HIGH -SPEED 3.3V 64 / 32K ×8
同步
双口静态RAM
产品特点：
◆
◆
IDT70V9089/79S/L
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 6.5 / 7.5 / 9/12 / 15ns的（最大）
- 工业： 9ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V9089 / 79S
主动： 429mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V9089 / 79L
主动： 429mW （典型值）。
待机：的660mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
针
◆
◆
◆
◆
◆
◆
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和1ns的持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速6.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 10ns的周期时间，在流水线输出模式100MHz的操作
LVTTL-兼容，采用3.3V单电源（ ± 0.3V ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）封装
功能框图
读/写
L
OE
L
CE
0L
CE
1L
读/写
R
OE
R
CE
0R
CE
1R
1
0
0/1
1
0
0/1
FT /管
L
0/1
1
0
0
1
0/1
FT /管
R
,
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
- I / O
7R
A
15L
(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
15R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
3750 DRW 01
注意：
1. A
15
X
是NC的ID70V9079 。
2004年5月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC八分之三千七百五十零
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V9089 / 79是一种高速64 / 32K ×8位synNchronous
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元到
允许任何地址从两个端口同时访问。对注册
控制，数据和地址输入端提供最小的建立和保持时间。
通过这种方法所提供的时间纬度允许对系统进行
设计有非常短的周期时间。
描述：
与输入数据寄存器， IDT70V9089 / 79进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为429mW工作。
销刀豆网络gurations
(2,3,4)
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
V
SS
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
73
3
4
72
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
01/15/04
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
(1)
NC
V
DD
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
读/写
L
OE
L
FT /管
L
NC
NC
IDT70V9089/79PF
PN100-1
(5)
100引脚TQFP
顶视图
(6)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
(1)
NC
V
SS
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
读/写
R
OE
R
FT /管
R
V
SS
NC
3750 DRW 02
,
注意事项：
1. A
15X
是NC的ID70V9079 。
2.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
3.所有GND引脚必须接地。
4.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
GND
NC
I / O
7
L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
V
SS
I / O
IL
I / O
0L
V
DD
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
DD
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
NC
NC
NC
2
6.42
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
15L
(1)
I / O
0L
- I / O
7L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
15R
(1)
I / O
0R
- I / O
7R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
DD
V
SS
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
地址选通
柜台启用
计数器复位
流通/管道
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
3750 TBL 01
注意：
1. A
15X
是NC的ID70V9079 。
2.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
3.
首席执行官
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
,
首席执行官
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH
,
即信号需要两个周期，取消选择。
事实表I-读/写和
使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
R/
W
X
X
L
H
X
I / O
0-7
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
模式
取消 - 关机
取消 - 关机
写
读
输出禁用
3750 TBL 02
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
事实表二??地址计数器控制
(1,2,3)
外
地址
An
X
X
X
前
国内
地址
X
An
一个+ 1
X
国内
地址
二手
An
一个+ 1
一个+ 1
A
0
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L
(4)
H
H
X
CNTEN
X
L
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
L
(4)
I / O
(3)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(0)
外部地址使用
柜台启用，内部地址产生
外部地址阻塞的反禁用（ AN + 1复用）
计数器复位到地址0
3750 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置在流通型输出方式：如果输出在流水线模式的数据输出将被延迟了一个周期。
4.
ADS
和
CNTRST
是独立于所有其他信号，包括
CE
0
和CE
1
.
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
和CE
1
.
6.42
3
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
推荐工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
V
DD
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
3750 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
(2)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+ 0.3V
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3750 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
注意事项：
1. V
TERM
一定不能超过V
DD
+0.3V.
2. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
z
)
单位
V
符号
C
IN
C
OUT
(3)
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3750 TBL 07
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
储存温度
结温
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
T
BIAS
T
英镑
T
JN
I
OUT
-55到+125
-65到+150
+150
50
o
C
C
C
o
o
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
mA
3750 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
DD
+ 0.3V.
3.环境温度下偏置。芯片取消。
4
6.42
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9089/79S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
= 3.3V, V
IN
= 0V牛逼
o
V
DD
CE
0
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V牛逼
o
V
DD
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
70V9089/79L
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3750 TBL 08
2.4
2.4
注意：
1. V
DD
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(6)
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9089/79X6
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
输出禁用
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(3)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(1)
这两个端口
CE
R
和
CE
L
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出禁用，女= F
最大
(1)
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(4)
220
220
____
____
70V9089/79X7
Com'l只有
典型值。
(4)
200
200
____
____
70V9089/79X9
Com'l
&工业
典型值。
(4)
180
180
180
180
50
50
50
50
110
110
110
110
1.0
0.4
1.0
0.4
100
100
100
100
马克斯。
260
225
270
235
75
65
85
75
170
150
180
160
5
3
5
3
160
140
170
150
3750 TBL 09A
马克斯。
395
350
____
____
马克斯。
335
290
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
70
70
____
____
145
130
____
____
60
60
____
____
115
100
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
150
150
____
____
280
250
____
____
130
130
____
____
240
210
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.4
____
____
5
3
____
____
1.0
0.4
____
____
5
3
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
140
140
____
____
270
240
____
____
120
120
____
____
230
200
____
____
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入
GND水平为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
DD
= 3.3V ， TA = 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ）= 90毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
部分6号“X”表示额定功率（S或L ） 。
6.42
5
HIGH -SPEED 3.3V 64 / 32K ×8
同步
双口静态RAM
产品特点：
◆
◆
IDT70V9089/79S/L
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 6.5 / 7.5 / 9/12 / 15ns的（最大）
- 工业： 9ns （最大）
低功耗工作
- IDT70V9089 / 79S
主动： 429mW （典型值）。
待机： 3.3mW （典型值）。
- IDT70V9089 / 79L
主动： 429mW （典型值）。
待机：的660mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
针
◆
◆
◆
◆
◆
◆
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
在两个端口全同步操作
- 在所有的控制设置为4ns时钟和1ns的持有，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速6.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 10ns的周期时间，在流水线输出模式100MHz的操作
LVTTL-兼容，采用3.3V单电源（ ± 0.3V ）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可供选择的速度
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）封装
功能框图
读/写
L
OE
L
CE
0L
CE
1L
读/写
R
OE
R
CE
0R
CE
1R
1
0
0/1
1
0
0/1
FT /管
L
0/1
1
0
0
1
0/1
FT /管
R
,
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
- I / O
7R
A
15L
(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
15R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
3750 DRW 01
注意：
1. A
15
X
是NC的ID70V9079 。
2004年5月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC八分之三千七百五十零
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V9089 / 79是一种高速64 / 32K ×8位synNchronous
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元到
允许任何地址从两个端口同时访问。对注册
控制，数据和地址输入端提供最小的建立和保持时间。
通过这种方法所提供的时间纬度允许对系统进行
设计有非常短的周期时间。
描述：
与输入数据寄存器， IDT70V9089 / 79进行了优化
具有单向或双向的数据流应用在阵阵。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为429mW工作。
销刀豆网络gurations
(2,3,4)
NC
NC
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
V
SS
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
73
3
4
72
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
71
70
69
68
67
01/15/04
指数
NC
NC
A
7L
A
8L
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
(1)
NC
V
DD
NC
NC
NC
NC
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
读/写
L
OE
L
FT /管
L
NC
NC
IDT70V9089/79PF
PN100-1
(5)
100引脚TQFP
顶视图
(6)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
NC
NC
A
7R
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
(1)
NC
V
SS
NC
NC
NC
NC
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
读/写
R
OE
R
FT /管
R
V
SS
NC
3750 DRW 02
,
注意事项：
1. A
15X
是NC的ID70V9079 。
2.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
3.所有GND引脚必须接地。
4.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
GND
NC
I / O
7
L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
V
SS
I / O
IL
I / O
0L
V
DD
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
DD
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
NC
NC
NC
2
6.42
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
15L
(1)
I / O
0L
- I / O
7L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
15R
(1)
I / O
0R
- I / O
7R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
DD
V
SS
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
地址选通
柜台启用
计数器复位
流通/管道
电源（ 3.3V ）
地（ 0V ）
3750 TBL 01
注意：
1. A
15X
是NC的ID70V9079 。
2.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
3.
首席执行官
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
,
首席执行官
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH
,
即信号需要两个周期，取消选择。
事实表I-读/写和
使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
H
X
L
L
L
CE
1
X
L
H
H
H
R/
W
X
X
L
H
X
I / O
0-7
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
模式
取消 - 关机
取消 - 关机
写
读
输出禁用
3750 TBL 02
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
事实表二??地址计数器控制
(1,2,3)
外
地址
An
X
X
X
前
国内
地址
X
An
一个+ 1
X
国内
地址
二手
An
一个+ 1
一个+ 1
A
0
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L
(4)
H
H
X
CNTEN
X
L
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
L
(4)
I / O
(3)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(0)
外部地址使用
柜台启用，内部地址产生
外部地址阻塞的反禁用（ AN + 1复用）
计数器复位到地址0
3750 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置在流通型输出方式：如果输出在流水线模式的数据输出将被延迟了一个周期。
4.
ADS
和
CNTRST
是独立于所有其他信号，包括
CE
0
和CE
1
.
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
和CE
1
.
6.42
3
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
推荐工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
V
DD
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
3750 TBL 04
建议的直流工作
条件
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
(2)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
DD
+ 0.3V
(1)
0.8
单位
V
V
V
V
3750 TBL 05
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
注意事项：
1. V
TERM
一定不能超过V
DD
+0.3V.
2. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
z
)
单位
V
符号
C
IN
C
OUT
(3)
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3750 TBL 07
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
储存温度
结温
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
T
BIAS
T
英镑
T
JN
I
OUT
-55到+125
-65到+150
+150
50
o
C
C
C
o
o
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
mA
3750 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
DD
+ 0.3V.
3.环境温度下偏置。芯片取消。
4
6.42
IDT70V9089/79S/L
高速3.3V 64 / 32K ×8同步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9089/79S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
DD
= 3.3V, V
IN
= 0V牛逼
o
V
DD
CE
0
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V牛逼
o
V
DD
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
70V9089/79L
分钟。
___
___
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3750 TBL 08
2.4
2.4
注意：
1. V
DD
< 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(6)
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
70V9089/79X6
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
输出禁用
f = f
最大
(1)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(3)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(1)
这两个端口
CE
R
和
CE
L
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出禁用，女= F
最大
(1)
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(4)
220
220
____
____
70V9089/79X7
Com'l只有
典型值。
(4)
200
200
____
____
70V9089/79X9
Com'l
&工业
典型值。
(4)
180
180
180
180
50
50
50
50
110
110
110
110
1.0
0.4
1.0
0.4
100
100
100
100
马克斯。
260
225
270
235
75
65
85
75
170
150
180
160
5
3
5
3
160
140
170
150
3750 TBL 09A
马克斯。
395
350
____
____
马克斯。
335
290
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
70
70
____
____
145
130
____
____
60
60
____
____
115
100
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
150
150
____
____
280
250
____
____
130
130
____
____
240
210
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
1.0
0.4
____
____
5
3
____
____
1.0
0.4
____
____
5
3
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
140
140
____
____
270
240
____
____
120
120
____
____
230
200
____
____
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用＆ QUOT ; AC测试条件和QUOT ;在输入
GND水平为3V 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
DD
= 3.3V ， TA = 25℃典型值，而不是生产测试。我
CC DC
（ F = 0 ）= 90毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或CE
1X
＆ LT ; 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
部分6号“X”表示额定功率（S或L ） 。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
