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18MB流水线
QDR II SRAM
爆2
特点
x
x
x
x
x
x
描述
ADVANCE
信息
IDT71P72204
IDT71P72104
IDT71P72804
IDT71P72604
x
x
x
x
x
x
18MB密度( 2Mx8 , 2Mx9 , 1Mx18 , 512kx36 )
单独的,独立的读写数据端口
-
支持并发事务
双回波时钟输出
2字突发所有的SRAM访问
DDR (双倍数据速率)复用地址总线
-
每时钟周期一个读和一个写请求
DDR (双倍数据速率)的数据总线
-
每个时钟两个字突发数据在每个端口上
-
每个时钟周期四个字转让( 2字
连发2个端口)
深度扩展,通过控制逻辑
HSTL ( 1.5V)输入,还可以扩展到接收信号
从1.4V到1.9V 。
可扩展的输出驱动器
-
可以驱动HSTL , 1.8V TTL或任何电压等级
从1.4V到1.9V 。
-
输出阻抗为35欧姆到70可调
1.8V内核电压(V
DD
)
165球, 1.0mm间距, 13毫米X 15毫米FBGA封装
JTAG接口
IDT的QDRII
TM
爆两个SRAM是高速同步
回忆与独立,双倍数据速率(DDR ) ,读写
数据端口。该方案允许同时读取和写入访问
的最大设备吞吐量,用两个数据项通过与每个
读取或写入。每个时钟周期的四个数据字传输发生时,提供
四倍数据率( QDR )的性能。与标准SRAM相比这
通用I / O ( CIO ) ,单倍数据速率( SDR )的设备,四到一个指令
打折的数据访问,在相当于时钟速度来实现的。考虑 -
荷兰国际集团的QDRII允许的时钟速度超过标准SRAM执行解
恶习,吞吐量可以很好的增加超过四一大部分
应用程序。
使用独立的端口,用于读取和写入数据的访问,简化
系统设计通过省去了双向总线。所有巴士
与QDRII关联是单向的,并且可以为被优化
在非常高的总线速度信号完整性。该QDRII具有可扩展输出
阻抗在其数据输出总线和回波时钟,从而允许用户
调总线用于低噪声和高的性能。
该QDRII与复用的读和一个DDR地址总线
写地址。所有的读地址是在第一次的一半收到
时钟周期,所有的写地址上的下半年收到
时钟周期。读取和写入启用是在上半年收到
的时钟周期。字节和半字节写信号上双双获得
在时钟周期的同时与它们所控制的数据半部
在数据输入总线。
该QDRII具有回波时钟,向用户提供一个时钟
功能框图
(Note1)
D
(Note1)
数据
REG
数据
REG
(Note1)
写入驱动器
检测放大器
R
W
BW
x
(Note3)
CTRL
逻辑
18M
内存
ARRAY
(Note4)
输出REG
SA
(Note4)
输出选择
(Note2)
添加
REG
(Note2)
写/读DECODE
(Note1)
Q
K
K
C
CLK
选择输出控制
CQ
CQ
C
笔记
6109 DRW 16
1 )表示为×8为对x36 36的信号线8的数据信号线,对于×9 9条信号线,对×18 18根信号线,和
2)代表对于x8和×9为对x36 18的地址信号线20的地址信号线,用于×18 19的地址信号线,和。
3 )表示为×9为对x36四条信号线1信号线,对×18 2的信号线,和。上x8的部件,所述
BW
是一种“蚕食写”,并有2
信号线。
4 )表示为×8为对x36 72的信号线16的数据信号线,供×9 18的信号线,对×18 36根信号线,和。
2004年5月
1
2003集成设备技术有限公司
“ QDR SRAM的和四倍数据速率的RAM包括由Cypress半导体, IDT ,与美光科技公司开发的产品家族的新成员”
DSC-6109/0C
IDT71P72204 ( 2M ×8位) , 71P72104 ( 2M ×9位) , 71P72804 ( 1M ×18位) 71P72604 ( 512K ×36位)
超前信息
18 MB QDR II SRAM突发的2
商业级温度范围
它能精确定时的数据输出,并调谐以匹配阻抗
ANCE和信号质量。用户可以使用向下回波时钟
数据流中的时钟。回波时钟省去了用户
以产生交替的时钟以精确的定时,定位,和信号
品质保证数据采集。由于产生的回波时钟
由驱动数据输出端,所述关系与数据相同的源
不显著受电压,温度和工艺,如将
是的情况下,如果时钟是由外部源产生的。
在QDRII SRAM的所有接口都HSTL ,让速度超越
使用任何形式的TTL接口的SRAM器件。该接口可以是
扩展到更高电压(高达1.9V )与1.8V的系统,如果接口
有必要的。该装置具有V
DDQ
和一个单独的Vref时,允许
用户指定的接口的操作电压,独立的
1.8V的V器件的核心电压
DD
.
的输出阻抗控制使
用户调整的驱动力,以适应各种各样的负载,并
传输线。
该装置能够维持在两个输入全带宽的
和输出端口同时进行。所有的数据是两个字阵阵,与
寻址能力的脉冲串电平。
回波时钟
回波时钟, CQ和
CQ ,
由C生成和
C
(或K,
K
如果C ,
C
被禁用) 。 C的上升沿产生的崛起
边缘的CQ和下降沿
CQ 。
的上升沿
C
产生
的上升沿
CQ
和CQ的下降沿。该方案提高了
回波时钟和意愿的上升沿和下降沿之间的相关性
提高各个信号的占空比。
回波时钟是非常密切的数据一致,保证
回波时钟将继续密切与数据相关,内
公差指定。
读取和写入操作
QDRII设备突发的两个词在内部存储为一个单一的,
字宽,并将保留其在突发秩序。有没有能力
解决的一个字级或反向突发秩序;然而,该
字节和半字节写信号可用来防止写入任何indi-
维杜阿尔字节,或合并,以防止写入脉冲串中的一个字。
读操作是由持有该读端口选择(R )低启动,
并呈现所述读出地址的地址端口中的上升
的K边缘,将锁存的地址。的数据将被读出,并会
出现在该装置的输出在对应于所指定的时间
与C和
C
时钟。
写操作是通过持有写端口选择( W)的低启动
并与字节写入输入( BWX )的字节是指定
书面(或
NWX
上x8的设备)。该数据的第一个字也必须是
本上的数据输入总线D [X :0] 。当K时第一上升沿
脉冲串的单词将被锁存到输入寄存器。后K有上涨,
与所指定的保持时间观察到的,所述时钟的第二个一半
周期是由呈现所述写地址到地址总线启动
SA [X :0] ,则
BWX
(或
NWX )
输入用于脉冲串的第二数据字,
和脉冲串的数据总线D的第二数据项[X :0] 。经
上升沿
K,
脉冲串的第二个字将被锁存,随着
所指定的地址。两个脉冲串的第一个和第二个字将
然后被写入到存储器中作为指定由地址和字节写
启用。
时钟
的QDRII SRAM具有两套输入时钟信号,即在K ,
K
而C ,
C
时钟。此外, QDRII具有输出“回声”的时钟,
CQ ,
CQ 。
在K和
K
时钟是主设备的输入时钟。在K时钟
时,用于将时钟的控制信号(R,
W
BWX
or
NWX )
地址和数据的第一个字写入操作期间爆裂。
K
时钟用于时钟的控制信号( BWX或
NWX )
地址和数据的第二个字的写入操作过程中破裂。
在K和
K
时钟也用于内部的SRAM进行。在该事件
用户禁用C和
C
时钟, K和
K
时钟也将
用于时钟数据从输出寄存器,并产生回声
时钟。
C和
C
时钟可以用于时钟数据输出的输出
在读操作期间注册并产生回波时钟。 C和
C
必须被呈现给定时容差范围内的SRAM中。该
从QDRII输出数据将受到密切对准C和
C
输入,
通过使用一个内部的DLL 。当C被呈现给QDRII
SRAM中,该DLL将已经内部时钟源的第一个数据字到
同时到达该装置输出与C时钟的到来。
C
而突发的第二个数据字也对应。
输出使
该QDRII SRAM自动启用和禁用Q [ X: 0 ]
输出。当一个有效的读操作过程中,以及数据是存在于
输出,该输出将被启用。如果没有有效数据出现在输出
(读未激活) ,则输出将被禁用(高阻) 。该
随路时钟仍然有效,在任何时候,不能被禁用或开启
关。在上电期间的Q输出会在一个高阻抗
状态。
单时钟模式
的QDRII SRAM可以与单个时钟对来操作。 C和
C
可以通过把两个信号高,迫使输出和回声被禁止
时钟可以代替控制由K和
K
时钟。
可编程阻抗
一个外部电阻RQ ,必须连接之间的ZQ引脚
对SRAM和Vss ,以使SRAM中,以调节其输出驱动器阻抗
ANCE 。 RQ的值必须是5倍的预期驱动的价值
阻抗的SRAM。 RQ的允许范围,以保证
具有+/- 10%的公差阻抗匹配是175欧姆之间
而350欧姆,采用V
DDQ
= 1.5V 。的输出阻抗被调整
每1024个时钟周期来校正在电源电压和温漂移
perature 。如果用户希望以驱动SRAM的输出阻抗
到它的最低值,该ZQ引脚可以连接到V
DDQ
.
DLL运行
在QDRII SRAM的输出结构中的DLL可以被用来
紧密排列传入的时钟C和
C
与所述数据的输出,
产生在两者之间非常紧的公差。用户可以禁用
该DLL通过举办
DOFF
低。与该DLL关闭时, C和
C
(或K和
K
如果C和
C
未使用)会直接时钟SRAM的输出寄存器。
与该DLL断,会有从时间的时钟的传播延迟
进入该设备,直到该数据出现在输出端。
6.42
2
IDT71P72204 ( 2M ×8位) , 71P72104 ( 2M ×9位) , 71P72804 ( 1M ×18位) 71P72604 ( 512K ×36位)
超前信息
18 MB QDR II SRAM突发的2
商业级温度范围
引脚德网络nitions
符号
引脚功能
输入
同步
描述
数据输入信号,采样K上的上升沿和
K
在有效的写操作时钟
2M ×8 - D [ 7 : 0 ]
2M ×9 - D [ 8 : 0 ]
1M ×18 - D [ 17 : 0 ]
512K ×36 - D [ 35 : 0 ]
字节写选择0 , 1 , 2和3是低电平有效。在上升沿取样在K的上升沿,并再次
边缘
K
时钟 uring写操作。用于选择哪个字节期间写入到器件
的写操作的当前部分。不写入的字节保持不变。所有的字节写操作被采样
相同的边缘的数据。取消选择一个字节写选择将导致数据对应的B YTE是
忽略,并且不写入到设备。
2M ×9 -
BW
0
控制D [ 8:0]
1M ×18 -
BW
0
控制D [ 8:0]和
BW
1
控制D [ 17 : 9 ]
512K ×36 -
BW
0
控制D [ 8:0] ,
BW
1
控制D [ 17 : 9]
BW
2
控制D [ 26:18 ]和
BW
3
控制D [ 35:27 ]
半字节写选择0和1为低电平有效。只适用于X8位部分,而不是字节写选择。
采样在K的上升沿和
K
在写操作期间的时钟。用于选择四位的
的写操作的当前部分写入到器件中。不写半字节保持不变。
所有的半字节写入被采样的相同边缘的数据。取消一个半字节写选择会导致
数据的对应的半字节被忽略和没有写入到设备。
地址输入。阅读地址采样日K时钟的过程中有效的读操作的上升沿。
写地址被采样上的上升沿
K
在主动写操作时钟。这些地址
输入multiplxed ,这样既一个读出和写入操作可以发生在同一时钟周期。这些
当相应的端口被取消输入将被忽略。
数据的输出信号。在读操作期间,这些引脚输出所请求的数据。有效数据被赶出
上的两个C中的上升沿和
C
在读操作或K和时钟
K
单操作时
时钟模式。当读取端口被取消,Q [X : 0 ]会自动三态。
D [ X: 0 ]
BW
0
,
BW
1
BW
2
,
BW
3
输入
同步
NW0 , NW1
输入
同步
SA
输入
同步
Q [ X: 0 ]
产量
同步
W
输入
同步
写控制逻辑低电平有效。采样在正向输入时钟(K)的上升沿。当断言
在启动的活性,进行写操作。拉高将取消写端口。取消写端口会引起
D [ X: 0]被忽略。
读控制逻辑,低电平有效。采样的正向输入时钟(K )的上升沿。当激活时,一
开始读操作。拉高会导致读取端口被取消。取消选中时,
悬而未决的访问被允许完成和输出驱动器自动三态之后的下一个
了C时钟的上升沿。每次读访问由一阵两个连续的转移。
正输出时钟输入。 C被结合使用
C
到时钟从设备读取数据。
C
可以一起使用,以校正倾斜的各种装置的飞行时间在板回控制器。
详情参见应用实例。
负输出时钟输入。
C
结合使用以C到时钟从设备读取数据。
C
可以一起使用,以校正倾斜的各种装置的飞行时间在板回控制器。
详情参见应用实例。
正向输入时钟输入。的K上升沿用于捕获同步输入到该设备,并
开车出去的数据通过Q [X : 0 ]在单时钟模式下。所有访问都在K的上升沿启动
负输入时钟输入。
K
用于捕获同步的输入被提供给该装置,并
赶走数据救援人员到场啊Q [ X: 0 ]在单时钟模式。
同步回波时钟输出。这些输出的上升沿被紧密地匹配到同步
数据输出端,并且可以被用来作为一个数据有效指示。这些信号可以自由运行,不停止的时候
输出数据是三态的。
输出阻抗匹配输入。此输入用于调整器件输出到系统数据总线
阻抗。 Q [ X: 0 ]输出阻抗设定为0.2× RQ ,其中,RQ是位于ZQ之间的电阻
地面上。另外,该引脚可直接连接到V
DDQ
,这使得最小阻抗模式。
此引脚不能直接连接到GND或悬空。
6109 TBL 02A
R
输入
同步
C
输入时钟
C
输入时钟
K
输入时钟
K
输入时钟
CQ ,
CQ
输出时钟
ZQ
输入
6.42
3
IDT71P72204 ( 2M ×8位) , 71P72104 ( 2M ×9位) , 71P72804 ( 1M ×18位) 71P72604 ( 512K ×36位)
超前信息
18 MB QDR II SRAM突发的2
商业级温度范围
引脚定义继续
符号
引脚功能
描述
DLL关闭。当这种低投入将关闭设备内的DLL 。交流与时序
DLL的关闭将与本数据表中列出的不同。会有一个
从C的发生率增加了传输延迟和
C
到Q或K和
K
以Q为
配置。传播延迟是不是一个测试的参数,但将类似的
在此速度等级的其他SRAM器件的传播延迟。
TDO引脚用于JTAG
TCK引脚用于JTAG 。
TDI引脚用于JTAG 。一个内部电阻会拉TDI到V
DD
当引脚悬空。
TMS引脚用于JTAG 。一个内部电阻将TMS拉至V
DD
当引脚悬空。
DOFF
输入
TDO
TCK
TDI
TMS
NC
产量
输入
输入
输入
无连接无连接的包内。可以连接到任何电压电平
输入
参考
动力
供应
动力
供应
参考电压输入。用于设置HSTL输入的基准电平的静态输入和
输出以及交流测量点。
电源输入到该装置的核心。应连接到1.8V电源
供应量。
地面的装置。应连接到该系统的地面。
电源,用于该装置的输出。应连接至1.5V的电源
为HSTL或缩放到期望的输出电压。
6109 TBL 02B
V
REF
V
DD
V
SS
V
DDQ
6.42
4
IDT71P72204 ( 2M ×8位) , 71P72104 ( 2M ×9位) , 71P72804 ( 1M ×18位) 71P72604 ( 512K ×36位)
超前信息
18 MB QDR II SRAM突发的2
商业级温度范围
引脚配置2M ×8
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
2
V
SS/
SA
(2)
NC
NC
D
4
NC
NC
D
5
V
REF
NC
NC
Q
6
NC
D
7
NC
TCK
3
SA
NC
NC
NC
Q
4
NC
Q
5
V
DDQ
NC
NC
D
6
NC
NC
Q
7
SA
4
5
6
7
NC
8
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
V
SS/
SA
(1)
NC
NC
NC
D
2
NC
NC
V
REF
Q
1
NC
NC
NC
NC
NC
TMS
6109 TBL 12
11
CQ
Q
3
D
3
NC
Q
2
NC
NC
ZQ
D
1
NC
Q
0
D
0
NC
NC
TDI
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
NW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
K
K
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
NW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
C
165球FBGA封装引脚
顶视图
注意事项:
1. A10是为36MB扩展地址保留。
2. A2是为72MB扩展地址保留。
6.42
5
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    -
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