高速
2K ×8双端口
静态RAM
◆
IDT7132SA/LA
IDT7142SA/LA
特点
◆
◆
高速存取
- 商业： 20/25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
- 工业：为25ns （最大）
- 军事：25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
低功耗工作
- IDT7132 / 42SA
主动： 325MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7132 / 42LA
主动： 325MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
主IDT7132容易扩展数据总线宽度为16或更多的
使用SLAVE IDT7142位
片口仲裁（只IDT7132 ）逻辑
忙
对IDT7132输出标志;
忙
输入的IDT7142
电池备份操作-2V数据保留（ LA只）
TTL兼容，单5V ± 10 ％电源
可提供48引脚DIP ， LCC和扁平封装和52引脚PLCC
套餐
军工产品符合MIL -PRF- 38535 QML
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）可用于
选定速度
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
OL-
I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
或 -
I / O
7R
m
忙
L
(1,2)
A
10L
A
0L
地址
解码器
11
忙
R
(1,2)
内存
ARRAY
11
地址
解码器
A
10R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
2692 DRW 01
注意事项：
1. IDT7132 （ MASTER ） ：
忙
是漏极开路输出，需要270Ω的上拉电阻。
IDT7142 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.开漏输出：需要270Ω的上拉电阻。
2004年6月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-2692/16
IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
描述
该IDT7132 / IDT7142是高速2K ×8双端口静态RAM 。
的IDT7132被设计为用作一个独立的8位双端口RAM的
或作为“主”双口RAM与IDT7142 “ SLAVE ”起来
双端口16位或更多的字宽的系统。采用IDT MASTER /
在16个或更多的位内存体系SLAVE双口RAM的方法
应用结果在全速无错操作，而不需要
额外的分立逻辑。
这两款器件提供单独的控制两个独立的端口，
地址和l / O引脚，允许独立的异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能，通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为325MW运行。低功耗（ LA ）
版本提供电池备份的数据保持能力，每个双核
端口通常由2V电池消耗200μW 。
该IDT7132 / 7142设备均采用48引脚sidebraze或
塑料DIP封装，48引脚的LCC ， 52引脚PLCCs ，以及48引脚扁平封装。
军工级产品的制造符合最新的
修订MIL -PRF- 38535 QML的，因此非常适合于军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平
和可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
CE
L
读/写
L
忙
L
A
10L
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
IDT7132 / 42
7
8 7142 41
9 P或C 40
10
39
11 P48-1
(4)
38
12
37
＆放大器;
13 C48-2
(4)
36
14
35
15 48 34引脚
16 DIP 33
17前32名
18查看
(5)
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
A
10R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
2692 DRW 02
读/写
R
忙
R
A
10R
忙
L
读/写
L
CE
L
A
0L
OE
L
A
10L
指数
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
48 47 46 45 44 43
7
42
8
41
9
40
10
39
IDT7132 / 42L48或F
L48-1
(4)
11
38
＆放大器;
12
37
F48-1
(4)
13
36
48引脚LCC / FLATPACK
14
35
顶视图
(5)
15
34
16
33
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
1
6 5 4 3 2
V
CC
CE
R
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
,
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. P48-1包体约为0.55英寸x 2.43英寸x 0.18英寸
C48-2包体约为0.62英寸x 2.43英寸x 0.15英寸
L48-1包体约为0.57英寸x 0.57英寸x 0.68英寸
F48-1包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.11英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
2692 DRW 03
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
马克斯。
11
11
单位
pF
pF
2692 TBL 00
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
切换为3V至0V 。
2
IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
指数
7 6 5 4 3 2
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
2692 DRW 04
IDT7132/42J
J52-1
(4)
52引脚PLCC
顶视图
(5)
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
军事
-0.5到+7.0
单位
V
军事
GRADE
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为0.75英寸x 0.75英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
推荐工作
温度和电源电压
(1,2)
环境
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2692 TBL 02
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
广告
产业
o
mA
2692 TBL 01
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
该规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; Vcc的+ 10％ 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
读/写
R
忙
R
N / C
A
10R
A
0L
OE
L
A
10L
N / C
忙
L
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
读/写
L
CE
L
V
CC
CE
R
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2692 TBL 03
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
3
6.42
IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,5,8)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7132X20
(2)
7142X20
(2)
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
=
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(6)
活动端口输出禁用
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
< 0.2V andCE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
-0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f = f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
110
110
____
____
7132X25
(7)
7142X25
(7)
Com'l ，工业
＆放大器;军事
典型值。
110
110
110
110
30
30
30
30
65
65
65
65
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
马克斯。
220
170
280
220
65
45
80
60
150
115
160
125
15
5
30
10
145
105
155
115
7132X35
7142X35
Com'l &
军事
典型值。
80
80
80
80
25
25
25
25
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
45
45
45
45
马克斯。
165
120
230
170
65
45
80
60
125
90
150
115
15
4
30
10
110
85
145
105
2692 TBL 04A
马克斯。
250
200
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
,
f = f
最大
(3)
30
30
____
____
65
45
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
65
65
____
____
165
125
____
____
mA
I
SB3
全待机电流（两个
端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
60
60
____
____
155
115
____
____
mA
7132X55
7142X55
Com'l &
军事
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
CE
L
=
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
测试条件
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(6)
活动端口输出禁用
f=f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
-0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f = f
最大
(3)
Com'l
MIL &
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
65
65
65
65
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
马克斯。
155
110
190
140
65
35
65
45
110
75
125
90
15
4
30
10
100
70
110
85
7132X100
7142X100
Com'l &
军事
典型值。
65
65
65
65
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
马克斯。
155
110
190
140
55
35
65
45
110
75
125
90
15
4
30
10
95
70
110
80
2692 TBL 04B
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
,
f = f
最大
(3)
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
仅2 PLCC封装
3.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用?? AC测试条件？输入电平的
GND到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
5. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，而不是生产测试。 VCC
DC
= 100毫安（典型值）
6.港口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
7.不适用于DIP封装。
8.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
4
IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7132SA
7142SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
开漏输出
低电压（忙）
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V,
V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 16毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
7132LA
7142LA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
0.5
___
马克斯。
5
5
0.4
0.5
___
单位
A
___
___
A
V
V
V
2692 TBL 05
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V泄漏是不确定的。
数据保持特性
（仅LA版）
符号
V
DR
I
CCDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 2.0V
CE
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或
t
CDR
(3)
t
R
(3)
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
IN
＆ LT ; 0.2V
米尔。 &工业。
Com'l 。
测试条件
分钟。
2.0
___
___
典型值。
(1)
___
马克斯。
___
单位
V
A
A
ns
ns
2692 TBL 06
100
100
___
___
4000
1500
___
___
0
t
RC
(2)
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
≥
2.0V
V
CC
4.5V
t
CDR
4.5V
t
R
CE
V
IH
V
DR
V
IH
2692 DRW 05
,
5
6.42
快速
2K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7132SA/LA
IDT7142SA/LA
产品特点：
高速访问
- 军事：25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
- 商业：25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
- 商业： 20ns的只有PLCC为7132
低功耗运行
- IDT7132 / 42SA
主动： 550MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7132 / 42LA
主动： 550MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
MASTER IDT7132轻松扩展数据总线宽度为16 - 或 -
使用SLAVE IDT7142更多的位
片上端口仲裁逻辑（仅IDT7132 ）
忙
对IDT7132输出标志;
忙
输入的IDT7142
电池备份操作-2V数据保留
TTL兼容， 5V单
±10%
电源
提供受欢迎的密封塑料包
军用产品符合MIL -STD ， B类
标准军事绘图＃ 5962-87002
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试粟粒电气规范
描述：
该IDT7132 / IDT7142是高速2K ×8双端口
静态RAM 。的IDT7132被设计为可使用，或是作为单机
单独的8位双端口RAM或为“ MASTER ”双口RAM
加上IDT7142 “从”双端口16位 - 或 -
更多的字宽的系统。采用IDT主/从
在16个或更多的位内存体系双口RAM的方法
应用结果全速，无差错操作，而
需要额外的分立逻辑。
这两款器件提供独立的两个独立端口
控制，地址和升/ O引脚，其允许独立的，异步
异步的存取为读或写操作的任何位置在存储器中。
自动断电功能，通过控制
CE
许可证
芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率仅为550MW操作。
低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据保留
能力，每个双端口通常消耗200μW
从2V电池。
该IDT7132 / 7142设备均采用48引脚
sidebraze或塑料DIP封装，48引脚的LCC ， 52引脚PLCCs ，并
48引脚扁平封装。军工级产品的制造
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，
使得它非常适合军事应用的温度
苛刻的性能和可靠性的最高水平。
功能框图
OE
L
R/
OE
R
R/
CE
L
W
L
CE
R
W
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
11
(1,2)
A
10L
A
0L
内存
ARRAY
地址
解码器
A
10R
A
0R
注意事项：
1. IDT7132 （ MASTER ） ：
忙
开放
漏输出，需要上拉
电阻270Ω的。
IDT7142 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.开漏输出：需要上拉
电阻270Ω的。
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
11
CE
L
仲裁
逻辑
CE
R
2692 DRW 01
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2692/8
6.02
1
IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
忙
R
忙
L
销刀豆网络gurations
(1,2)
W
R
R/
W
L
忙
L
R/
CE
L
A
10L
A
10R
W
L
A
10L
忙
R
忙
L
W
L
W
R
2692 DRW 02
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
7 6
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
5 4
3 2
R/
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
R/
指数
N / C
N / C
A
10R
A
10L
V
CC
CE
R
OE
L
CE
L
A
0L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
OE
L
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
41
IDT7132 / 40
9
10 7142 39
11
38
12 P48-1 37
＆放大器;
13 C48-2 36
14
35
15 DIP 34
16 TOP 33
17查看
(3)
32
18
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
V
CC
R/
CE
R
忙
R
A
10R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
W
R
6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
7
8
9
10
11
12
13
14
15
4 3
R/
指数
2
1
48 47 46 45 44 43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
OE
R
IDT7132/42
L48-1
＆放大器;
F48-1
48引脚LCC / FLATPACK
顶视图
(3)
16
33
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
V
CC
CE
L
CE
R
OE
R
2692 DRW 03
OE
L
A
0L
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
2692 DRW 04
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
关于
GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
IDT7132/42
J52-1
52引脚PLCC
顶视图
(3)
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
2692 TBL 01
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的规格是不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为VTERM >的Vcc的周期+
0.5V.
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
推荐
直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
MIN 。 TYP 。
4.5
5.0
0
0
2.2
-0.5
(1)
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2692 TBL 02
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2692 TBL 03
—
—
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
6.02
2
IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1,6)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7132X20
(2)
7132X25
(3)
7132X35 7132X55 7132X100
7142X25
(3)
7142X35 7142X55 7142X100
典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。单位
—
— 110 280
—
— 110 220
110 250 110 220
110 200 110 170
—
—
30
30
—
—
65
65
—
—
1.0
0.2
—
—
60
60
—
—
65
45
—
—
165
125
—
—
15
5
—
—
155
115
30
30
30
30
65
65
65
65
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
80
60
65
45
160
125
150
115
30
10
15
5
155
115
145
105
80
80
80
80
25
25
25
25
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
45
45
45
45
230
170
165
120
80
60
65
45
150
115
125
90
30
10
15
4
145
105
110
85
65
65
65
65
20
20
20
20
190
140
155
110
65
45
65
35
65
65
65
65
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
190
140
155
110
65
45
55
35
125
90
110
75
30
10
15
4
110
80
95
70
mA
符号
I
CC
参数
工作动态
电流（两个端口均
活动）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
测试条件
VERSION
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
米尔。
米尔。
米尔。
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出打开，
f = f
最大
(4)
I
SB1
CE
L
和
CE
R
= V
IH
,
f = f
最大
(4)
mA
I
SB2
SA
LA
有源端口输出COM'L 。 SA
开放式中，f = F
最大
(4)
LA
CE
＆ QUOT ;
A
＆ QUOT ;
=
V
IL
和
CE
＆ QUOT ;
B
＆ QUOT ;
=
V
IH
(7)
40 125
40 90
40 110
40 75
1.0
0.2
1.0
0.2
30
10
15
4
mA
I
SB3
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
-0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或
V
IN
< 0.2V ， F = 0
(5)
米尔。
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
米尔。
mA
I
SB4
CE
＆ QUOT ;
A
＆ QUOT ;
＆ LT ;
0.2V和
CE
＆ QUOT ;
B
＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
-0.2V
(7)
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(4)
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
40 110
40 85
40 100
40 70
mA
注意事项：
2689 TBL 04
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
2. Com'l只， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。 PLCC封装而已。
3.不适用于DIP封装。
4.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
5， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
6. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值。而不是生产测试。 VCC
DC
= 100毫安（典型值）。
7.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7132SA
7142SA
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
2.4
10
10
0.4
0.5
—
7132LA
7142LA
马克斯。
马克斯。
—
—
—
—
2.4
5
5
0.4
0.5
—
符号
|l
Ll
|
|l
LO
|
V
OL
V
OL
V
OH
参数
输入漏
当前
(1)
输出漏
当前
(1)
输出低电压
(l/O0-l/O
7
)
开漏输出
低电压（
忙
,
INT
)
输出高电压
电源电流
测试条件
V
CC
= 5.5V,
V
IN
= 0V至V
CCIN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
C
l
OL
= 4毫安
l
OL
= 16毫安
l
OL
= 16毫安
l
OH
= -4mA
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或< 0.2V
单位
A
A
V
V
V
2689 TBL 05
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V泄漏是不确定的。
6.02
3
IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
数据保持特性
（仅LA版）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
测试条件
V
CC
= 2.0V,
CE
≥
V
CC
-0.2V
米尔。
lDT7132LA/IDT7142LA
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
—
—
0
t
RC
(2)
—
100
100
—
—
—
4000
1500
—
—
单位
V
A
A
ns
ns
2692 TBL 06
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V Com'l 。
t
CDR
t
R
(3)
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1 ，图2和3
2692 TBL 07
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2.0V
4.5V
t
R
CE
V
DR
V
IH
V
IH
2692 DRW 05
5V
1250
数据
OUT
5V
1250
数据
30pF*
100pF的55和100纳秒版本
OUT
775
775
5pF*
2692 DRW 06
图1. AC输出负载测试
5V
270
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
LZ
, t
WZ
和叔
OW
)
*包括范围和夹具
忙
or
INT
30pF*
100pF的55和100纳秒版本
网络连接gure 3 。
忙
和
INT
AC输出负载测试
6.02
4
IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(3)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,4)
输出高阻时间
(1,4)
芯片使能上电时间
(4)
芯片禁用断电时间
(4)
20
—
—
3
0
—
0
—
—
20
20
11
—
—
10
—
20
25
—
—
—
3
0
—
0
—
—
25
25
12
—
—
10
—
25
35
—
—
—
3
0
—
0
—
—
35
35
20
—
—
15
—
35
55
—
—
—
3
5
—
0
—
—
55
55
25
—
—
25
—
50
100
—
—
—
10
5
—
0
—
—
100
100
40
—
—
40
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
7132X20
(2)
7132X25
(5)
7132X35
7132X55
7132X100
(5)
7142X35
7142X55
7142X100
7142X25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压输出负载测试（图2 ） 。
2. Com'l只， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。 PLCC封装而已。
在零件号3 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
4.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。
5.不适用于DIP封装。
2689 TBL 08
读周期第1 ，任何一方的时序波形
(1)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
t
OH
忙
OUT
t
BDDH
(2,3)
2692 DRW 07
注意事项：
1. R/
W
= V
IH ，
CE
= V
白细胞介素，
并
OE
= V
IL 。
地址是有效的前向与巧合
CE
变为低电平。
2. t
BDD
延迟仅需要在相反的端口完成的写操作相同的地址位置的情况。对于同时读
操作，
忙
具有有效的输出数据没有任何关系。
3.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
,
t
AA
和
t
BDD
.
6.02
5
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