CMOS静态RAM
64K （ 8K ×8位）
特点
高速地址/片选存取时间
- 军事： 20/25 /35 / 55分之45 / 70/ 85/ 100纳秒（最大）
- 工业： 25 / 35ns的（最大）
- 商业： 15/20 /25 /为35ns （最大值）
低功耗
电池备份操作 - 2V的数据保持电压
（只有L型）
以生产先进的CMOS高性能
技术
输入和输出直接TTL兼容
三态输出
可提供28引脚DIP ， CERDIP和SOJ
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
IDT7164S
IDT7164L
x
描述
该IDT7164是组织为8K 65536位高速静态RAM
X 8.采用IDT的高性能制造的，高可靠性的CMOS
技术。
地址访问时间以最快的速度为15ns可与电路
提供了降低功耗的待机模式。当
CS
1
变为高电平或CS
2
变为低电平时，电路会自动去，并保持在一个低
功率待机模式。低功率（L ）版本还提供了一个电池
在电源电平低至2V的备份数据保持能力。
在IDT7164的所有输入和输出为TTL兼容的，并
操作是从一个单一5V电源，简化了系统设计。十分
静态异步电路使用，无需时钟或刷新
用于操作。
该IDT7164封装在一个28引脚300密耳DIP和SOJ和28-
针600万CERDIP 。
军工级产品的制造符合最新的
MIL -STD - 883 ， B级，改版使得它非常适合军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平
和可靠性。
x
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
65,536位
存储阵列
GND
A
12
0
7
I / O
0
I / O控制
I / O
7
CS
1
CS
2
OE
WE
控制
逻辑
2967 DRW 01
2001年12月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-2967/11
IDT7164S/L
CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）
军事，商业和工业温度范围
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
绝对最大额定值
(1)
V
CC
WE
CS
2
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
,
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
D28-1
D28-3
P28-1
P28-2
SO28-5
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
o
C
C
C
o
o
W
mA
2967 TBL 02
DIP / SOJ
顶视图
2967 DRW 02
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 0.5V.
引脚说明
名字
A
0
- A
12
I / O
0
- I / O
7
CS
1
CS
2
WE
OE
GND
V
CC
描述
地址
数据输入/输出
芯片选择
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地
动力
2967 TBL 01
真值表
(1,2,3)
WE
X
X
X
X
H
H
L
CS
1
H
X
V
HC
X
L
L
L
CS
2
X
L
V
HC
or
V
LC
V
LC
H
H
H
OE
X
X
X
X
H
L
X
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据
OUT
数据
IN
功能
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
输出禁用
读数据
写数据
2967 TBL 03
注意事项：
1. CS
2
将掉电
CS
1
但
CS
1
不会掉电CS
2
.
2. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
3. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
0.8
单位
V
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
0
O
C至+70
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
2967 TBL 04
V
产业
V
2967 TBL 05
____
广告
注意：
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
2
IDT7164S/L
CMOS静态RAM 64K （ 8K ×8位）
军事，商业和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，全温度范围）
7164S15
(1)
7164L15
(1)
符号
参数
分钟。
马克斯。
7164S20
(2)
7164L20
(2)
分钟。
马克斯。
7164S25
7164L25
分钟。
马克斯。
7164S35
7164L35
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS1
(3)
t
ACS2
(3)
t
CLZ1,2
(4)
t
OE
t
OLZ
(4)
t
CHZ1,2
(4)
t
OHZ
(4)
t
OH
t
PU
(4)
t
PD
(4)
读周期时间
地址访问时间
片选- 1访问时间
片选- 2访问时间
片选1 ， 2到输出低-Z
输出使能到输出有效
输出ENAB乐到输出中低Z
片选-1,2-到输出的高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
15
____
____
20
____
____
25
____
____
35
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
15
20
____
19
20
25
____
25
25
30
____
35
35
40
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
____
5
____
5
____
5
____
7
____
8
____
12
____
18
____
0
____
0
____
0
____
0
____
8
7
____
9
8
____
13
10
____
15
15
____
____
____
____
____
5
0
____
5
0
____
5
0
____
5
0
____
____
____
____
____
15
20
25
35
写周期
t
WC
t
CW1,2
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
WHZ
(4)
t
DW
t
DH1
t
DH2
t
OW
(4)
写周期时间
芯片选择到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间（ CS
1
,
WE）
写恢复时间（ CS
2
)
写ENAB文件来输出高-Z
数据写入时间重叠
从时间写数据保持（ CS
1
,
WE）
从时间写数据保持（ CS
2
)
输出从主动结束了，写
15
14
14
0
14
0
5
____
____
____
20
15
15
0
15
0
5
____
____
____
25
18
18
0
21
0
5
____
____
____
35
25
25
0
25
0
5
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2967 TBL 12
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
6
____
____
8
____
____
10
____
____
14
____
____
8
0
5
4
10
0
5
4
13
0
5
4
15
0
5
4
____
____
____
____
____
____
____
____
注意事项：
1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。
2 0 °到+ 70 ° C和-55°C至+ 125 ° C的温度范围内只。
3.两个片选必须是活动的设备选择。
4.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
