高速3.3V 16K ×18
同步PIPELINED
双口静态RAM
.EATURES ：
x
x
初步
IDT70V9369L
x
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 7.5 / 9 /为12ns （最大值）
- 工业： 9ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V9369L
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1.5mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
引脚
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
x
x
x
x
x
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和为0ns持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速7.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 为12ns周期时间，在83MHz的流水线输出模式的操作
对于单独的上层字节和低字节控制
复用总线和总线匹配的兼容性
LVTTL-兼容，采用3.3V单电源（ ± 0.3V ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
.UNCTIONAL框图
R/
W
L
UB
L
CE
0L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1L
LB
L
OE
L
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
1R
LB
R
OE
R
FT
/ PIPE
L
0/1
1b 0b
B一
1a 0a
0a 1a
a
b
0b 1b
0/1
FT
/ PIPE
R
I / O
9L
-I / O
17L
I / O
0L
-I / O
8L
I / O
控制
I / O
9R
-I / O
17R
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
8R
A
13L
A
0L
CLK
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
13R
A
0R
CLK
R
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
5648 DRW 01
2002年1月
1
2002集成设备技术有限公司
DSC-5648/1
IDT70V9369L
高速3.3V 16K ×18的双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
描述：
该IDT70V9369是一个高速16K ×18位同步
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元
允许任何地址从两个端口同时访问。
在控制，数据和地址输入寄存器，提供最低限度的设置
时间和保持时间。由这种方法所提供的定时纬度允许
系统被设计成具有非常短的周期时间。
与输入数据寄存器， IDT70V9369进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为500mW的运行。
引脚配置
(1,2,3)
指数
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
读/写
L
OE
L
V
DD
FT /管
L
I / O
17L
I / O
16L
V
SS
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
3
73
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72
71
70
69
68
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
V
SS
VSS
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
70V9369PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
01/09/02
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
读/写
R
V
SS
OE
R
FT /管
R
I / O
17R
V
SS
I / O
16R
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
.
5648 DRW 02
注意事项：
1.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
2.所有V
SS
引脚必须接地。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
V
DD
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
V
SS
I / O
1L
I / O
0L
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
V
DD
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
6.42
2
IDT70V9369L
高速3.3V 16K ×18的双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L,
CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
17L
CLK
L
UB
L
LB
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R,
CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
17R
CLK
R
UB
R
LB
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
DD
V
SS
名字
芯片使
(2)
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
高字节选择
(1)
低字节选择
(1)
地址选通启用
柜台启用
计数器复位
流通/管道
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
5648 TBL 01
注意事项：
1.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
2.
CE
0
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
,
CE
0
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH ，
即，信号
需要两个周期，取消选择。
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
读/写
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
高字节
I / O
9-17
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
低字节
I / O
0-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
取消选择，关机
取消选择，关机
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
5648 TBL 02
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
6.42
3
IDT70V9369L
高速3.3V 16K ×18的双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
事实表二??地址计数器控制
(1,2,6)
地址
An
X
X
X
前
地址
X
An
一个+ 1
X
ADDR
二手
An
一个+ 1
一个+ 1
A
0
CLK
(6
)
↑
↑
↑
↑
ADS
L
(4)
H
H
X
CNTEN
X
L
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
L
(4)
I / O
(3)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(0)
外部地址使用
柜台启用，内部地址产生
外部地址阻塞的反禁用（ AN + 1复用）
计数器复位到地址0
5648 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
,
LB ， UB ，
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置流通输出模式;如果输出在流水线模式的数据输出将被一个周期延迟。
4.
ADS
和
CNTRST
是独立于所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
6.在加载外部地址（ ADS = V
IL
） ， R / W = V
IH
推荐，以保证数据不被写入任意。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(1)
0
O
C至+70
O
C
-40°C至+ 85°C
O
O
建议的直流工作
条件
符号
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0V
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+0.3V
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
5648 TBL 05
GND
0V
0V
V
DD
V
DD
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
5648 TBL 04
VSS
V
IH
V
IL
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+0.3V.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(1)
单位
V
等级
端电压
关于
GND
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
Z
)
符号
C
IN
C
OUT
(3)
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
5648 TBL 07
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
o
mA
5648 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
DD
+ 0.3V.
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
6.42
4
IDT70V9369L
高速3.3V 16K ×18的双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9369L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
V
DD
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
DD
CE
O
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
DD
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
测试条件
分钟。
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
5648 TBL 08
___
___
2.4
注意：
1. V
DD
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度电源电压范围
(3)
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9369L7
Com'l只有
符号
I
DD
参数
工作动态
电流（两个
端口激活）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机
电流（一
端口 - TTL
电平输入）
全备
电流（两个
端口 - CMOS
电平输入）
全备
电流（一
端口 - CMOS
电平输入）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用，
f = f
最大
(1)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
有源端口输出
残疾人，女= F
最大
(1)
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
DD
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(4)
200
____
70V9369L9
Com'l
&工业
典型值。
(4)
180
180
50
50
110
110
马克斯。
260
280
100
120
190
205
3.0
6.0
180
195
70V9369L12
Com'l只有
典型值。
(4)
150
____
马克斯。
310
____
马克斯。
230
____
单位
mA
I
SB1
65
____
130
____
40
____
80
____
mA
I
SB2
140
____
245
____
100
____
175
____
mA
I
SB3
0.4
____
3
____
0.4
0.4
0.4
____
3
____
mA
I
SB4
Com'l
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
(5)
IND
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动端口，
输出禁用，女= F
最大
(1)
130
____
235
____
100
100
90
____
165
____
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入
GND水平为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
DD DC
（ F = 0 ）= 90毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
5648 TBL 09
6.42
5
QQ：2880707522 复制
