CMOS静态RAM
1兆欧（ 256K ×4位）
集成设备技术有限公司
IDT71028
产品特点：
256K ×4的先进的高速CMOS静态RAM
平等接入和周期时间
- 商业：12 /15/ 17 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
TTL兼容
通过芯片取消低功耗
提供400万塑料SOJ包装
描述：
该IDT71028是1,048,576位高速静态RAM
组织为256K X 4.它采用IDT的高制作
性能比较，高可靠性的CMOS技术。这种状态下， OF-
最先进的技术，结合创新的电路设计
技术中，提供了用于高速具有成本效益的解决方案
内存的需求。
该IDT71028有一个输出使能引脚，用作
快为6ns ，有地址的访问时间以最快的速度为12ns 。所有
双向输入和IDT71028的输出是与TTL
兼容和操作是从一个单一5V电源。十分
静态异步电路使用，无需时钟或
刷新操作。
该IDT71028封装在28引脚400密耳的塑料SOJ
封装。
功能框图
A
0
地址
解码器
1,048,576-BIT
内存
ARRAY
A
17
I / O
0
- I / O
3
4
4
I / O控制
CS
WE
OE
控制
逻辑
2966 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商业级温度范围
1996
集成设备技术有限公司
1996年8月
9.4
DSC-2966/5
1
IDT71028
CMOS静态RAM 1 MEG （ 256K ×4位）
商业级温度范围
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
CS
OE
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
与端电压
对于GND
工作温度
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+7.0
单位
V
GND
1
28
27
2
3
26
25
4
24
5
23
6
SO28-6
22
7
21
8
9
20
10
19
11
18
17
12
13
16
15
14
SOJ
顶视图
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.25
50
°C
°C
°C
W
mA
2966 DRW 02
注意事项：
2966 TBL 02
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 0.5V.
真值表
(1,2)
CS
OE
WE
电容
I / O
功能
读数据
写数据
输出禁用
取消选择 - 待机（我
SB
)
取消选择 - 待机（我
SB1
)
2966 TBL 01
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
L
L
L
H
V
HC
(3)
L
X
H
X
X
H
L
H
X
X
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
注意：
2966 TBL 03
1.该参数由器件特性保证，但不是的精良
，减税测试。
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
-0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
2966 TBL 04
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
DC电气特性
V
CC
= 5.0V
±
10%
IDT71028
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
2966 TBL 05
9.4
2
IDT71028
CMOS静态RAM 1 MEG （ 256K ×4位）
商业级温度范围
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
– 0.2V)
71028S12
(3)
符号
I
CC
参数
动态工作电流，
CS
≤
V
IL
，输出打开，
V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流
（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
，输出打开，
V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
全部备用电源电流
（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC
，输出打开，
V
CC
=最大值， F = 0
(2)
, V
IN
≤
V
LC
或V
IN
≥
V
HC
155
—
71028S15
150
—
71028S17
145
—
71028S20
Com'l 。米尔。
145
—
单位
mA
Com'l 。米尔。 Com'l 。米尔。 Com'l 。米尔。
I
SB
35
—
35
—
35
—
35
—
mA
I
SB1
10
—
10
—
10
—
10
—
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
)
;
F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
3.为12ns规范是初步。
2966 TBL 06
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2966 TBL 07
5V
480
数据
OUT
30pF
255
2966 DRW 03
5V
480
数据
OUT
5pF*
255
2966 DRW 04
图1. AC测试负载
*包括夹具和范围电容。
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
9.4
3
IDT71028
CMOS静态RAM 1 MEG （ 256K ×4位）
商业级温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ，商用温度范围）
符号
参数
71028S12
(1)
71028S15 71028S17
71028S20
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(2)
t
CHZ(2)
t
OE
t
OLZ(2)
t
OHZ(2)
t
OH
t
PU(2)
t
PD(2)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
12
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
12
12
—
6
6
—
5
—
—
12
15
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
15
15
—
7
7
—
5
—
—
15
17
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
17
17
—
8
8
—
6
—
—
17
20
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
20
20
—
8
8
—
7
—
—
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW(2)
t
WHZ(2)
写周期时间
地址有效到写结束
片选写的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
数据保持时间
输出写入结束活动
写使能在高阻输出
12
10
10
0
10
0
7
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
15
12
12
0
12
0
8
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
17
13
13
0
13
0
9
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7
20
15
15
0
15
0
9
0
4
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2966 TBL 08
注意事项：
1.为12ns规范是初步。
2.这个参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
9.4
4
IDT71028
CMOS静态RAM 1 MEG （ 256K ×4位）
商业级温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ （ 5 ）
(5)
t
ACS
(3)
t
CLZ
数据
OUT
t
CHZ （ 5 ）
t
OHZ （ 5 ）
高阻抗
数据
OUT
有效
t
PD
V
CC
我的供应
CC
电流I
SB
t
PU
2966 DRW 05
读循环中没有时序波形。 2
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
2966 DRW 6
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳定状态。
9.4
5
QQ：2880707522 复制
