【集成设备技术有限公司32K ×32 MCache同步PIPELINED高速缓存RAMIDT71F43】,IC型号IDT71F432S66PF,IDT71F432S66PF PDF资料,IDT71F432S66PF经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成设备技术有限公司

32K ×32 MCache

同步PIPELINED

高速缓存RAM

IDT71F432

产品特点：

采用IDT的Fusion Memory技术

66和75 MHz的速度等级

3-1-1-1流水线突发读

3-1-1-1流水线突发写

3-1-1-1-1-1-1-1 ...扩展流水线操作

刷新开销消耗周期小于0.5％

引脚排列是行业标准PBSRAM超

互换PBSRAM在新设计

兼容MoSys公司MCache 设备

低运行和待机功耗

PBSRAM标准的1/3力量

在JEDEC标准的100引脚矩形塑料包装

薄型四方扁平封装（ TQFP ）

描述：

该IDT71F432 MCache是一款高性能，低功耗

替代标准的32K ×32的流水线突发SRAM

（ PBSRAM ）在高速缓存中的应用。该71F432是使用内置

IDT的Fusion Memory技术，它结合了perfor-

曼斯SRAM与DRAM的成本结构。这是

标准PBSRAM ，有额外根本兼容

tional功能，以适应内部DRAM操作

的存储器中。这些附加的特征被定义为使得

71F432兼容的系统控制器和正确imple-

mented PC板可以透明地擦出火花的

71F432或PBSRAM在高速缓存中的应用。

六针，鉴定为无连接（ NC）的标准

PBSRAM规格，用于支持71F432操作

化。这些引脚5V电源（ 2 ），主机总线W / R ＃， RESET ＃

以及两个专有的功能标记F0和F1 。当使用

标准PBSRAM ，这些引脚没有任何效果和associ-

在71F432兼容的芯片组ated功能都没有

激活。

的71F432支持PBSRAM操作模式， includ-

ING突发读取（ 3-1-1-1 ），突发写（ 3-1-1-1 ）及流水线

突发读取或写入（ 3-1-1-1-1-1 ......）。如同所有的DRAM器件，

刷新是必需的。内存是不是在访问

刷新时间间隔。刷新占用时钟周期的0.5％，

导致的小于0.1％的系统性能降低。

关于IDT的融合存储技术：

什么是融合存储？

融合存储是一种新型的存储技术

结合了高性能和易于使用的SRAM

与DRAM的制造成本。

为什么融合存储芯片这么多比SRAM小？

传统SRAM使用四个或六个晶体管，使每个

存储单元。融合存储器仅使用一个晶体管

每一个存储单元，所以在存储器阵列本身只有约

SRAM的四分之一大小。

是Fusion内存一样动态内存？

不完全是。虽然两者的融合存储和使用的DRAM

单晶体管的动态细胞进行存储，融合Memo-

里斯使用太多不同的设计为所有周边

电路，例如，地址驱动器，读出放大器，和控制

电路。这给了融合存储性能水平

这是比DRAM高得多。

如果融合内存使用动态存储，是否有刷新

单车

是的，但刷新控制自动处理和

几乎不可见，无论是使用芯片上的电路或电路

与存储器装置中使用的芯片组。该perfor-

曼斯惩罚是典型地小于0.1％。

如何融合的内存高速缓存RAM的性能

与同步突发SRAMS比较？

融合存储设备等同的性能

SRAM的它们被设计来取代。

是融合存储和PBSRAMs互换？

设计为使用融合存储高速缓存RAM的系统

可以使用标准的PBSRAMs代替。

MoSys公司MCache 和IDT的之间的区别是什么

融合存储？

MCache是MoSys的商标为他们的高速缓存存储器

设备。融合存储是IDT的商标为不足

说谎的技术。 IDT将利用该技术在其他

产品除了缓存的RAM 。该IDT71F432和

MoSys的MCache设备是可以互换的。

聚变

内存

SRAM

性能

DRAM

成本

融合存储提供SRAM性能的DRAM成本

IDT标志为注册商标，融合存储和CacheRAM是为Integrated Device Technology的注册商标

Pentium是英特尔公司的商标。

MCache是MoSys公司的商标。

商业级温度范围

1996集成设备技术有限公司

1996年12月

DSC-3555/3

13.1

IDT71F432 32Kx32 MCache同步流水式高速缓存RAM

商业级温度范围

256KB缓存框图

处理器总线

CPU D [ 63:32 ]

CPU ADS ＃

CPU W / R ＃

BE ＃[ 8 ：5]

RESET＃

CPU A [ 17 ： 3 ]

CPU的D [ 31：0]

CPU ADS ＃

CPU W / R ＃

BE ＃[ 4:1 ]

CPU A [ 17 ： 3 ]

标签

SRAM

芯片组

缓存

调节器

CLK

ADSC ＃

CE＃

OE ＃

ADV ＃

GW ＃

BWE ＃

F0, F1

CS0

CS1#

IDT71F432

32Kx32

RESET＃

IDT71F432

32Kx32

引脚说明摘要

符号

A14 – A0

CE＃

CS0 ， CS1 ＃

OE ＃

GW ＃

BWE ＃

BW1 ＃，＃ BW2 ， BW3 ＃， BW4 ＃

CLK

ADV ＃

ADSC ＃

ADSP ＃

I/O31-I/O0

描述

地址输入

芯片使能

芯片选择

OUTPUT ENABLE

全局写使能

字节写使能

单个字节写入选择

时钟

突发地址进展

地址状态（高速缓存控制器）

地址状态（处理器）

数据输入/输出

TYPE

输入

I / O

引脚数

48, 47, 46, 45, 44, 81, 82, 99,

100, 32, 33, 34, 35, 36, 37

97, 92

93, 94, 95, 96

29, 28, 25, 24, 23, 22, 19, 18, 13, 12,

9, 8, 7, 6, 3, 2, 79, 78, 75, 74, 73, 72,

69, 68, 63, 62, 59, 58, 57, 56, 53, 52

RESET＃

W / R ＃

VDD5

VDD

VSS

保留为LBO ＃（突发顺序）

保留为ZZ （睡眠）

主机总线复位信号

主机总线W / R ＃

功能0

功能1

5V电源

3.3V电源

地

输入

特别

PWR

GND

16, 66

4, 11, 15, 20, 27, 41, 54, 61, 65, 70, 77, 91

5, 10, 17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 77

3555 TBL 01

13.1

IDT71F432 32Kx32 MCache同步流水式高速缓存RAM

商业级温度范围

绝对最大额定值

(1)

符号

DD5

TERM

BIAS

英镑

OUT

等级

DD5

电压

对于V

电压

对于V

与端电压

对于V

工作温度

在偏置温度

储存温度

功耗

直流输出电流

Com'l 。

0至5.5

0至3.6

-0.5到V

+0.5

0至+70

-55到+125

1.0

单位

°C

建议的直流工作

条件

符号

DD5

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

分钟。

4.75

(1)

3.135

2.0

–0.3

(4)

典型值。

5.0

3.3

—

马克斯。

5.25

3.6

(1)

+0.3

(2,3)

0.8

单位

注意事项：

3555 TBL 03

1.电源排序。 V

DD5

必须是

≥

在任何时候，包括在

电。

2. V

（最大）必须在任何时候都可以观察到，包括在上电期间。

3. V

（最大值） - V

+ 1.0V为脉冲宽度小于吨

CYC

/ 2 ，每秒一次循环。

4. V

（分钟） = -1.0V脉冲宽度小于T

CYC

/ 2 ，每秒一次循环。

注意：

3555 TBL 02

1.强调超过绝对最大上市

额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力

值仅为器件在这些或任何其他功能操作

以上这些条件在此业务部门所标明

规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能会影响其可靠性。

DC电气特性在工作

温度和电源电压范围

= 3.3V +10/-5%, V

DD5

= 5V

5%)

符号

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出低电压

输出高电压

测试条件

=最大，V

= 0V至V

输出禁用，

OUT

= 0V至V

=最大。

= 5毫安，V

=最小值。

= -5mA ，V

=最小值。

—

2.4

0.4

—

3555 TBL 04

分钟。

—

马克斯。

单位

DC电气特性在工作

温度和电源电压范围

(1, 2)

= 3.3V +10/-5%, V

DD5

= 5V

5%)

71F432S66

71F432L66

3.3V

供应供应供应供应器

0.5

0.1

3555 TBL 05

71F432S75

符号

参数

操作

电源电流

空闲

电源电流

SB1

时钟停止

电源电流

测试条件

设备选择，V

≥

≤

，输出打开，

=最大，V

DD5

=最大值，女= F

最大

(3)

设备选择， ADSP ＃， ADSC ＃，＃ GW ， BW ＃ S，

ADV ＃ ≥ V

所有其它输入

≥

，输出打开，

, V

DD5

=最大值，女= F

最大

(3)

≥

，输出打开，V

=最大，V

DD5

=最大，

f = 0

(3)

动力

注意事项：

1.所有值都最大限度地保证值。

2. V

= V

- 0.2V, V

= 0.2V

3.在f = f最大，地址输入cyclinng在读周期的最高频率; F = 0表示地址输入线正在发生变化。

13.1

IDT71F432 32Kx32 MCache同步流水式高速缓存RAM

商业级温度范围

AC电气特性

= 3.3V + 10 / -5 ％，T

= 0 70℃ ）

IDT71F432S75

符号

CYC

CH(1)

CL(1)

疾病预防控制中心

CLZ(2)

CHZ(2)

OLZ

(2)

IDT71F432S66

IDT71F432L66

分钟。

马克斯。

—

2.5

1.5

—

66.7

—

单位

3555 TBL

参数

时钟频率

时钟周期时间

时钟高电平脉冲宽度

时钟低脉冲宽度

时钟由高到低的有效数据

时钟高电平到数据变化

钟高输出活跃

时钟高电平到数据高阻

输出启用访问时间

输出使能低到数据有效

输出使能高到数据高阻

输入建立时间

输入保持时间

分钟。

—

13.3

—

2.0

1.5

马克斯。

—

时钟参数

输出参数

OHZ(2)

SXX

HXX

建立和保持时间

注意事项：

1.测量高高在上2.0V和低电压低于0.8V 。

2.转换测量

±200mV

从稳态。

时序波形

CYC

CLK

SXX

所有的输入

（除OE ＃）

HXX

CLZ

I / O [ 31 ： 0 ]

产量

疾病预防控制中心

CHZ

OLZ

OE ＃

OHZ

13.1

IDT71F432 32Kx32 MCache同步流水式高速缓存RAM

商业级温度范围

引脚配置

CS0

BW4#

BW3#

BW2#

BW1#

CS1#

VDD

VSS

CLK

GW ＃

BWE ＃

OE ＃

ADSC ＃

ADSP ＃

ADV ＃

CE＃

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

I/O16

I/O17

VDD

VSS

I/O18

I/O19

I/O20

I/O21

VSS

VDD

I/O22

I/O23

VDD

VDD5

VSS

I/O24

I/O25

VDD

VSS

I/O26

I/O27

I/O28

I/O29

VSS

VDD

I/O30

I/O31

PK100-1

14毫米X 20毫米X 1.4毫米体

1.6毫米最大总高度

0.65毫米引脚间距

I/O15

I/O14

VDD

VSS

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

VSS

VDD

I/O9

I/O8

VSS

VDD5

VDD

I/O7

I/O6

VDD

VSS

I/O5

I/O4

I/O3

I/O2

VSS

VDD

I/O1

I/O0

订购信息

IDT 71F432

设备

TYPE

动力

速度

包

速度以MHz为单位

RESET＃

W / R ＃

VSS

VDD

A10

A11

A12

A13

A14

顶视图

TQFP

标准电源（ 66和75兆赫）

低功耗

（ 66兆赫只）

13.1