高速3.3V
64K ×18的双端口
静态RAM
特点
◆
◆
IDT70V38L
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业： 15 / 20ns的（最大）
- 工业： 20ns的（最大）
低功耗工作
- IDT70V38L
主动： 440MW （典型值）。
待机： 660μW （典型值）。
双芯片能够允许深度扩展，而不
外部逻辑
IDT70V38轻松扩展数据总线宽度为36位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
M / S = V
IH
为
忙
输出标志法师，
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
对于多单独上层字节和低字节控制
路开关连接总线和总线匹配的兼容性
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
采用100引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
R/
W
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
LB
L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
LB
R
I / O
9-17L
I / O
0-8L
忙
L
(1,2)
A
15L
A
0L
64Kx18
内存
ARRAY
70V38
16
16
I / O
9-17R
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0-8R
忙
R
A
15R
A
0R
(1,2)
.
地址
解码器
地址
解码器
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
L
SEM
L
INT
L
(2)
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
0R
CE
1R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
4850 DRW 01
M / S
(1)
注意事项：
1.
忙
是输入为从机（M / S = V
IL
），并且当它是一个主站（ M / S = V输出
IH
).
2.
忙
和
INT
都是非三态图腾柱输出（推挽式） 。
2003年9月
DSC-4850/3
1
2003集成设备技术有限公司
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V38是一个高速64K ×18双端口静态RAM 。
该IDT70V38被设计为用作一个独立的1152K位
双端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM
对于36位或更多的字系统。采用IDT主/从
在36位或更宽的内存系统双口RAM的应用方法
系统蒸发散导致在全速无错操作，而不需要
额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
描述
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
由芯片控制下功能使（或
CE
0
或CE
1
)
使芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为440MW操作。
该IDT70V38封装在一个100引脚薄型四方扁平封装
（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
GND
V
cc
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72
71
70
69
68
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
SEM
L
读/写
L
OE
L
VCC
GND
I / O
17L
I / O
16L
GND
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
IDT70V38PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
SEM
R
读/写
R
GND
OE
R
GND
I / O
17R
GND
I / O
16R
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
4850 DRW 02
.
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
VCC
I / O
7
L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
VCC
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
2
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
15L
I / O
0L
- I / O
17L
SEM
L
UB
L
LB
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
15R
I / O
0R
- I / O
17R
SEM
R
UB
R
LB
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
4850 TBL 01
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4850 TBL 04
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
o
mA
4850 TBL 02
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
电容
(1)
符号
C
IN
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4850 TBL 05
最大工作温度
与电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(1)
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
4850 TBL 03
C
OUT
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
化测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
3
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
(1,2)
CE
L
CE
0
V
IL
＆ LT ; 0.2V
V
IH
H
X
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
(3)
CE
1
模式
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
4850 TBL 06
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
(3)
<0.2V
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
水平;
CE
只是一个参考。
2. “H” = V
IH
和' L' = V
IL
.
3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或>V
CC
-0.2V.
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
X
L
L
L
L
L
L
X
读/写
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
输出
I / O
9-17
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
I / O
0-8
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
模式
取消：掉电
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
4850 TBL 07
注意事项：
1. A
0L
— A
15L
≠
A
0R
— A
15R
2.参考真值表I - 芯片使能。
真值表III - 旗语读/写控制
(1)
输入
(1)
CE
(2)
H
X
H
X
L
L
读/写
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
输出
I / O
9-17
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
______
______
I / O
0-8
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
______
______
模式
在信号灯标记读取数据
在信号灯标记读取数据
写I / O
0
到信号灯标志
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
不允许
4850 TBL 08
注意事项：
1.有写到我8信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
-I / O
17
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考真值表I -
芯片使能。
4
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V38L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
(2)
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4850 TBL 09
2.4
注意事项：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
2.参考真值表I -
芯片使能。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(5)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V38L15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(4)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
活动端口输出禁用，女= F
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(1)
145
___
70V38L20
Com'l
&工业
典型值。
(1)
135
135
35
35
90
90
0.2
0.2
90
90
马克斯。
205
220
55
65
140
150
3.0
3.0
135
145
4850 TBL 10
马克斯。
235
___
单位
mA
I
SB1
40
___
70
___
mA
I
SB2
100
___
155
___
mA
I
SB3
0.2
___
3.0
___
mA
I
SB4
95
___
150
___
mA
注意事项：
1. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 90毫安（典型值）。
2.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并用GND的输入电平的“交流测试Conditions"
为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5.参考真值表I - 芯片使能。
5
高速3.3V
64K ×18的双端口
静态RAM
特点
◆
◆
IDT70V38L
◆
◆
◆
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速存取
- 商业： 15 / 20ns的（最大）
- 工业： 20ns的（最大）
低功耗工作
- IDT70V38L
主动： 440MW （典型值）。
待机： 660μW （典型值）。
双芯片能够允许深度扩展，而不
外部逻辑
IDT70V38轻松扩展数据总线宽度为36位或
更多使用主/从选择当级联多
一个以上的设备
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
M / S = V
IH
为
忙
输出标志法师，
M / S = V
IL
为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
对于多单独上层字节和低字节控制
路开关连接总线和总线匹配的兼容性
LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源
采用100引脚TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
R/
W
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
LB
L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
LB
R
I / O
9-17L
I / O
0-8L
忙
L
(1,2)
A
15L
A
0L
64Kx18
内存
ARRAY
70V38
16
16
I / O
9-17R
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0-8R
忙
R
A
15R
A
0R
(1,2)
.
地址
解码器
地址
解码器
CE
0L
CE
1L
OE
L
读/写
L
SEM
L
INT
L
(2)
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
0R
CE
1R
OE
R
读/写
R
SEM
R
(2)
INT
R
4850 DRW 01
M / S
(1)
注意事项：
1.
忙
是输入为从机（M / S = V
IL
），并且当它是一个主站（ M / S = V输出
IH
).
2.
忙
和
INT
都是非三态图腾柱输出（推挽式） 。
2003年9月
DSC-4850/3
1
2003集成设备技术有限公司
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
该IDT70V38是一个高速64K ×18双端口静态RAM 。
该IDT70V38被设计为用作一个独立的1152K位
双端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM
对于36位或更多的字系统。采用IDT主/从
在36位或更宽的内存系统双口RAM的应用方法
系统蒸发散导致在全速无错操作，而不需要
额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
描述
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
由芯片控制下功能使（或
CE
0
或CE
1
)
使芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机
功率模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，
这些设备通常在功率仅为440MW操作。
该IDT70V38封装在一个100引脚薄型四方扁平封装
（ TQFP ） 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
GND
V
cc
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72
71
70
69
68
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
A
13L
A
14L
A
15L
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
SEM
L
读/写
L
OE
L
VCC
GND
I / O
17L
I / O
16L
GND
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
IDT70V38PF
PN100-1
(4)
100引脚TQFP
顶视图
(5)
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
A
13R
A
14R
A
15R
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
SEM
R
读/写
R
GND
OE
R
GND
I / O
17R
GND
I / O
16R
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
4850 DRW 02
.
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚必须接地。
3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
VCC
I / O
7
L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
VCC
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
2
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L
，CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
15L
I / O
0L
- I / O
17L
SEM
L
UB
L
LB
L
INT
L
忙
L
正确的端口
CE
0R
，CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
15R
I / O
0R
- I / O
17R
SEM
R
UB
R
LB
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
名字
芯片使
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
高字节选择
低字节选择
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
4850 TBL 01
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+4.6
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
4850 TBL 04
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
V
IH
V
IL
o
mA
4850 TBL 02
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
电容
(1)
符号
C
IN
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
4850 TBL 05
最大工作温度
与电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(1)
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3V
3.3V
+
0.3V
4850 TBL 03
C
OUT
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
化测试。
2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
3
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
(1,2)
CE
L
CE
0
V
IL
＆ LT ; 0.2V
V
IH
H
X
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
(3)
CE
1
模式
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
4850 TBL 06
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
(3)
<0.2V
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
水平;
CE
只是一个参考。
2. “H” = V
IH
和' L' = V
IL
.
3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或>V
CC
-0.2V.
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
CE
(2)
H
X
L
L
L
L
L
L
X
读/写
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
输出
I / O
9-17
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
I / O
0-8
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
模式
取消：掉电
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
4850 TBL 07
注意事项：
1. A
0L
— A
15L
≠
A
0R
— A
15R
2.参考真值表I - 芯片使能。
真值表III - 旗语读/写控制
(1)
输入
(1)
CE
(2)
H
X
H
X
L
L
读/写
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
输出
I / O
9-17
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
______
______
I / O
0-8
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
数据
IN
______
______
模式
在信号灯标记读取数据
在信号灯标记读取数据
写I / O
0
到信号灯标志
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
不允许
4850 TBL 08
注意事项：
1.有写到我8信号旗/ O
0
和所有的I / O （我读/ O
0
-I / O
17
） 。这八个信号旗是由一个处理
0
-A
2
.
2.参考真值表I -
芯片使能。
4
IDT70V38L
高速3.3V 64K ×18双口静态RAM
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V38L
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
(2)
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
4850 TBL 09
2.4
注意事项：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V ，输入泄漏是不确定的。
2.参考真值表I -
芯片使能。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(5)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V38L15
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
全待机电流
（这两个港口 - 所有CMOS
电平输入）
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(4)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(2)
,
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(3)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(4)
,
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
活动端口输出禁用，女= F
最大
(2)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
典型值。
(1)
145
___
70V38L20
Com'l
&工业
典型值。
(1)
135
135
35
35
90
90
0.2
0.2
90
90
马克斯。
205
220
55
65
140
150
3.0
3.0
135
145
4850 TBL 10
马克斯。
235
___
单位
mA
I
SB1
40
___
70
___
mA
I
SB2
100
___
155
___
mA
I
SB3
0.2
___
3.0
___
mA
I
SB4
95
___
150
___
mA
注意事项：
1. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 90毫安（典型值）。
2.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并用GND的输入电平的“交流测试Conditions"
为3V 。
3， F = 0表示无地址或控制线变化。
4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
5.参考真值表I - 芯片使能。
5
QQ：2881677436 复制
