集成设备技术有限公司
BiCMOS工艺StaticRAM
240K （ 16K ×15位）
CACHE -TAG RAM
为PowerPC
和RISC处理器
IDT71216
产品特点：
16K ×15配置
- 12位标签
- 3个独立的I / O状态位（有效的，肮脏的，写透）
匹配输出使用的有效位有资格匹配输出
高速地址到比赛时间比较
- 8/9 /10 /为12ns在商用温度范围
TA
电路包括缓存标签里面最高
运行速度
与同步异步读/匹配操作
写和复位操作
独立
WE
为标记位和状态位
独立
OE
为标记位，状态位和
TA
=同步
RESET
针对所有标签的条目失效
双芯片选择，便于深度扩展，无
性能下降
I / O引脚既5V TTL和3.3V LVTTL兼容
V
CCQ
引脚
PWRDN
引脚放置器件进入低功耗模式
在一个80引脚薄型塑料方形扁平封装包装
（ TQFP ）
描述：
该IDT71216是245760位高速缓冲存储器标记StaticRAM ，
主办16K ×15和旨在支持PowerPC和
其他的RISC处理器的总线速度高达66MHz的。有
12个通用I / O标记位，其余三个位
作为状态位。 12位比较器是在芯片上，以便快速
的12 TAG存储位进行比较和当前标签
输入数据。高电平有效匹配输出时产生的
这两组数据是相同的对于一个给定的地址。
这种高速匹配信号，采用t
ADM
以最快的速度为8ns ，
提供最快可能使二级缓存
访问。
在三个独立的I / O的状态位（VLD ，DTY，和WT ）可以
对于任何一个专用的或通用的功能配置，
根据SFUNC输入引脚。与SFUNC LOW时，
状态位的定义和由设备内部使用，
用户可以方便地确定有效性的和使用
定标记的数据。 SFUNC HIGH释放定义的内部
状态比特使用和控制，允许用户配置
状态位的信息，以适应他的系统需求。一种同步
RESET
引脚，当在时钟上升沿保持低电平，复位
阵列中的所有状态位为所有变量的易失效
地址。
该IDT71216还提供了传送选项AC-
知识（
TA
）生成的缓存标签本身内，基于
匹配时， VLD位， WT位和外部输入提供
由用户设定。这可以显著简化高速缓存控制器
逻辑和减少缓存决策时间。比赛和读
操作是异步的，以提供
最快的访问时间有可能，而写操作
同步的，以便于系统定时。
该IDT71216上使用的Vcc 5V电源供电，具有
单独的V
CCQ
为输出引脚提供的并发症
ANCE既5.0V TTL和3.3V LVTTL逻辑电平。该
PWRDN
引脚提供了一个低功耗待机模式，以减少
90 ％的电力消耗，提供显著系统
积蓄力量。
该IDT71216采用IDT的高性能无中生有，
高可靠性BiCMOS技术，并提供了节省空间
省电80引脚薄型塑料四方扁平封装（ TQFP ）封装。
引脚说明
A
0
– A
13
地址输入
芯片选择
写使能 - 标签位
写使能 - 状态位
输出使能 - 标签位
输出使能 - 状态位
状态位复位
掉电模式控制引脚
状态位功能控制引脚
读/写输入的处理器
有效比特/秒
1
位输入
脏比特/秒
2
位输入
通过写比特/秒
3
位输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
CLK
TAH
系统时钟
输入
输入
输入
输入
产量
I / O
产量
产量
产量
产量
PWR
QPwr
GND
3067 TBL 01
IDT标志为注册商标， CacheRAM是集成设备技术公司的商标。
PowerPC是国际商用机器公司的商标。
CS1
， CS2
湿
WES
OET
OES
RESET
PWRDN
SFUNC
TT1
VLD
IN
/ S
1IN
DTY
IN
/ S
2IN
WT
IN
/ S
3IN
TAOE
泰恩
TA
标签
0
=标签
11
VLD
OUT
/ S
1OUT
DTY
OUT
/ S
2OUT
WT
OUT
/ S
3OUT
MATCH
V
CC
V
CCQ
V
SS
TA
力高
TA
OUTPUT ENABLE
另外
TA
输入
传输确认
标签数据输入/输出
有效比特/秒
1
位输出
脏比特/秒
2
位输出
通过写比特/秒
3
位输出
MATCH
+ 5V电源
输出缓冲器电源
地
商业级温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年8月
DSC-3067/3
14.3
1
IDT71216
BiCMOS工艺16K ×15高速缓存TAG RAM
商业级温度范围
引脚配置
VLD
IN
/ S1
IN
PWRDN
TAG11
TAG10
RESET
OES
OET
TAOE
CS1
湿
WES
CS2
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
DTY
IN
/ S2
IN
WT
IN
/ S3
IN
A0
A1
A2
V
CC
V
SS
A3
A4
A5
A6
A7
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
1
80
TAG9
V
SS
V
SS
V
SS
TAG8
TAG7
TAG6
VLD
OUT
/ S1
OUT
V
CCQ
V
SS
V
CCQ
V
CC
V
CC
V
SS
V
SS
PN80-1
TA
MATCH
V
SS
V
CCQ
WT
OUT
/ S3
OUT
TAG5
TAG4
NC
V
SS
V
SS
V
SS
A10
A11
DTY
OUT
/ S2
OUT
A12
TT1
A13
V
CC
SFUNC
TAG0
V
SS
TAG1
V
CCQ
V
CC
TAG2
TAG3
V
SS
TAH
泰恩
A8
A9
3067 DRW 01
TQFP
顶视图
14.3
2
IDT71216
BiCMOS工艺16K ×15高速缓存TAG RAM
商业级温度范围
功能框图
ADDR （ 0:13 ）
REG
0
1
16K ×12
内存
TAG BITS
16K ×3
内存
状态
位
CS1
CS2
REG
数据
IN
注册
SA
SA
数据
IN
注册
VLD/S1
IN
DLY/S2
IN
WT/S3
IN
TAG （ 0:11 ）
OET
写
（ POS ） PULSE
发电机
VLD/S1
OUT
DLY/S2
OUT
WT/S3
OUT
湿
WES
CLK
REG
RESET
（ NEG ） PULSE
发电机
比较
OES
RESET
PWRDN
SFUNC
MATCH
TT1
TAH
泰恩
TA
REG
TAOE
3067 DRW 02
14.3
3
IDT71216
BiCMOS工艺16K ×15高速缓存TAG RAM
商业级温度范围
真值表
片选，复位和掉电功能
(1, 2)
CS1
CS2
RESET PWRDN
CLK
WET WES TAOE
TAG VLD
OUT
DTY
OUT
WT
OUT
MATCH
片选功能
H
X
L
X
L
H
X
X
X
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
高阻
高阻
–
高阻
高阻
–
高阻
高阻
–
高阻
高阻
–
高阻
高阻
–
高阻
高阻
–
取消
取消
选
活跃
活跃
活跃
TA
操作电源
复位功能
L
L
H
X
X
X
H
H
X
L
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
↑
↑
↑
↑
↑
↑
H
H
H
H
L
X
H
H
H
H
X
L
L
H
X
X
X
X
高阻
高阻
高阻
高阻
–
–
L
(3)
L
(3)
高阻
高阻
–
–
L
(3)
L
(3)
高阻
高阻
–
–
L
(3)
L
(3)
高阻
高阻
–
–
L
(3)
L
(3)
高阻
高阻
–
–
H
高阻
高阻
高阻
–
–
复位状态
复位状态
复位状态
复位状态
不允许
不允许
活跃
活跃
活跃
活跃
–
–
掉电功能
X
X
X
L
X
H
H
X
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
掉电
待机
3067 TBL 02
注意事项：
1. "H" = V
IH
， "L" = V
IL
， "X" =不关心， "-" =无关。
2.
OET
,
OES
， TT1 ， TAH ，
泰恩
和SFUNC是"X"此表。
3.
OES
是低的。
读写功能
(1, 2)
OET OES湿WES
读功能
L
X
H
X
X
L
X
H
H
X
X
X
X
X
X
X
CLK
TT1
TAG VLD
IN
DTY
IN
WT
IN
VLD
OUT
DTY
OUT
WT
OUT
MATCH
手术
X
X
X
X
X
X
X
X
D
OUT
–
高阻
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
D
OUT
–
高阻
–
D
OUT
–
高阻
–
D
OUT
–
高阻
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
OUT
阅读标签I / O
阅读状态位
标签I / O禁用
禁用状态
WRITE功能
H
L
X
X
X
X
L
H
L
L
X
X
X
X
L
L
↑
↑
↑
↑
X
X
X
X
D
IN
–
–
–
–
–
D
IN
D
IN
–
–
D
IN
D
IN
–
–
D
IN
D
IN
D
OUT
–
D
OUT
–
D
OUT
–
L
–
L
L
标签写入I / O
不允许
写状态位
写状态位
3067 TBL 03
D
OUT
(3)
D
OUT
(3)
D
OUT
(3)
高阻
高阻
高阻
注意事项：
1. "H" = V
IH
， "L" = V
IL
， "X" =不关心， "-" =无关。
2.本表适用于当
CS1
为低和CS2 ，
RESET
和
PWRDN
高。
TAOE
， TAH ，
泰恩
和SFUNC是"X"此表。
3. D
OUT
在这种情况下是一样的DIN ;即，输入数据是通过写操作期间写入到输出。
14.3
4
IDT71216
BiCMOS工艺16K ×15高速缓存TAG RAM
商业级温度范围
真值表（续）
MATCH函数
(1, 2, 3)
CS1
CS2 SFUNC
OET湿WES
H
X
L
L
L
L
L
L
L
X
L
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
H
X
X
X
L
H
X
H
H
H
X
X
X
H
L
X
H
H
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
标签
高阻
高阻
–
D
OUT
D
IN
–
标签
IN
标签
IN
标签
IN
VLD
(4)
DTY
(4)
WT
(4)
MATCH
–
–
–
–
–
D
IN
L
H
X
–
–
–
–
–
D
IN
–
–
–
–
–
–
–
–
D
IN
–
–
–
高阻
高阻
D
OUT
L
L
L
L
M
M
手术
取消
取消
选
阅读标签I / O
标签写入I / O
写状态位
无效数据 - 专用状态位
比赛 - 专用状态位
比赛 - 通用状态位
3067 TBL 04
注意事项：
1. "H" = V
IH
， "L" = V
IL
， "X" =不关心， "-" =无关。
2， M =高，如果TAG
IN
等于在该地址处的存储器的内容; M =低中频标签
IN
不会在该地址等于该存储器的内容。
3.
PWRDN
和
RESET
是HIGH此表。 TT1 ， TAH ，
TAOE
,
泰恩
,
OES
和CLK是"X" 。
4.本栏目为代表，在所选地址给定的状态位存储的存储单元数据。
TA
功能
(1, 2, 3, 5)
TAOE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
泰恩
(6)
OET湿WES
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
L
X
X
X
X
X
H
H
H
H
X
X
X
L
X
X
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
L
X
X
X
H
H
H
H
TAH
X
X
X
X
X
H
X
X
L
L
L
L
TT1 SFUNC
X
X
X
X
X
X
X
L
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
H
VLD
(4)
DTY
(4)
WT
(4)
TAG MATCH
X
X
X
X
D
IN
X
L
X
H
H
H
X
–
–
–
–
D
IN
–
–
–
–
–
–
–
X
X
X
X
D
IN
X
X
H
L
X
X
X
–
–
D
OUT
D
IN
–
–
–
–
标签
IN
标签
IN
标签
IN
标签
IN
–
X
L
L
L
X
L
X
M
M
M
M
TA
高阻
L
H
H
H
H
H
H
手术
TA
残
外
TA
输入
(7)
阅读标签
写入标签
写状态
FORCE
TA
高
TAG无效
通过写
比较
比较
比较
比较
M
M
M
M
注意事项：
3067 TBL 05
1. "H" = V
IH
， "L" = V
IL
， "X" =不关心， "-" =无关。
2， M =高，如果TAG
IN
等于在该地址处的存储器的内容; M =低中频标签
IN
不会在该地址等于该存储器的内容。
3.
PWRDN
和
RESET
是HIGH此表。 CLK和
OES
是"X" 。
4.本栏目为代表，在所选地址给定的状态位存储的存储单元数据。
5.
CS1
为低， CS2为高此表。
6.
泰恩
是一个同步输入;因此，在表中记下的输入必须在CLK上升沿时被应用。
7.
泰恩
将是一个因素在确定
TA
在输出时除外TAH为高，并有一个有效的匹配所有情况。在这种情况下，
TA
就为低（有效） 。
14.3
5
QQ：2880707522 复制
