CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
特点
64K ×16的先进的高速CMOS静态RAM
平等的机会和周期时间
- 商业和工业：12 /15 / 20ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出直接与TTL
兼容
通过芯片取消低功耗
上下字节使能引脚
采用44引脚提供商用和工业产品
塑料SOJ封装和44引脚TSOP封装
IDT71016
◆
◆
描述
该IDT71016是组织了1,048,576位高速静态RAM
为64K ×16。它是采用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合
创新的电路设计技术，提供了一种具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71016有一个输出使能引脚，以最快的速度运行的7ns的，
与地址存取时间快为12ns 。所有的双向输入和
该IDT71016的输出为TTL兼容和操作是从一个单一的
5V电源。全静态异步电路使用，无需时钟
或刷新操作。
该IDT71016封装在一个JEDEC标准44引脚塑料SOJ
和44引脚TSOP II型。
◆
◆
◆
◆
◆
功能框图
OE
产量
启用
卜FF器
A0 - A15
地址
缓冲器
行/列
解码器
I / O 15
芯片
启用
卜FF器
SENSE
安培
和
写
DRIVERS
8
低
字节
I / O
卜FF器
8
8
高
字节
I / O
卜FF器
8
,
CS
I / O 8
WE
写
启用
卜FF器
64K ×16
内存
ARRAY
16
I / O 7
I / O 0
BHE
字节
启用
缓冲器
BLE
3210 DRW 01
2004年1月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-3210/8
IDT71016 ， CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
工作温度
温度
在偏置
存储
温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.25
50
单位
V
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
3210 TBL 04
C
C
C
产业
o
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
W
mA
马克斯。
5.5
0
V
DD
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
GND
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+ 0.5V.
3210 TBL 03
V
IH
V
IL
____
3210 TBL 05
注意：
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于的tRC / 2，每循环一次。
电容
符号
C
IN
C
I / O
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围）
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
___
___
___
DC电气特性
3210 TBL 06
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3210 TBL 07
2.4
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V)
71016S12
符号
I
CC
I
SB
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
CC
=最大值， F = 0
(2)
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
Com'l 。
210
60
10
IND 。
210
60
10
71016S15
Com'l 。
180
50
10
IND 。
180
50
10
71016S20
Com'l 。
170
45
10
IND 。
170
45
10
单位
mA
mA
mA
I
SB1
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
3210 TBL 08
6.42
3
IDT71016 ， CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
参见图1 ，图2和3
3210 TBL 09
AC测试负载
5V
480
5V
480
数据
OUT
数据
OUT
30pF*
255
5pF*
255
3210 DRW 04
3210 DRW 03
,
,
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
7
t
AA,
t
ACS
（典型， NS ） 5
4
3
2
1
6
,
电容（pF）
3210 DRW 05
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
图3.输出电容降额
6.42
4
IDT71016 ， CMOS静态RAM
1兆欧（ 64K ×16位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
BE
t
BLZ
(1)
t
BHZ
(1)
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
BW
t
AS
t
WR
t
WP
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到写结束
芯片选择低到结束写入的
字节使能低到结束写入的
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写使能高到输出中低Z
写使能在高阻低到输出
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择低输出在低Z
芯片选择高到输出的高阻
输出使能低到输出有效
输出使能低-Z低到输出
输出使能高到输出的高阻
从地址变更输出保持
字节使能低到输出有效
字节使能在低Z低到输出
字节使能高到输出的高阻
参数
(
V
CC = 5.0V ± 10 ％ ，商用和工业温度范围
)
71016S12
分钟。
马克斯。
71016S15
分钟。
马克斯。
71016S20
分钟。
马克斯。
单位
12
____
____
____
15
____
____
____
20
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
____
15
15
____
20
20
____
4
____
5
____
5
____
6
7
____
6
8
____
8
10
____
____
____
____
0
____
0
____
0
____
6
____
6
____
8
____
4
____
4
____
5
____
7
____
8
____
10
____
0
____
0
____
0
____
6
6
8
12
9
9
9
0
0
9
7
0
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
15
10
10
10
0
0
10
8
0
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
20
12
12
12
0
0
12
10
0
1
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3210 TBL 10
____
____
____
6
6
8
注意：
1.此参数是保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1,2,3)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3210 DRW 06
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.
OE ， BHE ，
和
BLE
是低的。
,
6.42
5
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