高速
4K ×8双端口
静态RAM
与SEMAPHORE
特点
◆
IDT71342SA/LA
◆
高速存取
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
- 工业：25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT71342SA
主动：为700mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT71342LA
主动：为700mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
从任何一个端口完全异步操作
全片上硬件支持信号量的信号BE-
补口
电池备份操作-2V数据保留（ LA只）
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
可在塑料封装
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
CE
L
读/写
R
CE
R
OE
L
I / O
控制
I / O
控制
OE
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
0R
- I / O
7R
内存
ARRAY
SEMAPHORE
逻辑
SEM
L
地址
解码器
地址
解码器
SEM
R
A
0L
- A
11L
A
0R
- A
11R
2721 DRW 01
2001年1月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC十二分之二千六百二十一
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
描述
该IDT71342是一个高速4K ×8双端口静态RAM与全
片上硬件支持信号量的2之间的信令
端口。
该IDT71342提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，其允许独立的，异步
存取以进行读或写操作的任何位置在存储器中。协助
端口之间进行仲裁，完全独立的信号逻辑块
提供。该模块包含未分配的标志可以是
任何一方访问;然而，仅在一侧可以控制标志，在任何
时间。自动断电功能，通过控制
CE
和
扫描电镜，
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的待机功耗
模式（包括
CE
和
SEM
HIGH ） 。
采用IDT的CMOS高性能技术制造的这一点，
设备通常运行在只有700mW的功率。低功耗（ LA ）
版本提供电池备份的数据保持能力，与每个端口
通常从2V的电池消耗200μW 。该器件封装
在任何一个64引脚TQFP和52引脚PLCC封装。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
读/写
R
SEM
R
A
11R
SEM
L
读/写
L
CE
L
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
4 3
2
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
IDT71342J
J52-1
(4)
52引脚PLCC
顶视图
(5)
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
3R
I / O
6R
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
CE
R
A
10R
OE
L
A
10L
A
11L
A
0L
2721 DRW 02
指数
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
N / C
N / C
A
10L
A
11L
SEM
L
读/写
L
CE
L
V
CC
N / C
CE
R
读/写
R
SEM
R
A
11R
A
10R
N / C
N / C
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J52包体约为0.79英寸x 0.79英寸x 0.17英寸
PN64包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
71342PF
PN64-1
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
2721 DRW 03
6.42
2
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
动力
耗散
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
最大工作
温度和电源电压
(1,2)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2721 TBL 03
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
-55到+125
-65到+150
1.5
50
o
C
C
产业
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
W
mA
2721 TBL 01
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间的25％以上或10纳秒
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> Vcc的+ 10％ 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2721 TBL 04
____
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2721 TBL 02
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
切换为0V至3V和3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压
(V
CC
= 5V ± 10%)
71342SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA
分钟。
___
71342LA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
0.5
___
马克斯。
5
5
0.4
0.5
___
单位
A
A
V
V
V
2721 TBL 05
___
___
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
3
6.42
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
71342X20
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
,
输出禁用
SEM
=不关心
f = f
最大
(3)
CE
L
和
CE
R
= V
IH
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
(2)
170
170
____
____
71342X25
Com'l &工业
典型值。
(2)
160
160
160
160
25
25
25
25
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
95
95
95
95
马克斯。
280
240
310
260
80
50
100
80
180
150
210
170
15
4.0
30
10
170
120
210
190
71342X35
Com'l &工业
典型值。
(2)
150
150
150
150
25
25
25
25
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
马克斯。
260
200
300
250
75
45
75
55
170
140
200
160
15
4.0
30
10
150
110
190
130
2721 TBL 06A
马克斯。
280
240
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
25
25
____
____
80
80
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
105
105
____
____
180
150
____
____
mA
I
SB3
全待机电流（两个
端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
f = 0
(3)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
1.0
0.2
____
____
15
4.5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
105
105
____
____
170
130
____
____
mA
71342X45
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
,
输出禁用
SEM
=不关心
f = f
最大
(3)
CE
L
和
CE
R
= V
IH
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
(2)
140
140
____
____
71342X55
Com'l &工业
典型值。
(2)
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
2.0
75
75
75
75
马克斯。
240
200
270
220
70
40
70
50
160
130
180
150
15
4.0
30
10
150
100
170
120
71342X70
Com'l只有
典型值。
(2)
140
140
____
____
马克斯。
240
200
____
____
马克斯。
240
200
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
25
25
____
____
70
40
____
____
25
25
____
____
70
40
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
75
75
____
____
160
130
____
____
75
75
____
____
160
130
____
____
mA
I
SB3
全待机电流（两个
端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2
V
f = 0
(3)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
1.0
0.2
____
____
15
4.0
____
____
1.0
0.2
____
____
15
4.0
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
75
75
____
____
150
100
____
____
75
75
____
____
150
100
____
____
mA
2721 TBL 06B
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C的典型，而参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3.
6.42
4
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
数据保持特性
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
测试条件
___
分钟。
2.0
典型值。
(1)
马克斯。
___
单位
V
A
ns
ns
2721 TBL 07
V
CC
= 2V,
CE
＆ GT ; V
HC
SEM
＆ GT ; V
HC
V
IN
＆ GT ; V
HC
或< V
LC
COM'L 。 & IND 。
___
100
___
1500
___
0
t
RC
(2)
___
___
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
数据Rention波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
V
IH
V
DR
V
DR
＆ GT ;
2V
4.5V
t
R
V
IH
2721 DRW 04
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2721 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF
2721 DRW 05
,
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
,
2721 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
5
6.42
快速
4K ×8双端口
静态RAM与SEMAPHORE
集成设备技术有限公司
IDT71342SA/LA
产品特点：
高速访问
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
低功耗运行
- IDT71342SA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT71342LA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
从任何一个端口完全异步操作
完整的片上硬件支持信号量的信号
端口之间
电池备份操作-2V的数据保留
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
提供塑料封装
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
该IDT71342是一个非常高速的4K ×8双端口
全片上硬件支持信号量的静态RAM
在两个端口之间的信令。
该IDT71342提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。为了帮助港口之间进行仲裁，全
独立的信号的逻辑块被设置。此块
包含可以通过访问未分配的标志
侧;然而，仅在一侧可以在任何时间控制标志。
自动断电功能，通过控制
CE
和
SEM
,
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
待机功耗模式（包括
CE
和
SEM
HIGH ） 。
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这种设备通常运行在仅500mW的
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个端口的典型功耗为200μW
从2V电池。该器件封装在任一个64针
TQFP ，薄型四方扁平封装塑料，或52引脚PLCC 。
功能框图
R/
W
L
CE
L
CE
R
R/
W
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
内存
ARRAY
SEMAPHORE
逻辑
SEM
L
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
右侧
地址
解码
逻辑
SEM
R
A
0R
- A
11R
2721 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2721/4
6.05
1
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
SEM
L
SEM
R
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
W
R
W
L
A
11R
A
10R
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
4 3
2
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
V
TERM
(2)
端电压
对于
对地
A
10L
A
11L
A
0L
CE
R
OE
L
CE
L
V
CC
R/
R/
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.5
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.5
50
°C
°C
°C
W
mA
IDT71342
J52-1
PLCC
(3)
顶视图
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
2721 DRW 02
注意事项：
2721 TBL 01
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
最大10纳秒，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; VCC
+0.5V.
I / O
4L
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
SEM
R
SEM
L
W
R
R/
L
A
11R
A
10R
N / C
N / C
N / C
N / C
A
10L
A
11L
V
CC
N / C
R/
CE
R
CE
L
W
I / O
6R
I / O
6L
I / O
7L
指数
电容
(1)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
71342
PN64-1
64引脚TQFP
(3)
顶视图
注意事项：
2721 TBL 02
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V和3V至0V 。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
V
CC
5.0V
±
10%
2721 TBL 03
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
2721 DRW 03
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
建议的直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2721 TBL 04
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
6.05
2
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压
(V
CC
= 5V
±
10%)
IDT71342SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
0.5
—
IDT71342LA
分钟。
—
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
0.5
—
单位
A
A
V
V
V
2721 TBL 05
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
71342X20
符号
ICC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
ICC1
工作动态
当前
（信号灯
双侧）
待机电流
（这两个端口， TTL
电平输入）
待机电流
（一个端口， TTL
电平输入）
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
测试条件
VERSION
COM'L 。 S
L
71342X25
—
—
280
240
71342X35
—
—
260
220
71342X45
—
—
240
200
71342X55 71342X70
—
—
240
200
—
—
240
200
mA
典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
—
—
280
240
CE
= V
IL
输出打开
SEM
=不关心
f = f
最大
(3)
CE
= V
IH
COM'L 。 S
—
—
280
240
—
—
200
170
—
—
185
155
—
—
170
140
—
—
170
140
—
—
170
140
mA
ISB1
输出打开
L
SEM
＆ LT ; V
IL
f = f
最大
(3)
CE
L
和
CE
R
= V
IH
COM'L 。 S
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
IH
L
f = f
最大
(3)
25
25
—
—
80
80
180
150
25
25
—
—
80
50
180
150
25
25
—
—
75
45
170
140
25
25
—
—
70
40
160
130
25
25
—
—
70
40
160
130
25
25
—
—
70
40
160
130
mA
ISB2
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
COM'L 。 S
L
mA
ISB3
ISB4
全待机电流
（一个端口，所有
CMOS电平输入）
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(3)
这两个端口
CE
L
和COM'L 。 S
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V ， F = 0
(4)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
COM'L 。 S
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ;
V
CC
- 0.2V
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(3)
1.0
0.2
15
4.5
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
1.0
0.2
15
4.0
mA
—
—
170
140
—
—
170
140
—
—
150
130
—
—
150
120
—
—
150
120
—
—
150
120
mA
注意事项：
在部件编号1 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C典型值，参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3.
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
2721 TBL 06
6.05
3
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
数据保持特性
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
测试条件
—
V
CC
= 2V,
CE
≥
V
HC
Com'l 。
分钟。
2.0
—
典型值。
(1)
—
100
马克斯。
—
1500
单位
V
A
SEM
≥
V
HC
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
IN
≥
V
HC
or
≤
V
LC
0
t
RC(2)
—
—
—
—
ns
ns
2721 TBL 07
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2V
V
DR
4.5V
t
R
V
IH
2721 DRW 04
CE
V
IH
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2721 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF
2721 DRW 05
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
2721 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
6.05
4
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
商业级温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
71342X20
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
WDD
t
DDD
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
SEM标志更新脉冲（
OE
or
SEM
)
写脉冲数据延迟
(4)
写数据有效读取数据的延迟
(4)
旗语地址访问时间
20
—
—
—
0
0
—
0
—
—
—
—
—
—
20
20
15
—
—
15
—
50
—
40
30
—
25
—
—
—
0
0
—
0
—
10
—
—
—
—
25
25
15
—
—
15
—
50
—
50
30
25
35
—
—
—
0
0
—
0
—
15
—
—
—
—
35
35
20
—
—
20
—
50
—
60
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2721 TBL 09
71342X25
分钟。
马克斯。
71342X35
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(4)
（续）
71342X45
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
WDD
t
DDD
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1, 2)
输出高阻时间
(1, 2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
SEM标志更新脉冲（
OE
or
写脉冲数据延迟
(4)
写数据有效读取数据的延迟
(4)
旗语地址访问时间
45
—
—
—
0
5
—
0
—
15
—
—
—
—
45
45
25
—
—
20
—
50
—
70
45
45
55
—
—
—
0
5
—
0
—
20
—
—
—
—
55
55
30
—
—
25
—
50
—
80
55
55
70
—
—
—
0
5
—
0
—
20
—
—
—
—
70
70
40
—
—
30
—
50
—
90
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2721 TBL 10
71342X55
分钟。
马克斯。
71342X70
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
SEM
)
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出继电器测试负载（图2）。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.要访问的RAM ，
CE
= V
白细胞介素，
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和
SEM
= V
IL
.
在部件编号4 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
6.05
5
QQ：2881677436 复制
