

2

NC

NC

V

REF

Q

1

NC

NC

NC

NC

NC

TMS

6111 TBL 12

11

CQ

Q

3

D

3

NC

Q

2

NC

NC

ZQ

D

1

NC

Q

0

D

0

NC

NC

TDI

CQ

NC

NC

NC

NC

NC

NC

W

SA

V

SS

V

SS

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

SS

V

SS

SA

SA

NW

1

NC

SA

V

SS

V

SS

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

V

SS

V

SS

SA

SA

SA

K

K

NC

V

SS

V

SS

V

SS

V

SS

V

SS

V

SS

V

SS

V

SS

V

SS

SA

C

R

SA

V

SS

V

SS

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

DDQ

V

SS

V

SS

SA

SA

NW

0

SA

V

SS

V

SS

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

V

DD

V

SS

V

SS

SA

SA

SA

DOFF

NC

NC

NC

NC

NC

NC

TDO

C

165球FBGA封装引脚

顶视图

注意事项：

1. A10是为36MB扩展地址保留。

2. A2是为72MB扩展地址保留。

6.42

5

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7671

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