CMOS静态RAM
64K （ 8K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT7164S
IDT7164L
产品特点：
高速的地址/片选存取时间
- 军事： 20/25 /30 / 45分之35 / 55/ 70 / 85ns （最大）
- 商业： 15/20 /25/ 35 / 70ns的（最大）
低功耗
电池备份操作 - 2V的数据保持电压
（只有L型）
拥有先进的CMOS高性能生产
技术
输入和输出直接TTL兼容
三态输出
提供：
- 28引脚DIP和SOJ
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
描述：
该IDT7164是65,536位高速静态RAM奥尔加
认列之为8K X 8，它是采用IDT的高性能制造，
高可靠性的CMOS技术。
地址访问时间以最快的速度为15ns可用的
电路提供了一个低功率待机模式。当
CS
1
云
高或CS
2
变为低电平时，电路会自动去，
并保持在一个低功率待机模式。低功率（L）的
版本还提供了电池备份数据保持能力
在电源电平低至2V 。
在IDT7164的所有输入和输出为TTL兼容
而且操作采用5V单电源供电，简化了系统的
设计。全静态异步电路时，需要
无时钟或刷新操作。
该IDT7164封装在一个28引脚300密耳DIP和SOJ ;
和28引脚600密耳DIP 。
军工级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
A
12
65,536位
存储阵列
GND
0
7
I / O
0
I / O控制
I / O
7
CS
1
CS
2
OE
WE
控制
逻辑
2967 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年5月
2967/8
6.1
1
IDT7164S/L
CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
CS
2
A
8
A
9
A
11
WE
真值表
(1,2,3)
D28-1
D28-3
P28-1
P28-2
SO28-5
WE CS
1
X
X
X
X
H
H
L
H
X
CS
2
X
L
OE
X
X
X
X
H
L
X
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
功能
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消-Standby （我
SB1
)
取消-Standby （我
SB1
)
输出禁用
写数据
2967 TBL 02
OE
A
10
CS
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
V
HC
V
HC
or
V
LC
X
L
L
L
V
LC
H
H
H
数据
OUT
读数据
DIP / SOJ
顶视图
2967 DRW 02
注意事项：
1. CS
2
将掉电
CS
1
但
CS
1
不会掉电CS
2
.
2. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
3. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
引脚说明
名字
A
0
–A
12
I / O
0
-I / O
7
描述
地址
数据输入/输出
芯片选择
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
2967 TBL 01
CS
1
WE
OE
CS
2
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
VCC
5V
±
10%
5V
±
10%
2967 TBL 04
GND
VCC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
DC输出
当前
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
°C
°C
°C
W
mA
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
马克斯。
5.5
0
0.8
单位
V
V
V
— V
CC
+ 0.5 V
注意事项：
2967 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
注意：
2967 TBL 05
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
6.1
2
IDT7164S/L
CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）
军用和商用温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ，全温度范围）
7164S15
(1)
7164L15
(1)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS1(3)
t
ACS2(3)
读周期时间
地址访问时间
片选- 1访问添
片选- 2访问时间
15
—
—
—
5
—
0
—
—
5
0
—
—
15
15
20
—
7
—
8
7
—
—
15
20
—
—
—
5
—
0
—
—
5
0
—
—
19
20
25
—
8
—
9
8
—
—
20
25
—
—
—
5
—
0
—
—
5
0
—
—
25
25
30
—
12
—
13
10
—
—
25
30
—
—
—
5
—
0
—
—
5
0
—
—
29
30
35
—
15
—
13
12
—
—
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
分钟。
马克斯。
7164S20
7164L20
分钟。
马克斯。
7164S25
7164L25
分钟。
马克斯。
7164S30
(2)
7164L30
分钟。
马克斯。
单位
t
CLZ1,2(4)
片选1 ， 2到输出低-Z
t
OE
t
OLZ(4)
t
OHZ(4)
t
OH
t
PU(4)
t
PD(4)
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
t
CHZ1,2(4)
片选1 ， 2 ，以输出高-Z
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
写周期
t
WC
t
CW1 ， 2
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
WHZ(4)
t
DW
t
DH1
t
DH2
t
OW(4)
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间（
CS
1
,
WE
)
写恢复时间（ CS
2
)
写使能在高阻输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持（
CS
1
,
WE
)
从时间写数据保持（ CS
2
)
输出从主动结束了，写
15
14
14
0
14
0
5
—
8
0
5
4
—
—
—
—
—
—
—
6
—
—
—
—
20
15
15
0
15
0
5
—
10
0
5
4
—
—
—
—
—
—
—
8
—
—
—
—
25
18
18
0
21
0
5
—
13
0
5
4
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
30
22
22
0
23
0
5
—
13
0
5
4
—
—
—
—
—
—
—
12
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2967 TBL 11
注意事项：
1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。也可用： 100ns的军事设备。
3.两个片选必须是活动的设备选择。
4.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。
6.1
5
QQ：2881677436 复制
