【高速3.3V32K ×18的双端口静态RAM.eatures真正的双端口存储器单元，可同步相同的内存】,IC型号IDT70V37L20PFI,IDT70V37L20PFI PDF资料,IDT70V37L20PFI经销商,ic,电子元器件-51电子网

高速3.3V

32K ×18的双端口

静态RAM

.eatures

真正的双端口存储器单元，可同步

相同的内存位置的访问

高速存取

- 商业： 15 / 20ns的（最大）

- 工业： 20ns的（最大）

低功耗工作

- IDT70V37L

主动： 440MW （典型值）。

待机： 660μW （典型值）。

双芯片能够允许深度扩展，而不

外部逻辑

IDT70V37轻松扩展数据总线宽度为36位或

更多使用主/从选择当级联多

一个以上的设备

x

初步

IDT70V37L

x

M / S = V

IH

为

忙

输出标志法师，

M / S = V

IL

为

忙

输入从机上

忙碌而中断标志

片上的端口仲裁逻辑

全片上硬件支持信号量的信号

端口之间

从任何一个端口完全异步操作

对于多单独上层字节和低字节控制

路开关连接总线和总线匹配的兼容性

LVTTL兼容，单3.3V （ ± 0.3V ）电源

采用100引脚TQFP

工业级温度范围（？ 40 ° C至+ 85°C ），可

对于选定的速度

.UNCTIONAL框图

R/

W

L

UB

L

CE

0L

CE

1L

OE

L

LB

L

R/

W

R

UB

R

CE

0R

CE

1R

OE

R

LB

R

I / O

9-17L

I / O

0-8L

忙

L

(1,2)

A

14L

A

0L

32Kx18

内存

ARRAY

70V37

15

I / O

9-17R

I / O

控制

I / O

控制

I / O

0-8R

忙

R

A

14R

A

0R

(1,2)

.

地址

解码器

地址

解码器

CE

0L

CE

1L

OE

L

读/写

L

SEM

L

INT

L

(2)

仲裁

打断

SEMAPHORE

逻辑

CE

0R

CE

1R

OE

R

读/写

R

SEM

R

(2)

INT

R

4851 DRW 01

M / S

(1)

注意事项：

1.

忙

是输入为从机（M / S = V

IL

），并且当它是一个主站（ M / S = V输出

IH

).

2.

忙

和

INT

都是非三态图腾柱输出（推挽式）。

2002年1月

DSC-4851/2

1

2002集成设备技术有限公司

IDT70V37L

高速3.3V 32K ×18双口静态RAM

初步

工业和商业温度范围

描述

该IDT70V37是一个高速32K ×18双端口静态RAM 。

该IDT70V37被设计为用作一个独立的576K位

双端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM

对于36位或更多的字系统。采用IDT主/从

在36位或更宽的内存系统双口RAM的应用方法

系统蒸发散导致在全速无错操作，而不需要

额外的分立逻辑。

该器件提供了独立控制两个独立的端口，

地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问

用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率

由芯片控制下功能使（或

CE

0

或CE

1

)

使芯片上的电路，每个端口的输入非常低的待机

功率模式。

采用IDT的CMOS高性能技术制造，

这些设备通常在功率仅为440MW操作。

该IDT70V37封装在一个100引脚薄型四方扁平封装

（ TQFP ）。

销刀豆网络gurations

(1,2,3)

指数

A

9L

A

10L

A

11L

A

12L

A

13L

A

14L

NC

LB

L

UB

L

CE

0L

CE

1L

SEM

L

读/写

L

OE

L

V

CC

GND

I / O

17L

I / O

16L

GND

I / O

15L

I / O

14L

I / O

13L

I / O

12L

I / O

11L

I / O

10L

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76

1

75

2

74

3

73

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

72

71

70

69

A

8L

A

7L

A

6L

A

5L

A

4L

A

3L

A

2L

A

1L

A

0L

INT

L

忙

L

GND

V

CC

M / S

忙

R

INT

R

A

0R

A

1R

A

2R

A

3R

A

4R

A

5R

A

6R

A

7R

IDT70V37PF

PN100-1

(4)

100引脚TQFP

顶视图

(5)

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

25

26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

A

8R

A

9R

A

10R

A

11R

A

12R

A

13R

A

14R

NC

LB

R

UB

R

CE

0R

CE

1R

SEM

R

读/写

R

GND

OE

R

GND

I / O

17R

GND

I / O

16R

I / O

15R

I / O

14R

I / O

13R

I / O

12R

I / O

11R

4851 DRW 02

.

注意事项：

1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。

2.所有GND引脚必须接地。

3.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。

4.这个包的代码来引用该包图。

5.本文并不表示实际的部分标记的方向。

I / O

9L

I / O

8L

V

CC

I / O

7

L

I / O

6L

I / O

5L

I / O

4L

I / O

3L

I / O

2L

GND

I / O

1L

I / O

0L

GND

I / O

0R

I / O

1R

I / O

2R

I / O

3R

I / O

4R

I / O

5R

I / O

6R

V

CC

I / O

7R

I / O

8R

I / O

9R

I / O

10R

2

IDT70V37L

高速3.3V 32K ×18双口静态RAM

初步

工业和商业温度范围

引脚名称

左侧端口

CE

0L

，CE

1L

读/写

L

OE

L

A

0L

- A

14L

I / O

0L

- I / O

17L

SEM

L

UB

L

LB

L

INT

L

忙

L

正确的端口

CE

0R

，CE

1R

读/写

R

OE

R

A

0R

- A

14R

I / O

0R

- I / O

17R

SEM

R

UB

R

LB

R

INT

R

忙

R

M / S

V

CC

GND

名字

芯片使

读/写使能

OUTPUT ENABLE

地址

数据输入/输出

信号灯启用

高字节选择

低字节选择

中断标志

忙标志

主机或从机选择

动力

地

4851 TBL 01

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

T

BIAS

T

英镑

I

OUT

(2)

等级

端电压

相对于GND

温度

在偏置

存储

温度

直流输出电流

＆放大器;产业

-0.5到+4.6

-55到+125

-65到+150

50

单位

V

o

建议的直流工作

条件

符号

V

CC

GND

V

IH

参数

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

分钟。

3.0

0

2.0

-0.3

(1)

典型值。

3.3

0

____

马克斯。

3.6

0

V

CC

+0.3

(2)

0.8

单位

V

4851 TBL 04

C

o

V

IL

____

mA

4851 TBL 02

注意事项：

1.强调超过绝对最大额定值可能

对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上在标明的任何其他条件的操作

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

2. V

TERM

不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上

最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期

TERM

> VCC + 0.3V 。

注意事项：

1. V

IL

> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。

2. V

TERM

不得超过VCC + 0.3V 。

电容

(1)

符号

C

IN

C

OUT

参数

输入电容

(T

A

= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）

条件

(2)

V

IN

= 3DV

V

OUT

= 3DV

马克斯。

9

10

单位

pF

4851 TBL 05

输出电容

最大工作温度

与电源电压

(1)

GRADE

产业

环境

温度

(1)

0

O

C至+70

O

C

-40

O

C至+ 85

O

C

GND

0V

VCC

3.3V

+

0.3V

3.3V

+

0.3V

4851 TBL 03

注意事项：

1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产

化测试。

2. 3DV表示插电容量时的输入和输出信号

从0V切换到3V或3V至0V 。

注意：

1.这是参数T

A

。这是"instant on"外壳温度。

3

IDT70V37L

高速3.3V 32K ×18双口静态RAM

初步

工业和商业温度范围

真值表I - 芯片使能

(1,2)

CE

0

V

IL

L

＆ LT ; 0.2V

V

IH

H

X

＆ GT ; V

CC

-0.2V

X

(3)

CE

1

模式

端口选择（ TTL活动）

端口选择（ CMOS有源）

端口取消（ TTL无效）

端口取消（ CMOS无效）

4852 TBL 06

V

IH

＆ GT ; V

CC

-0.2V

X

V

IL

X

(3)

<0.2V

注意事项：

1.芯片使能引用上面显示与实际

CE

0

和CE

1

水平;

CE

只是一个参考。

2. “H” = V

IH

和' L' = V

IL

.

3. CMOS待机需要' X'是要么< 0.2V或>V

CC

-0.2V.

真值表II - 非争读/写控制

输入

(1)

CE

(2)

H

X

L

X

读/写

X

L

H

X

OE

X

L

H

UB

X

H

L

H

L

H

L

X

LB

X

H

L

H

L

X

SEM

H

X

输出

I / O

9-17

高-Z

数据

IN

高-Z

数据

IN

数据

OUT

高-Z

数据

OUT

高-Z

I / O

0-8

高-Z

数据

IN

数据

IN

高-Z

数据

OUT

数据

OUT

高-Z

模式

取消：掉电

两个字节取消选择

写字节上仅

写低字节只

写两个字节

读高字节只

读低字节只

阅读两个字节

输出禁用

4851 TBL 07

注意事项：

1. A

0L

— A

14L

≠

A

0R

— A

14R

2.参考真值表I - 芯片使能。

真值表III - 旗语读/写控制

(1)

输入

(1)

CE

(2)

H

X

H

X

L

读/写

H

↑

X

OE

L

X

UB

X

H

X

H

L

X

LB

X

H

X

H

X

L

SEM

L

输出

I / O

9-17

数据

OUT

数据

OUT

数据

IN

数据

IN

______

I / O

0-8

数据

OUT

数据

OUT

数据

IN

数据

IN

______

模式

在信号灯标记读取数据

写I / O

0

到信号灯标志

写I / O

0

到信号灯标志

不允许

4851 TBL 08

______

注意事项：

1.有写到我8信号旗/ O

0

和所有的I / O （我读/ O

0

-I / O

17

）。这八个信号旗是由一个处理

0

-A

2

.

2.参考真值表I -

芯片使能

.

4

IDT70V37L

高速3.3V 32K ×18双口静态RAM

初步

工业和商业温度范围

DC电气特性在工作

温度和电源电压范围

(V

CC

= 3.3V ± 0.3V)

70V37L

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

(1)

输出漏电流

输出低电压

输出高电压

测试条件

V

CC

= 3.6V, V

IN

= 0V至V

CC

CE

(2)

= V

IH

, V

OUT

= 0V至V

CC

I

OL

= + 4毫安

I

OH

= -4mA

分钟。

___

马克斯。

5

0.4

___

单位

A

V

4851 TBL 09

___

2.4

注意事项：

1.在Vcc

＆ LT ;

2.0V ，输入泄漏是不确定的。

2.参考真值表I -

芯片使能

.

DC电气特性在工作

温度和电源电压范围

(5)

(V

CC

= 3.3V ± 0.3V)

70V37L15

Com'l只有

符号

I

CC

参数

工作动态

当前

（两个端口均有效）

待机电流

（这两个港口 - TTL电平

输入）

待机电流

（单端口 - TTL电平

输入）

全待机电流

（这两个港口 - 所有CMOS

电平输入）

全待机电流

（一个端口 - 所有CMOS

电平输入）

测试条件

CE

= V

IL

，输出禁用

SEM

= V

IH

f = f

最大

(2)

CE

L

=

CE

R

= V

IH

SEM

R

=

SEM

L

= V

IH

f = f

最大

(2)

CE

＆ QUOT ; A＆ QUOT ;

= V

IL

和

CE

＆ QUOT ; B＆ QUOT ;

= V

IH

(4)

活动端口输出禁用，

f=f

最大

(2)

,

SEM

R

=

SEM

L

= V

IH

这两个端口

CE

L

和

CE

R

＆ GT ; V

CC

- 0.2V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

- 0.2V或V

IN

＆ LT ; 0.2V ， F = 0

(3)

SEM

R

=

SEM

L

＆ GT ; V

CC

- 0.2V

CE

＆ QUOT ; A＆ QUOT ;

＆ LT ; 0.2V和

CE

＆ QUOT ; B＆ QUOT ;

＆ GT ; V

CC

- 0.2V

(4)

,

SEM

R

=

SEM

L

＆ GT ; V

CC

- 0.2V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

- 0.2V或V

IN

＆ LT ; 0.2V ，

活动端口OUTP UTS残疾人，女= F

最大

(2)

VERSION

Com'l

IND

Com'l

IND

Com'l

IND

Com'l

IND

Com'l

IND

L

典型值。

(1)

145

___

70V37L20

Com'l

&工业

典型值。

(1)

135

35

90

0.2

90

马克斯。

205

220

55

65

140

150

3.0

135

145

4851 TBL 10

马克斯。

235

___

单位

mA

I

SB1

40

___

70

___

mA

I

SB2

100

___

155

___

mA

I

SB3

0.2

___

3.0

___

mA

I

SB4

95

___

150

___

mA

注意事项：

1. V

CC

= 3.3V ，T

A

= + 25°C ，而不是生产测试。我

CCDC

= 90毫安（典型值）。

2.在f = F

最大

,

地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期

RC ，

并用GND的输入电平的“交流测试Conditions"

为3V 。

3， F = 0表示无地址或控制线变化。

4.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。

5.参考真值表I - 芯片使能。

5