CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）
革命引脚
特点
128K ×8先进的高速CMOS静态RAM
为JEDEC革命性的引出线（中心电源/ GND ）
降低了噪音。
平等的机会和周期时间
- 商业和工业：12 /15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向输入和输出直接TTL兼容
通过芯片取消低功耗
采用32引脚400密耳的塑料SOJ 。
IDT71124
描述
该IDT71124是1,048,576位高速静态RAM奥尔加
认列之为128K X 8，它是采用IDT的高性能制造，
高可靠性的CMOS技术。国家的最先进的这种技术，
结合创新的电路设计技术，提供了一个成本
有效的解决方案为高速存储器的需求。在JEDEC
centerpower / GND引脚排列降低了噪音的产生，提高了
系统的性能。
该IDT71124有一个输出使能引脚，运行速度
如为6ns ，具有地址的访问时间快可为12ns 。所有
双向输入和IDT71124的输出为TTL兼容
经营从单一5V电源。完全静态异步
电路被使用;无时钟或刷新所需要的操作。
该IDT71124封装在一个32引脚400密耳的塑料SOJ 。
x
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
A
16
地址
解码器
1,048,576-BIT
存储阵列
I / O
0
- I / O
7
8
I / O控制
8
8
,
WE
OE
CS
控制
逻辑
3514 DRW 01
二月
2001
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3514/10
IDT71124 CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）引脚革命
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6 SO32-3 27
7
26
8
25
9
24
23
10
22
11
21
12
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
等级
与端电压
对于GND
工作温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
(2)
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.25
50
单位
V
o
o
C
C
C
o
,
P
T
I
OUT
W
mA
3514 TBL 02
3514 DRW 02
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
SOJ
顶视图
真值表
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
(1,2)
电容
符号
C
IN
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
3514 TBL 03
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3514 TBL 01
C
I / O
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. VLC = 0.2V ， VHC = VCC -0.2V 。
3.其他投入
≥
VHC或
≤
VLC 。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
3514 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
3514 TBL 05
6.42
2
IDT 71124 CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）引脚革命
商用和工业温度范围
DC电气特性
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3514 TBL 06
2.4
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
0.2V)
71124S12
符号
I
CC
I
SB
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
全部备用电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
CC
=最大值， F = 0
(2)
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
Com'l 。
160
40
10
IND 。
160
40
10
71124S15
Com'l 。
155
40
10
IND 。
155
40
10
71124S20
Com'l 。
140
40
10
IND 。
140
40
10
单位
mA
mA
mA
DC电气特性
(1)
I
SB1
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
)
;
F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
3514 TBL 07
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和图2
3514 TBL 08
AC测试负载
5V
480
数据
OUT
30pF
255
3514 DRW 03
5V
480
数据
OUT
.
5pF*
255
3514 DRW 04
.
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
6.42
3
IDT71124 CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）引脚革命
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
71124S12
SYM BOL
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写赛扬乐添é
一个D D SS重V alid到结束 ; F W仪式
芯片发E乐（C T）到E ND ; F W仪式
一个D D SS重发E T-了蒂姆· é
写脉冲W ID日
发表回复的合作; V。E RY蒂姆· ê
数据有效到E ND -o F-写
数据LD何添é
OUTP UT斯达康主动来回回米结束-o F-写
W仪式ê捉拿文件来OUTP UT的几点措施H-
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
71124S15
分钟。
马克斯。
71124S20
分钟。
马克斯。
单位
PARAM ETER
分钟。
马克斯。
重广告天幕乐添é
一个D D SS再在CC SS é é添
芯片发E乐CT一台CC SS é é添
片种下（C T）为OUTP UT里罗Z-W
芯片本身德乐（C T）为OUTP UT的几点措施H-
OUTP UT ê NAB乐至，调节输出有效
OUTP UT ê NAB L E为OUTP UT里罗Z-W
OUTP UT DISAB乐与O的几点措施H- UTP UT
OUTP UT何LD来回回米的D D重新SS嫦娥
芯片发E乐克拉为P o我们的R-最多添é
芯片德发E乐（C T）为P o我们的R- WN做添é
12
____
____
____
15
____
____
____
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
____
15
15
____
20
20
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
6
6
____
7
7
____
8
8
____
0
0
4
0
____
0
0
4
0
____
0
0
4
0
____
5
____
5
____
7
____
____
____
____
12
15
20
15
12
12
0
12
0
8
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
20
15
15
0
15
0
9
0
4
0
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3514 TBL 09
____
____
____
5
5
8
注意：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
6.42
4
CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）
革命引脚
特点
128K ×8先进的高速CMOS静态RAM
为JEDEC革命性的引出线（中心电源/ GND ）
降低了噪音。
平等的机会和周期时间
- 商业和工业：12 /15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向输入和输出直接TTL兼容
通过芯片取消低功耗
采用32引脚400密耳的塑料SOJ 。
IDT71124
描述
该IDT71124是1,048,576位高速静态RAM奥尔加
认列之为128K X 8，它是采用IDT的高性能制造，
高可靠性的CMOS技术。国家的最先进的这种技术，
结合创新的电路设计技术，提供了一个成本
有效的解决方案为高速存储器的需求。在JEDEC
centerpower / GND引脚排列降低了噪音的产生，提高了
系统的性能。
该IDT71124有一个输出使能引脚，运行速度
如为6ns ，具有地址的访问时间快可为12ns 。所有
双向输入和IDT71124的输出为TTL兼容
经营从单一5V电源。完全静态异步
电路被使用;无时钟或刷新所需要的操作。
该IDT71124封装在一个32引脚400密耳的塑料SOJ 。
x
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
A
16
地址
解码器
1,048,576-BIT
存储阵列
I / O
0
- I / O
7
8
I / O控制
8
8
,
WE
OE
CS
控制
逻辑
3514 DRW 01
二月
2001
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3514/10
IDT71124 CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）引脚革命
商用和工业温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6 SO32-3 27
7
26
8
25
9
24
23
10
22
11
21
12
13
20
14
19
15
18
16
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
等级
与端电压
对于GND
工作温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
(2)
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.25
50
单位
V
o
o
C
C
C
o
,
P
T
I
OUT
W
mA
3514 TBL 02
3514 DRW 02
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
SOJ
顶视图
真值表
CS
L
L
L
H
V
HC
(3)
OE
L
X
H
X
X
(1,2)
电容
符号
C
IN
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
3514 TBL 03
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
3514 TBL 01
C
I / O
注意：
1.该参数由器件特性保证，但未经生产测试。
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. VLC = 0.2V ， VHC = VCC -0.2V 。
3.其他投入
≥
VHC或
≤
VLC 。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
3514 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
3514 TBL 05
6.42
2
IDT 71124 CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）引脚革命
商用和工业温度范围
DC电气特性
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3514 TBL 06
2.4
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
0.2V)
71124S12
符号
I
CC
I
SB
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
全部备用电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
CC
=最大值， F = 0
(2)
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
Com'l 。
160
40
10
IND 。
160
40
10
71124S15
Com'l 。
155
40
10
IND 。
155
40
10
71124S20
Com'l 。
140
40
10
IND 。
140
40
10
单位
mA
mA
mA
DC电气特性
(1)
I
SB1
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
)
;
F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
3514 TBL 07
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和图2
3514 TBL 08
AC测试负载
5V
480
数据
OUT
30pF
255
3514 DRW 03
5V
480
数据
OUT
.
5pF*
255
3514 DRW 04
.
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
6.42
3
IDT71124 CMOS静态RAM
1兆欧（ 128K ×8位）引脚革命
商用和工业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
71124S12
SYM BOL
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写赛扬乐添é
一个D D SS重V alid到结束 ; F W仪式
芯片发E乐（C T）到E ND ; F W仪式
一个D D SS重发E T-了蒂姆· é
写脉冲W ID日
发表回复的合作; V。E RY蒂姆· ê
数据有效到E ND -o F-写
数据LD何添é
OUTP UT斯达康主动来回回米结束-o F-写
W仪式ê捉拿文件来OUTP UT的几点措施H-
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
71124S15
分钟。
马克斯。
71124S20
分钟。
马克斯。
单位
PARAM ETER
分钟。
马克斯。
重广告天幕乐添é
一个D D SS再在CC SS é é添
芯片发E乐CT一台CC SS é é添
片种下（C T）为OUTP UT里罗Z-W
芯片本身德乐（C T）为OUTP UT的几点措施H-
OUTP UT ê NAB乐至，调节输出有效
OUTP UT ê NAB L E为OUTP UT里罗Z-W
OUTP UT DISAB乐与O的几点措施H- UTP UT
OUTP UT何LD来回回米的D D重新SS嫦娥
芯片发E乐克拉为P o我们的R-最多添é
芯片德发E乐（C T）为P o我们的R- WN做添é
12
____
____
____
15
____
____
____
20
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3514 TBL 09
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5
5
8
注意：
1.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
6.42
4
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