【CMOS静态RAM64K （ 8K ×8位）集成设备技术有限公司IDT7164SIDT7164L产品】,IC型号IDT7164L30TDB,IDT7164L30TDB PDF资料,IDT7164L30TDB经销商,ic,电子元器件-51电子网

CMOS静态RAM

64K （ 8K ×8位）

集成设备技术有限公司

IDT7164S

IDT7164L

产品特点：

高速的地址/片选存取时间

- 军事： 20/25 /30 / 45分之35 / 55/ 70 / 85ns （最大）

- 商业： 15/20 /25/ 35 / 70ns的（最大）

低功耗

电池备份操作 - 2V的数据保持电压

（只有L型）

拥有先进的CMOS高性能生产

技术

输入和输出直接TTL兼容

三态输出

提供：

- 28引脚DIP和SOJ

- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类

描述：

该IDT7164是65,536位高速静态RAM奥尔加

认列之为8K X 8，它是采用IDT的高性能制造，

高可靠性的CMOS技术。

地址访问时间以最快的速度为15ns可用的

电路提供了一个低功率待机模式。当

CS

1

云

高或CS

2

变为低电平时，电路会自动去，

并保持在一个低功率待机模式。低功率（L）的

版本还提供了电池备份数据保持能力

在电源电平低至2V 。

在IDT7164的所有输入和输出为TTL兼容

而且操作采用5V单电源供电，简化了系统的

设计。全静态异步电路时，需要

无时钟或刷新操作。

该IDT7164封装在一个28引脚300密耳DIP和SOJ ;

和28引脚600密耳DIP 。

军工级产品的制造符合

MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的

适用于军用温度要求苛刻的应用程序的

最高级别的性能和可靠性。

功能框图

A

0

V

CC

地址

解码器

A

12

65,536位

存储阵列

GND

0

7

I / O

0

I / O控制

I / O

7

CS

1

CS

2

OE

WE

控制

逻辑

2967 DRW 01

IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。

军用和商用温度范围

1996

集成设备技术有限公司

有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。

1996年5月

2967/8

6.1

1

IDT7164S/L

CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）

军用和商用温度范围

销刀豆网络gurations

NC

A

12

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I / O

0

I / O

1

I / O

2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

CS

2

A

8

A

9

A

11

WE

真值表

(1,2,3)

D28-1

D28-3

P28-1

P28-2

SO28-5

WE CS

1

X

H

L

H

X

CS

2

X

L

OE

X

H

L

X

I / O

高-Z

数据

IN

功能

取消选择 - 待机（我

SB

)

取消选择 - 待机（我

SB

)

取消-Standby （我

SB1

)

取消-Standby （我

SB1

)

输出禁用

写数据

2967 TBL 02

OE

A

10

CS

1

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

I / O

3

V

HC

V

HC

or

V

LC

X

L

V

LC

H

数据

OUT

读数据

DIP / SOJ

顶视图

2967 DRW 02

注意事项：

1. CS

2

将掉电

CS

1

但

CS

1

不会掉电CS

2

.

2. H = V

IH

中，L = V

IL

，X =无关。

3. V

LC

= 0.2V, V

HC

= V

CC

- 0.2V

引脚说明

名字

A

0

–A

12

I / O

0

-I / O

7

描述

地址

数据输入/输出

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

地

动力

2967 TBL 01

CS

1

WE

OE

CS

2

推荐工作

温度和电源电压

GRADE

军事

温度

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

GND

0V

VCC

5V

±

10%

5V

±

10%

2967 TBL 04

GND

VCC

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

(2)

等级

端电压

对于

到GND

操作

温度

在偏置

存储

温度

功耗

DC输出

当前

Com'l 。

-0.5到+7.0

米尔。

-0.5到+7.0

单位

V

T

A

T

BIAS

T

英镑

P

T

I

OUT

0至+70

-55到+125

1.0

50

-55到+125

-65到+135

-65到+150

1.0

50

°C

W

mA

建议的直流工作

条件

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

分钟。

4.5

0

2.2

–0.5

(1)

典型值。

5.0

0

—

马克斯。

5.5

0

0.8

单位

V

— V

CC

+ 0.5 V

注意事项：

2967 TBL 03

1.强调超过绝对最大上市

额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力

值仅为器件在这些或任何其他功能操作

以上这些条件在此业务部门所标明

规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能会影响其可靠性。

2. V

TERM

不得超过VCC + 0.5V。

注意：

2967 TBL 05

1. V

IL

（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。

6.1

2

IDT7164S/L

CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）

军用和商用温度范围

电容

(T

A

= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）

符号

C

IN

C

I / O

参数

(1)

输入电容

I / O容量

条件

V

IN

= 0V

V

OUT

= 0V

马克斯。

8

单位

pF

注意：

2967 TBL 06

1，这个参数是由器件特性决定的，而不是

生产测试。

DC电气特性

(1)

(V

CC

= 5.0V

±

10%, V

LC

= 0.2V, V

HC

= V

CC

- 0.2V)

7164S15

7164L15

符号

I

CC1

参数

工作电源

目前，

CS

1

= V

IL

， CS

2

= V

IH

,

输出打开，V

CC

=最大值， F = 0

(3)

动态工作电流

CS

1

= V

IL

， CS

2

= V

IH

,

输出打开，V

CC

=最大值，女= F

最大

(3)

待机电源电流

（ TTL电平）

CS

1

≥

V

IH

或CS

2

≤

V

IL

V

CC

=最大值，输出打开，女= F

最大

(3)

全部备用电源电流

（ CMOS电平）， F = 0

(3)

, V

CC

=最大。

1.

CS

1

≥

V

HC

和CS

2

≥

V

HC

或

2. CS

2

≤

V

LC

电源Com'l 。米尔。

S

L

S

L

S

L

S

L

110

100

180

150

20

3

15

0.2

—

7164S20

7164L20

Com'l 。

100

90

170

150

20

3

15

0.2

米尔。

110

100

180

160

20

5

20

1

7164S25

7164L25

Com'l 。

90

80

170

150

20

3

15

0.2

米尔。

110

100

180

160

20

5

20

1

7164S30

7164L30

Com'l 。

—

米尔。

100

90

170

150

20

5

20

1

mA

单位

mA

I

CC2

I

SB

I

SB1

DC电气特性

(1)

（续）

(V

CC

= 5.0V

±

10%, V

LC

= 0.2V, V

HC

= V

CC

- 0.2V)

7164S35

7164L35

符号

I

CC1

参数

工作电源

目前，

CS

1

= V

IL

， CS

2

= V

IH

,

输出打开，V

CC

=最大值， F = 0

(3)

动态工作电流

CS

1

= V

IL

， CS

2

= V

IH

,

输出打开，V

CC

=最大值，女= F

MAX(3)

待机电源电流

（ TTL电平）

CS

1

≥

V

IH

，或CS

2

≤

V

IL

V

CC

=最大值，输出打开，女= F

MAX(3)

全部备用电源电流

（ CMOS电平）， F = 0

(3)

, V

CC

=最大。

1.

CS

1

≥

V

HC

和CS

2

≥

V

HC

或

2. CS

2

≤

V

LC

电源Com'l 。米尔。

S

L

S

L

S

L

S

L

90

80

150

130

20

3

15

0.2

100

90

160

140

20

5

20

1

7164S45

7164L45

Com'l 。

—

米尔。

100

90

160

130

20

5

20

1

7164S55

7164L55

Com'l 。

—

米尔。

100

90

160

125

20

5

20

1

7164S70

(2)

/85

(4)

7164L70

(2)

/85

(4)

Com'l 。

90

80

150

130

20

3

15

0.2

米尔。

100

90

160

120

20

5

20

1

2967 TBL 07

单位

mA

I

CC2

mA

I

SB

mA

I

SB1

mA

注意事项：

1.所有值都最大限度地保证值。

2. 70 ns的军用和商用设备可用。

3. f

最大

= 1/t

RC

（所有的地址输入骑自行车在f

最大

） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。

4.还可以： 100ns的军事设备。

6.1

3

IDT7164S/L

CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）

军用和商用温度范围

DC电气特性

(V

CC

= 5.0V

±

10%)

IDT7164S

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

V

OL

参数

输入漏电流

输出漏电流

输出低电压

测试条件

V

CC

=最大，

V

IN

= GND到V

CC

V

CC

=最大，

CS

1

= V

IH ，

V

OUT

= GND到V

CC

I

OL

= 8毫安，V

CC

=最小值。

I

OL

= 10毫安，V

CC

=最小值。

V

OH

输出高电压

I

OH

= -4mA ，V

CC

=最小值。

—

2.4

米尔。

Com'l 。

米尔。

Com'l 。

分钟。

—

马克斯。

10

5

10

5

0.4

0.5

—

IDT7164L

分钟。

—

2.4

马克斯。

5

2

5

2

0.4

0.5

—

V

2967 TBL 08

单位

A

V

数据保持特性在所有温度范围

（只有L型）（V

LC

= 0.2V, V

HC

= V

CC

- 0.2V)

典型值。

(1)

V

CC

@

符号

V

DR

I

CCDR

t

CDR(3)

t

R(3)

|I

LI

|

(3)

马克斯。

V

CC

@

2.0V

—

200

60

—

2

3.0V

—

300

90

—

2

单位

V

A

ns

A

2967 TBL 09

参数

V

CC

数据保留

数据保持电流

芯片取消到数据

保留时间

手术恢复时间

输入漏电流

测试条件

—

米尔。

Com'l 。

1.

CS

1

≥

V

HC

CS

2

≥

V

HC

或

2. CS

2

≤

V

LC

分钟。

2.0

—

0

t

RC(2)

—

2.0v

—

10

—

3.0V

—

15

—

注意事项：

1. T

A

= +25°C.

2. t

RC

=读周期时间。

3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升/下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

AC测试负载

GND到3.0V

5ns

1.5V

参见图1和2

2967 TBL 10

5V

480

数据

OUT

255

30pF*

5V

480

数据

OUT

255

5pF*

2967 DRW 03

2967 DRW 04

图1. AC测试负载

图2.交流测试负载

（对于T

CLZ1,

t

CLZ2

, t

OLZ

, t

CHZ1,

t

CHZ2

, t

OHZ

, t

OW

和叔

WHZ

)

*包括范围和夹具电容

6.1

4

IDT7164S/L

CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）

军用和商用温度范围

AC电气特性

(V

CC

= 5.0V

±

10 ％，全温度范围）

7164S15

(1)

7164L15

(1)

符号

读周期

t

RC

t

AA

t

ACS1(3)

t

ACS2(3)

读周期时间

地址访问时间

片选- 1访问添

片选- 2访问时间

15

—

5

—

0

—

5

0

—

15

20

—

7

—

8

7

—

15

20

—

5

—

0

—

5

0

—

19

20

25

—

8

—

9

8

—

20

25

—

5

—

0

—

5

0

—

25

30

—

12

—

13

10

—

25

30

—

5

—

0

—

5

0

—

29

30

35

—

15

—

13

12

—

30

ns

参数

分钟。

马克斯。

7164S20

7164L20

分钟。

马克斯。

7164S25

7164L25

分钟。

马克斯。

7164S30

(2)

7164L30

分钟。

马克斯。

单位

t

CLZ1,2(4)

片选1 ， 2到输出低-Z

t

OE

t

OLZ(4)

t

OHZ(4)

t

OH

t

PU(4)

t

PD(4)

输出使能到输出有效

输出使能，以在低Z输出

t

CHZ1,2(4)

片选1 ， 2 ，以输出高-Z

输出禁用输出高阻

从地址变更输出保持

芯片的选择上电时间

芯片取消到断电时间

写周期

t

WC

t

CW1 ， 2

t

AW

t

AS

t

WP

t

WR1

t

WR2

t

WHZ(4)

t

DW

t

DH1

t

DH2

t

OW(4)

写周期时间

芯片选择到结束时的写

地址有效到结束时的写

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间（

CS

1

,

WE

)

写恢复时间（ CS

2

)

写使能在高阻输出

数据写入时间重叠

从时间写数据保持（

CS

1

,

WE

)

从时间写数据保持（ CS

2

)

输出从主动结束了，写

15

14

0

14

0

5

—

8

0

5

4

—

6

—

20

15

0

15

0

5

—

10

0

5

4

—

8

—

25

18

0

21

0

5

—

13

0

5

4

—

10

—

30

22

0

23

0

5

—

13

0

5

4

—

12

—

ns

2967 TBL 11

注意事项：

1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。

2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。也可用： 100ns的军事设备。

3.两个片选必须是活动的设备选择。

4.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。

6.1

5